濱州MTDC1000晶閘管智能模塊廠家

晶閘管模塊的應用方法

1、模塊的控制功能端口定義

+12V：   外接 +12V直流電源正極。

GND：   直流電源地線。

GND1:    控制信號地線，與GND 相通。

CON10V:  0～10V 控制信號輸入。

TESTE： 檢測電源,可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。

CON20mA：4～20mA控制信號輸入。

2、模塊的控制端口與控制線

模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式，分別對應于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號的產(chǎn)品只用**腳端口，其余為空腳，采用電流信號的9腳為信號輸入，控制線的屏蔽層銅線應焊接到直流電源地線上,連接時注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊。 正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。濱州MTDC1000晶閘管智能模塊廠家

    晶閘管式整流電路，是對交流電整流成直流電，而后面的調(diào)節(jié)焊接電流是另外的控制電路。當然也有直接控制前面的整流電路里面的電流直接輸出，這樣做雖然節(jié)約成本，但太危險。一般控制輸出電流有兩種方式：一種是利用一個晶閘管，控制他的導通程度，從而控制輸出電流的大?。涣硗膺€有個方法是控制輸出線圈的閘數(shù)，線圈閘數(shù)越多，輸出電流越大。具體電路要看電焊機是采用交流輸出方式，還是直流輸出方式。電焊機：電焊機是利用正負兩極在瞬間短路時產(chǎn)生的高溫電弧來熔化電焊條上的焊料和被焊材料，來達到使它們結(jié)合的目的。結(jié)構(gòu)十分簡單，就是一個大功率的變壓器，電焊機一般按輸出電源種類可分為兩種，一種是交流電源的；一種是直流電的。是利用電感的原理做成的，電感量在接通和斷開時會產(chǎn)生巨大的電壓變化，利用正負兩極在瞬間短路時產(chǎn)生的高壓電弧來熔化電焊條上的焊料，來達到使它們結(jié)合的目的。濱州MTDC1000晶閘管智能模塊廠家正高電氣擁有先進的產(chǎn)品生產(chǎn)設備，雄厚的技術(shù)力量。

滿足晶閘管模塊工作的必要條件

晶閘管模塊使用中一定要具有以下條件：

（1）+12V直流電源：模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。

①輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。

②輸出電流要求：標稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。

（2）控制信號： 0～10V或4～20mA控制信號，用于對輸出電壓大小進行調(diào)整的控制信號，正極接CON10V或CON20mA，負極接GND1。

（3）供電電源和負載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接模塊的輸入端子；負載為用電器，接模塊的輸出端子。

    以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值。正高電氣用先進的生產(chǎn)工藝和規(guī)范的質(zhì)量管理，打造優(yōu)良的產(chǎn)品！

 某加熱爐控制柜，需要控制額定電壓為380V，比較大工作電流為150A的加熱爐，應使用什么規(guī)格型號的模塊？

《使用說明書》中的選型計算公式：I>K×I負載×U比較大/U實際

K：安全系數(shù)，阻性負載K=1點5，感性負載K=2

I負載：負載流過的比較大電流

U比較大：負載上的**小電壓

U實際：模塊能輸出的比較大電壓（三相整流模塊為輸入電壓的1點35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0點9倍，其余規(guī)格均為1點0倍）

I：需要選擇模塊的**小電流，模塊標稱的電流必須大于該值。 正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品，完善的服務與尊敬的用戶攜手并進！濱州MTDC1000晶閘管智能模塊廠家

以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務。濱州MTDC1000晶閘管智能模塊廠家

    構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導銅，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)。濱州MTDC1000晶閘管智能模塊廠家

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