貴州雙向可控硅模塊組件

正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有兩個(gè)陽(yáng)極：一陽(yáng)極A1(T1)，二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。

  只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。 淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。貴州雙向可控硅模塊組件

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優(yōu)勢(shì)，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來(lái)詳細(xì)的說(shuō)下可控硅模塊。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。剛開(kāi)始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。 陜西可控硅模塊廠家淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴！

可控硅模塊的特性

單向晶閘管模塊具有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽(yáng)極連接到反向電壓時(shí)，或陽(yáng)極連接到正向電壓時(shí)，但控制極不增加電壓，則不會(huì)導(dǎo)通，當(dāng)陽(yáng)極和控制極同時(shí)連接到正向電壓時(shí)，將變?yōu)榻油顟B(tài)。一旦接通，控制電壓將失去控制作用。無(wú)論有無(wú)控制電壓，無(wú)論控制電壓的極性如何，都將始終處于接通狀態(tài)。若要關(guān)閉，只能將陽(yáng)極電壓降到某個(gè)臨界值或反向。

雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列（當(dāng)電極管腳朝著帶有字符的一側(cè)向下時(shí)）。當(dāng)改變施加到控制極G的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間時(shí)，其接通電流的大小可以改變。

斷一個(gè)可控硅元件是否完好，工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查，首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰極與陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制極開(kāi)路時(shí)，陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個(gè)條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。

  想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求，其實(shí)非常簡(jiǎn)單，只需要用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻，就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低，或近于無(wú)窮大，說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開(kāi)路，此可控硅不能使用了。 淄博正高電氣有限公司始終以適應(yīng)和促進(jìn)發(fā)展為宗旨。

選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。

  所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。

  可控硅模塊的正向壓降、門(mén)極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路（指門(mén)極的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低，否則會(huì)影響可控硅模塊的正常工作。

上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類選擇，希望對(duì)您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司擁有業(yè)內(nèi)**人士和高技術(shù)人才。貴州雙向可控硅模塊組件

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選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來(lái)選擇，選用可控硅模塊的額定電流時(shí)，除了考慮通過(guò)元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。

1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:

(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s，風(fēng)溫≤40℃；

(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；

(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃；

(4)空氣相對(duì)濕度≤85%；

(5)空氣中無(wú)腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；

(6)氣壓86—106Kpa；

(7)無(wú)劇烈震動(dòng)或沖擊；

(8)若有特殊場(chǎng)合，應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn)，證明工作可靠方可使用。 貴州雙向可控硅模塊組件

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