廣東槽式清洗設(shè)備一臺多少錢

芯夢槽式濕法設(shè)備用于批式晶圓濕法清洗、刻蝕、光刻膠去除等工藝，提供多個槽體進行化學(xué)藥液或純水，結(jié)合熱浸、噴淋、溢流、快速沖洗等清洗方式，配合先進的IPA干燥方式，可同時對25或50片晶圓進行工藝處理，可廣泛應(yīng)用于集成電路制造領(lǐng)域。

主要優(yōu)勢

小尺寸，高產(chǎn)能

先進的IPA干燥方式

工序可靈活編輯

無盒式（No-Cassette）50片晶圓批次處理

節(jié)能減排，降低成本

特征規(guī)格

配備先進的IPA干燥槽

配備穩(wěn)定的晶圓傳輸系統(tǒng)

模塊化設(shè)計，可客制化組合選配

可選配一體式清洗模塊（多種化學(xué)藥水與純水在同一槽中進行工藝）

可選配兆聲波清洗 江蘇芯夢槽式清洗設(shè)備操作界面友好，易學(xué)易用，提升生產(chǎn)效率！廣東槽式清洗設(shè)備一臺多少錢

芯片制造的重要環(huán)節(jié)，物理輔助方法是工藝難點。半導(dǎo)體清洗對于芯片制造意義重大，如果清洗不達要求，殘留的沾污雜質(zhì)將導(dǎo)致芯片失效。半導(dǎo)體清洗貫穿硅片制造、晶圓制造、封裝三大環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體清洗方法分為濕法清洗和干法清洗，目前濕法清洗占據(jù)90%以上的份額。濕法清洗可選用化學(xué)藥液清洗，同時輔以物理方法輔助，如洗刷器、超/兆聲波、旋轉(zhuǎn)噴淋、二流體等方法。清洗過程中，化學(xué)藥液基本相同，輔助方法往往成為不同工藝的主要差別，也成為半導(dǎo)體清洗工藝的主要難點。江西供應(yīng)槽式清洗設(shè)備出廠價江蘇芯夢的槽式清洗設(shè)備操作簡便，適用于各種生產(chǎn)場景，提高效率！

槽式清洗設(shè)備的工藝參數(shù)可以根據(jù)不同的設(shè)備和應(yīng)用而有所差異，以下是一些常見的槽式清洗設(shè)備工藝參數(shù)：

漂洗時間和漂洗次數(shù)：在清洗槽清洗之后，通常需要進行漂洗步驟以去除清洗液殘留和離子污染。漂洗時間和漂洗次數(shù)取決于晶圓的清洗要求和所使用的漂洗液。這些參數(shù)可以在設(shè)備的控制系統(tǒng)中進行設(shè)置和調(diào)整。

干燥時間：在清洗后，晶圓通常需要進行干燥步驟，以去除殘留的水分。干燥時間取決于晶圓的尺寸、干燥方法和所需的干燥程度。干燥時間可以在設(shè)備的控制系統(tǒng)中進行設(shè)置和調(diào)整。

設(shè)備類型 手動/半自動/全自動干進濕出/千進干出

常用工藝 H2SO4+H202、HF+H20、NH4OH+H202+H20.HCL+H202+H20、IPADry

晶圓規(guī)格 2"、4"、5"、6"、8”、12"晶圓

處理能力 1藍/批，2藍/批，25片/藍

設(shè)備主體 德國勞士領(lǐng)/新美樂象牙白PP/象牙白PVC，SUS304骨架

工藝槽體 勞士領(lǐng)/AGRUPVDF，石英，德國勞士領(lǐng)/新美樂NPP

槽體功能 循環(huán)、過濾、加熱、兆聲、QDR、IPA慢拉脫水

管路選配 瑞士GFPVDF/PP，日本PILLAR/NichiasPFA，日本積水/旭有CL-PVC

兆生波選配 KAUO/Branson

循環(huán)泵選配 IWAKI/Pillar/Trebor/Whiteknight/DEBEM

過濾器選配 美國PALL、美國Entegris

閥門選配 CKD/Gemu/Kitz/SMC/SEBA

觸摸屏選配 PROFACE/三菱/SIEMENS/OMRON

PLC選配 三菱/SIEMENS/OMRON

江蘇芯夢槽式清洗設(shè)備采用先進技術(shù)，助你輕松提升產(chǎn)能！

下面是一般晶圓槽式清洗設(shè)備的工藝流程示例：準備工作：將晶圓放置在晶圓載具上，確保晶圓的安全固定。檢查清洗設(shè)備的狀態(tài)和工作條件，確保設(shè)備正常運行。準備所需的清洗液和處理液，并確保它們符合規(guī)格要求。預(yù)洗：將晶圓載具放入預(yù)洗槽中，確保晶圓完全浸沒在預(yù)洗液中。打開預(yù)洗槽的攪拌或超聲波功能，以增強清洗效果。設(shè)置適當?shù)念A(yù)洗時間和溫度，根據(jù)實際需要進行調(diào)整。預(yù)洗的目的是去除晶圓表面的雜質(zhì)和粗污染物。主洗：將晶圓載具從預(yù)洗槽中轉(zhuǎn)移到主洗槽中。確保晶圓完全浸沒在主洗液中，并調(diào)整液位以覆蓋晶圓表面。打開主洗槽的攪拌或超聲波功能，以增強清洗效果。設(shè)置適當?shù)闹飨磿r間和溫度，根據(jù)實際需要進行調(diào)整。主洗的目的是徹底去除晶圓表面的細微污染物和有機殘留物。漂洗：將晶圓載具從主洗槽中轉(zhuǎn)移到漂洗槽中。確保晶圓完全浸沒在漂洗液中，并調(diào)整液位以覆蓋晶圓表面。打開漂洗槽的攪拌功能，以幫助去除主洗液殘留。設(shè)置適當?shù)钠磿r間和溫度，根據(jù)實際需要進行調(diào)整。漂洗的目的是去除主洗液殘留和準備下一步的處理。

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晶圓制造工藝復(fù)雜，擁有很多工序，不同工序中使用了不同的化學(xué)材料，通常會在晶圓表面殘留化學(xué)劑、顆粒、金屬等雜質(zhì)，如果不及時清洗干凈，會隨著生產(chǎn)制造逐漸累積，影響質(zhì)量。在晶圓制造工藝中，一般存在五個清洗步驟，分別是顆粒去除清洗、刻蝕后清洗、預(yù)擴散清洗、金屬離子去除清洗和薄膜去除清洗。因此，作為清洗工藝的基礎(chǔ)，清洗設(shè)備成為了制程發(fā)展的關(guān)鍵。

按照清洗方式的不同，清洗設(shè)備可分為兩種，分別是單片式和槽式。

單片式清洗機是由幾個清洗腔體組成，再通過機械手將每一片晶圓送至各個腔體中進行單獨的噴淋式清洗，清洗效果較好，避免了交叉污染和前批次污染后批次，但缺點是清洗效率較低，成本偏高。 廣東槽式清洗設(shè)備一臺多少錢