淄博小功率可控硅模塊配件

單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。 淄博正高電氣有限公司得到市場(chǎng)的一致認(rèn)可。淄博小功率可控硅模塊配件

可控硅模塊的特性

單向晶閘管模塊具有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽極連接到反向電壓時(shí)，或陽極連接到正向電壓時(shí)，但控制極不增加電壓，則不會(huì)導(dǎo)通，當(dāng)陽極和控制極同時(shí)連接到正向電壓時(shí)，將變?yōu)榻油顟B(tài)。一旦接通，控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓，無論控制電壓的極性如何，都將始終處于接通狀態(tài)。若要關(guān)閉，只能將陽極電壓降到某個(gè)臨界值或反向。

雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列（當(dāng)電極管腳朝著帶有字符的一側(cè)向下時(shí)）。當(dāng)改變施加到控制極G的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間時(shí)，其接通電流的大小可以改變。 濱州大功率可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司傾城服務(wù)，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。

過電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對(duì)過電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí)，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。

可控硅模塊屬于電氣元器件，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關(guān)器件，它是從普通可控硅模塊的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，使用更加方便、安全可靠。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點(diǎn)與性能。

雙向可控硅模塊是由一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個(gè)主電極T1和T2和一個(gè)門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對(duì)稱的伏安特性。雙向可控硅模塊門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅模塊，需定量掌握其主要參數(shù)，對(duì)雙向可控硅模塊進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。 淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評(píng)及厚愛。

任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外，可控硅模塊使用時(shí)間長了，它的溫度就會(huì)升高，如果溫度過高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法：

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測(cè)定：在距被測(cè)可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì)，溫度計(jì)測(cè)點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高，溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。

2 可控硅模塊溫升按下式計(jì)算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測(cè)定：被測(cè)可控硅模塊溫升的測(cè)定，通常與減速機(jī)的承載能力及傳動(dòng)效率測(cè)定同時(shí)進(jìn)行，也可單獨(dú)進(jìn)行，被測(cè)減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí)，讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度

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滿足可控硅模塊工作的必要條件：

（1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。

（2）可控硅模塊控制信號(hào)：0～10V或4～20mA控制信號(hào)，用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)，正極接CON10V或CON20mA，負(fù)極接GND1。

（3）可控硅模塊供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子；負(fù)載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子。 淄博小功率可控硅模塊配件

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