威海MTAC450晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)

    而稱(chēng)之為主電極T1、T2。[15]檢測(cè)單向晶閘管：萬(wàn)用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G，紅表筆接陰極K，測(cè)量其正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。對(duì)調(diào)兩表筆測(cè)其反向電阻，應(yīng)比正向電阻明顯大一些。測(cè)量控制極G與陽(yáng)極A之間的正、反向電阻，均應(yīng)為無(wú)窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián)，不論正、反向均不應(yīng)導(dǎo)通，否則晶閘管已壞。[16]檢測(cè)雙向晶閘管：萬(wàn)用表置于“R×1Ω”擋，兩表筆測(cè)量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應(yīng)為較小阻值。測(cè)量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應(yīng)為無(wú)窮大。[17]檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性：萬(wàn)用表置于“R×1Ω”擋，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，表針指示應(yīng)為無(wú)窮大。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽(yáng)極A短接一下（短接后即斷開(kāi)），表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。檢測(cè)雙向晶閘管導(dǎo)通特性：黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應(yīng)為無(wú)窮大。將控制極G與主電極T2短接一下，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說(shuō)明晶閘管已損壞。[18]晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）的作用，并具有體積小、重量輕、功耗低、效率高、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。公司生產(chǎn)工藝得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，優(yōu)良的品質(zhì)使我們的產(chǎn)品****各地。威海MTAC450晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)

    逆變橋進(jìn)入工作狀態(tài)，開(kāi)始起振，若不起振，表現(xiàn)為它激信號(hào)反復(fù)作掃頻動(dòng)作，可調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)后，仍然起動(dòng)不起來(lái)。此時(shí)應(yīng)確認(rèn)一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測(cè)量一下電熱電容器的電容量及感應(yīng)器的電感量，計(jì)算出槽路的諧振頻率，當(dāng)槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動(dòng)應(yīng)該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開(kāi)關(guān)均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調(diào)節(jié)主控板上W4微調(diào)電位器，使逆變換相引前角在22°左右，此時(shí)中頻輸出電壓與直流電壓的比為（若換相重疊角較大，可適當(dāng)增大逆變換相引前角），此步整定的是**小逆變引前角，一般期望它盡可能的小，當(dāng)然，過(guò)小的逆變換相此前角會(huì)使逆變換相失敗，表現(xiàn)為中頻電壓升高時(shí)，會(huì)出現(xiàn)重復(fù)起動(dòng)。再把DIP-2開(kāi)關(guān)打在ON位置，調(diào)節(jié)主控板上W3微調(diào)電位器，整定比較大逆變換相引前角。根據(jù)不同的中頻輸出電壓的要求，比較大逆變換相引前角亦不同，如中頻裝置三相輸入電壓為380V，額定中頻輸出電壓為750V時(shí)。威海MTAC450晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價(jià)格及完善的售后服務(wù)。

    則要求比較大逆變換相引前角在42°左右，此時(shí)，中頻輸出電壓與直流電壓的比為。一般期望它盡可能的大些，這在系統(tǒng)輸入電壓偏低時(shí)，仍可保證中頻輸出電壓到額定值，當(dāng)系統(tǒng)輸入電壓偏高時(shí)，由于有電壓調(diào)節(jié)器的作用，中頻輸出仍然不會(huì)出現(xiàn)過(guò)電壓。此項(xiàng)調(diào)試工作應(yīng)在50%額定中頻輸出電壓下進(jìn)行。注意，必須先調(diào)，再調(diào)，否則順序反了，會(huì)出現(xiàn)互相牽扯的問(wèn)題。有時(shí)由于電壓表不準(zhǔn)，給調(diào)試帶來(lái)錯(cuò)誤的結(jié)論，所以應(yīng)以示波器測(cè)得的引前角為準(zhǔn)。調(diào)試中若出現(xiàn)逆變引前角過(guò)大的現(xiàn)象，應(yīng)檢查槽路諧振頻率是否過(guò)低。（W2）在輕負(fù)荷的情況下整定額定輸出電壓，把主控板上的DIP開(kāi)關(guān)均撥在OFF位置、W2微調(diào)電位器順時(shí)針旋至比較大，把面板上的“給定”電位器順針旋大，逆變橋工作。繼續(xù)把面板上的“給定”電位器順時(shí)針旋至比較大，此時(shí)輸出的中頻電壓接近額定值，逆時(shí)針調(diào)節(jié)W2微調(diào)電位器，使輸出的中頻電壓達(dá)到額定值。在這項(xiàng)調(diào)試中，可見(jiàn)到這樣的現(xiàn)象，即直流電壓升到比較大值后，中頻輸出電壓卻還能繼續(xù)隨“給定”電位器的旋大而上升。在整定額定輸出電壓時(shí)，應(yīng)在直流電流低于額定電流的條件下進(jìn)行，否則會(huì)由于電流限幅的作用，使中頻輸出電壓調(diào)不上去。至此，6只微調(diào)電位器全部調(diào)完。

