吉林雙向可控硅模塊哪家好

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優(yōu)勢，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來詳細(xì)的說下可控硅模塊。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。吉林雙向可控硅模塊哪家好

可控硅模塊又叫晶閘管，自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等?，F(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對外有三個(gè)電極：首層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。吉林雙向可控硅模塊哪家好淄博正高電氣有限公司以誠信為根本，以質(zhì)量服務(wù)求生存。

可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。

可控硅模塊的工作條件：

1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽極電壓時(shí)，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。

2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時(shí)，可控硅*在門級受到正向電壓時(shí)接通。

3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導(dǎo)通，如果可控硅導(dǎo)通后，門極將失去其功能。

4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí)，可控硅模塊關(guān)斷。

可控硅模塊的分類：

1、以關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式來分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

2、以引腳和極性來分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

3、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

4、以電流容量來分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

5、以關(guān)斷速度來分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

6、過零觸發(fā)，一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹

7、非過零觸發(fā)，無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)。

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí)，可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí)，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險(xiǎn)。

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選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來選擇，選用可控硅模塊的額定電流時(shí)，除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。

1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:

(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s，風(fēng)溫≤40℃；

(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；

(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃；

(4)空氣相對濕度≤85%；

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；

(6)氣壓86—106Kpa；

(7)無劇烈震動或沖擊；

(8)若有特殊場合，應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn)，證明工作可靠方可使用。 吉林雙向可控硅模塊哪家好

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