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    當周圍光線較弱時，RG呈現(xiàn)高電阻，VD5右端電位升高，電容C充電速率加快，振蕩頻率變高，VS導通角增大，電燈兩端電壓升高、高度增大。當周圍光線增強時，RG電阻變小，與上述相反，電燈兩端電壓變低，高度減小。元器件選擇與制作調(diào)試調(diào)試時，將RP調(diào)到阻值為零位置，S置于位置2，用萬用表測電燈兩端交流電應在200V以上，如低于200V可略減小R1或增大R3阻值，使之達到要求。光敏電阻RG應安裝在臺燈底座側面臺燈光線不能直接照射的地方，用來感受周圍環(huán)境照度。調(diào)光臺燈的燈泡宜用40W的白熾燈。調(diào)整好的電路即可投入使用；S撥向2為普通調(diào)光臺燈，調(diào)RP可選擇適當?shù)母呙芏?；S撥向1為自動臺燈，先調(diào)RP選擇好適當亮度，如環(huán)境照度變暗時，臺燈亮度會逐漸變亮，增大照度。光敏電阻光控燈電路圖（四）如圖所示是一種簡易的光控開關。在一些公共場所，如樓道、路燈等裝上自動光控開關，不僅方便而且也節(jié)電。它在天黑時會自動開燈，天亮時自動熄滅。調(diào)節(jié)Ω電位器，可適用于不同型號的光敏電阻及在一定的條件（黑暗程度）下亮燈。光敏電阻光控燈電路圖（五）該太陽能光控定時節(jié)能照明燈電路是由太陽能電池、蓄電池、光控電路、定時電路和節(jié)能燈驅動電路幾部分組成。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。淄博MTDC1000晶閘管智能模塊供應商

    而稱之為主電極T1、T2。[15]檢測單向晶閘管：萬用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G，紅表筆接陰極K，測量其正向電阻，應有較小的阻值。對調(diào)兩表筆測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。測量控制極G與陽極A之間的正、反向電阻，均應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結反向串聯(lián)，不論正、反向均不應導通，否則晶閘管已壞。[16]檢測雙向晶閘管：萬用表置于“R×1Ω”擋，兩表筆測量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應為較小阻值。測量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應為無窮大。[17]檢測單向晶閘管導通特性：萬用表置于“R×1Ω”擋，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，表針指示應為無窮大。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽極A短接一下（短接后即斷開），表針應向右偏轉并保持在十幾歐姆處。檢測雙向晶閘管導通特性：黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應為無窮大。將控制極G與主電極T2短接一下，表針應向右偏轉并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說明晶閘管已損壞。[18]晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）的作用，并具有體積小、重量輕、功耗低、效率高、開關速度快等優(yōu)點。淄博MTDC1000晶閘管智能模塊供應商正高電氣擁有先進的產(chǎn)品生產(chǎn)設備，雄厚的技術力量。

    構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導銅，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結。

    雙向晶閘管看起來與單向晶閘管的外形差不多，也有三個電極，它的主要工作特性是什么呢？雙向晶閘管相當于兩個單向晶閘管的反向并聯(lián)，但只有一個控制極。這樣，雙向晶閘管在正、反兩個方向上都能夠控制導電，而單向晶閘管卻是一種可控的單方向導電器件。給雙向晶閘管的控制極加正的或負的觸發(fā)脈沖，都能使管子觸發(fā)導通。這樣，觸發(fā)電路的設計就具有很大的靈活性，可以采用多種不同的觸發(fā)方式。此外，雙向晶閘管的兩個主電極不再分為陽極和陰極，而是稱為電極T1和第二電極T2。雙向晶閘管在電路中不能用作可控整流元件，主要用來進行交流調(diào)壓、交流開關、可逆直流調(diào)速等等。雙向晶閘管觸發(fā)電路中，使用了雙向觸發(fā)二極管，我們過去沒有聽說過這種管子，這是一種什么樣的器件呢？雙向觸發(fā)二極管從結構上來說，是一種沒有控制極的晶閘管，我們可以把它看成是兩個二極管的反向并聯(lián)。這樣，無論在雙向觸發(fā)二極管的兩極之間外加什么極性的電壓，只要電壓的數(shù)值達到管子的轉折電壓值，就能使它導通。值得注意的是，雙向觸發(fā)二極管的轉折電壓較高，一般在20～40V范圍。雙向觸發(fā)二極管組成的雙向晶閘管觸發(fā)電路的工作原理吧。調(diào)壓器電路主要由阻容移相電路和雙向晶閘管兩部分組成。正高電氣用先進的生產(chǎn)工藝和規(guī)范的質(zhì)量管理，打造優(yōu)良的產(chǎn)品！

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡，該網(wǎng)絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡。正高電氣以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！淄博MTDC1000晶閘管智能模塊供應商

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    則要求比較大逆變換相引前角在42°左右，此時，中頻輸出電壓與直流電壓的比為。一般期望它盡可能的大些，這在系統(tǒng)輸入電壓偏低時，仍可保證中頻輸出電壓到額定值，當系統(tǒng)輸入電壓偏高時，由于有電壓調(diào)節(jié)器的作用，中頻輸出仍然不會出現(xiàn)過電壓。此項調(diào)試工作應在50%額定中頻輸出電壓下進行。注意，必須先調(diào)，再調(diào)，否則順序反了，會出現(xiàn)互相牽扯的問題。有時由于電壓表不準，給調(diào)試帶來錯誤的結論，所以應以示波器測得的引前角為準。調(diào)試中若出現(xiàn)逆變引前角過大的現(xiàn)象，應檢查槽路諧振頻率是否過低。（W2）在輕負荷的情況下整定額定輸出電壓，把主控板上的DIP開關均撥在OFF位置、W2微調(diào)電位器順時針旋至比較大，把面板上的“給定”電位器順針旋大，逆變橋工作。繼續(xù)把面板上的“給定”電位器順時針旋至比較大，此時輸出的中頻電壓接近額定值，逆時針調(diào)節(jié)W2微調(diào)電位器，使輸出的中頻電壓達到額定值。在這項調(diào)試中，可見到這樣的現(xiàn)象，即直流電壓升到比較大值后，中頻輸出電壓卻還能繼續(xù)隨“給定”電位器的旋大而上升。在整定額定輸出電壓時，應在直流電流低于額定電流的條件下進行，否則會由于電流限幅的作用，使中頻輸出電壓調(diào)不上去。至此，6只微調(diào)電位器全部調(diào)完。淄博MTDC1000晶閘管智能模塊供應商

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