    由與非門(mén)的邏輯關(guān)系可知此時(shí)YFA3腳輸出為高電平，經(jīng)過(guò)YF2反相變?yōu)榈碗娖?，D1截止后級(jí)電路不動(dòng)作。晚上光線暗RG阻值變大，YFA1腳電位升高，如果此時(shí)有聲音被MIC接收，經(jīng)C1耦合T1放大，在R3上形成音頻電壓，此電壓如高于1/2電源電壓，則YF13腳輸出低電平，經(jīng)YFB反相，4腳輸出的高電平經(jīng)D1向C2瞬間充電，使YFC輸入端接近電源電壓，10腳輸出低電平，由YFD反相緩沖后經(jīng)R6觸發(fā)可控硅導(dǎo)通，電燈正常點(diǎn)亮。（此時(shí)則由C3向電路供電）如此后無(wú)聲被MIC接收，則YFA輸出恢復(fù)為高電平，C2通過(guò)R5緩慢放電，當(dāng)C2電壓下降到低于1/2電源電壓時(shí)（按圖中參數(shù)約一分鐘）YFC反轉(zhuǎn)、YFD反轉(zhuǎn)，可控硅（SCR）截止電燈關(guān)閉，等待下次觸發(fā)。元件選擇：MIC用駐極體話筒，RG用一般光敏電阻即可，YFA-YFD用一片低工S四與非門(mén)電路TC4011，T1用9014低頻管，放大倍數(shù)越大靈敏度越高，D1用IN4148，D2是，C2、C3用電解電容、SCR可選用MCR100-61A的單向可控硅，電阻均為1/8w炭膜電阻，阻值按圖。D4-D7用IN4007，反向漏電必須小。電燈的功率不能超過(guò)60W。正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項(xiàng)對(duì)制造、檢測(cè)、試驗(yàn)裝置進(jìn)行技術(shù)改造。

晶閘管模塊常用的保護(hù)措施

① 過(guò)電流保護(hù)

過(guò)流保護(hù)一般都推薦外接快速熔斷器的方法，可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可，三相模塊三只，單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓，額定電流一般取負(fù)載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對(duì)于短路引起的過(guò)流保護(hù)效果很好，對(duì)于一般性的過(guò)流并不能起到很好的保護(hù)效果，因?yàn)閮杀队诳焖偃蹟嗥黝~定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護(hù)效果，除采用快速熔斷器外可采用帶過(guò)流保護(hù)功能的模塊或具有過(guò)流保護(hù)功能的控制板。

②過(guò)電壓保護(hù)

模塊的過(guò)壓保護(hù)，推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。

阻容吸收回路能有效晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收并聯(lián)在模塊每一只晶閘管芯片上即可，反并聯(lián)芯片可共用一組。 正高電氣公司地理位置優(yōu)越，擁有完善的服務(wù)體系。威海MTAC450晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)

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    電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過(guò)電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過(guò)電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過(guò)電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對(duì)過(guò)電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類(lèi)型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管模塊是很危險(xiǎn)的。由開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類(lèi)：（1）交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如，交流開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓，這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開(kāi)閉速度越快過(guò)電壓越高。威海MTAC450晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)

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