西藏反并聯(lián)可控硅模塊配件

雙向可控硅的檢測

用萬用表電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時，該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A、G極后，再仔細(xì)測量A1、G極間正反向電阻，讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽極A2，紅表筆接陽極A1，此時萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G極短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?；Q紅黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接陽極A1。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負(fù)向的觸發(fā)電壓，A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳極性判斷正確。

檢測較大功率可控硅管是地，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。 淄博正高電氣有限公司過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、質(zhì)量的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理，贏得客戶的信譽(yù)。西藏反并聯(lián)可控硅模塊配件

可控硅模塊的操控端口與操控線

可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法，別離對應(yīng)于5芯、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號的商品只用**腳端口，其他為空腳，選用電流信號的9腳為信號輸入，操控線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,聯(lián)接時注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊。

可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號，請一一對應(yīng)，不要接反。以上六個端口為模塊根柢端口，其它端口為分外端口，只在具有多功用商品中運(yùn)用，一般調(diào)壓商品其他腳為空腳。 四川大功率可控硅模塊哪家好淄博正高電氣有限公司擁有業(yè)內(nèi)**人士和高技術(shù)人才。

可控硅模塊主要優(yōu)點(diǎn)如下：

（1）采用進(jìn)口方形可控硅支撐板，降低了可控硅模塊的電壓，功耗低，效率高，節(jié)能效果好。

（2）采用進(jìn)口插入元件，保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。

（3）（DCB）陶瓷銅板采用獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝，保證了晶閘管組件的焊接層無空腔，導(dǎo)熱性好。

（4）導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。

（5）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離，導(dǎo)熱基板不帶電，介電強(qiáng)度≥2500V，保證安全。

（6）通過輸入0-10V直流控制信號，可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。

（7）可采用手動控制、儀表控制或微機(jī)控制。

（8）適用于電阻和電感負(fù)載。

斷一個可控硅元件是否完好，工程師需要從四個方面進(jìn)行檢查，首先是判斷該元件的三個PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導(dǎo)通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。

  想要看一個可控硅元件是否符合以上要求，其實(shí)非常簡單，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對**個方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了。 淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險(xiǎn)。

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電子元器件自主可控是指在研發(fā)、生產(chǎn)和保證等環(huán)節(jié)，主要依靠國內(nèi)科研生產(chǎn)力量，在預(yù)期和操控范圍內(nèi)，滿足信息系統(tǒng)建設(shè)和信息化發(fā)展需要的能力。電子元器件關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用，對電子產(chǎn)品和信息系統(tǒng)的功能性能影響至關(guān)重要，涉及到工藝、合物半導(dǎo)體、微納系統(tǒng)芯片集成、器件驗(yàn)證、可靠性等?；仡欉^去一年國內(nèi)可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器產(chǎn)業(yè)運(yùn)行情況，上半年市場低迷、部分外資企業(yè)產(chǎn)線轉(zhuǎn)移、中小企業(yè)經(jīng)營困難，開工不足等都是顯而易見的消極影響。但隨著可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器產(chǎn)業(yè)受到相關(guān)部門高度重視、下游企業(yè)與元器件產(chǎn)業(yè)的黏性增強(qiáng)、下游 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景明朗等利好因素的驅(qū)使下，我國電子元器件行業(yè)下半年形勢逐漸好轉(zhuǎn)。我國也在這方面很看重，技術(shù)，意在擺脫我國元器件受國外有限責(zé)任公司企業(yè)間的不確定因素影響。我國和電子元器件的專業(yè)人員不懈努力，終于獲得了回報(bào)！電子元器件銷售是聯(lián)結(jié)上下游供求必不可少的紐帶，目前電子元器件企業(yè)商已承擔(dān)了終端應(yīng)用中的大量技術(shù)服務(wù)需求，保證了原廠產(chǎn)品在終端的應(yīng)用，提高了產(chǎn)業(yè)鏈的整體效率和價值。電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長，國內(nèi)市場表現(xiàn)優(yōu)于國際市場，多個下**業(yè)的應(yīng)用前景明朗，電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長潛力。西藏反并聯(lián)可控硅模塊配件

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