河南快恢復(fù)可控硅模塊價(jià)格

可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去，就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗、門(mén)極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中相當(dāng)主要的是導(dǎo)通損耗。為了確保器件長(zhǎng)期可靠地工作，設(shè)計(jì)時(shí)散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導(dǎo)體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要，千萬(wàn)不可大意！散熱器的常用散熱方式有：自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等?？紤]散熱問(wèn)題的總原則是：控制模塊中管芯的結(jié)溫Tj不超過(guò)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給定的額定結(jié)溫淄博正高電氣有限公司過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量、質(zhì)量的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理，贏得客戶的信譽(yù)。河南快恢復(fù)可控硅模塊價(jià)格

單向可控硅模塊有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽(yáng)極A1(T1)，二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。 河南快恢復(fù)可控硅模塊價(jià)格淄博正高電氣有限公司以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展！

可控硅模塊的作用和優(yōu)勢(shì)大家都知道，它的應(yīng)用范圍是非常廣的，在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來(lái)講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。

在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。

雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽(yáng)極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無(wú)論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門(mén)極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過(guò)載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過(guò)載能力差，短時(shí)間的過(guò)流，過(guò)壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過(guò)正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來(lái)?。?

（3）為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對(duì)過(guò)流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多采用前者，過(guò)電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過(guò)程產(chǎn)生的過(guò)壓。由于，過(guò)電壓的尖峰高，作用時(shí)間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。

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實(shí)際上，可控硅模塊元件的結(jié)溫不容易直接測(cè)量，因此不能用它作為是否超溫的判據(jù)。通過(guò)控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來(lái)控制結(jié)溫是一種有效的方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度，知道了殼溫也就知道了結(jié)溫，而相當(dāng)高殼溫Tc是限定的，由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出。借助溫控開(kāi)關(guān)可以很容易地測(cè)量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應(yīng)置于模塊底板溫度相當(dāng)高的位置）。從溫控天關(guān)測(cè)量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個(gè)或兩個(gè)溫度控制電路，分別控制風(fēng)機(jī)的開(kāi)啟或主回路的通斷（停機(jī)），就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結(jié)溫下正常工作。

  需要指出的是，溫控開(kāi)關(guān)測(cè)量到的溫度是模塊底板表面的溫度，易受環(huán)境、空氣對(duì)流的影響，與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc，還有一定的差別（大約低幾度到十幾度），因此其實(shí)際控制溫度應(yīng)低于規(guī)定的Tc值。用戶可以根據(jù)實(shí)際情況和經(jīng)驗(yàn)決定控制的溫度。 淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評(píng)及厚愛(ài)。河南快恢復(fù)可控硅模塊價(jià)格

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可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導(dǎo)通角問(wèn)題，負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際

K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2；

I負(fù)載：負(fù)載流過(guò)的強(qiáng)大電流； U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓；

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。 河南快恢復(fù)可控硅模塊價(jià)格

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