日照反并聯(lián)可控硅模塊品牌

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場(chǎng)合，如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動(dòng)。并可結(jié)束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護(hù)功能。

可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門**的學(xué)科。

可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。日照反并聯(lián)可控硅模塊品牌

可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。煙臺(tái)小功率可控硅模塊批發(fā)淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。

斷一個(gè)可控硅元件是否完好，工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查，首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰極與陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制極開路時(shí)，陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個(gè)條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。

  想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求，其實(shí)非常簡(jiǎn)單，只需要用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻，就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了。

只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。

這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。 淄博正高電氣有限公司堅(jiān)持“顧客至上，合作共贏”。

可控硅模塊的操控端口與操控線

可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法，別離對(duì)應(yīng)于5芯、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號(hào)的商品只用**腳端口，其他為空腳，選用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入，操控線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,聯(lián)接時(shí)注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊。

可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號(hào)，請(qǐng)一一對(duì)應(yīng)，不要接反。以上六個(gè)端口為模塊根柢端口，其它端口為分外端口，只在具有多功用商品中運(yùn)用，一般調(diào)壓商品其他腳為空腳。 淄博正高電氣有限公司不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。濰坊高壓可控硅模塊組件

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雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽(yáng)極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取；

（3）為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對(duì)過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時(shí)間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。

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