湖北薄膜蒸發(fā)器

    來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-10-15

    MVR蒸發(fā)器是一種高效的蒸發(fā)設(shè)備,其安裝條件對(duì)于設(shè)備的運(yùn)行效果和使用壽命有著重要的影響。以下是MVR蒸發(fā)器需要的安裝條件:1. 場(chǎng)地要求:MVR蒸發(fā)器需要安裝在平整、堅(jiān)實(shí)、無振動(dòng)和無腐蝕性氣體的場(chǎng)地上。同時(shí),為了便于操作和維護(hù),設(shè)備周圍應(yīng)留有足夠的空間。2. 電源要求:MVR蒸發(fā)器需要穩(wěn)定的電源供應(yīng),電壓和頻率應(yīng)符合設(shè)備的要求。同時(shí),為了防止電源波動(dòng)對(duì)設(shè)備造成影響,建議安裝穩(wěn)壓電源。3. 水源要求:MVR蒸發(fā)器需要用到冷卻水,因此需要有穩(wěn)定的水源供應(yīng)。水質(zhì)應(yīng)符合設(shè)備的要求,避免使用含有雜質(zhì)和腐蝕性物質(zhì)的水源。4. 排水要求:MVR蒸發(fā)器在運(yùn)行過程中會(huì)產(chǎn)生一定的廢水,需要有完善的排水系統(tǒng)將其排出。排水管道應(yīng)保持暢通,避免廢水對(duì)設(shè)備造成損害。5. 環(huán)境溫度要求:MVR蒸發(fā)器需要在適宜的環(huán)境溫度下運(yùn)行,過高或過低的溫度都會(huì)對(duì)設(shè)備的性能和使用壽命造成影響。因此,在安裝MVR蒸發(fā)器時(shí)需要考慮環(huán)境溫度的控制。降膜蒸發(fā)器的使用能夠有效地去除液體中的溶解固體,達(dá)到濃縮液體的目的。湖北薄膜蒸發(fā)器

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       MVR蒸發(fā)器的概念MVR蒸發(fā)器,英文MechanicalVaporRpression縮寫,稱為“機(jī)械式蒸汽再壓縮”蒸發(fā)器。是國際上二十世紀(jì)九十年代末開發(fā)出來的一種新型高效節(jié)能蒸發(fā)設(shè)備。MVR蒸發(fā)器是采用低溫與低壓汽蒸技術(shù)和清潔能源為“電能”,產(chǎn)生蒸汽,將媒介中的水分分離出來。目前MVR是國際上**技術(shù)的蒸發(fā)技術(shù),是替代傳統(tǒng)蒸發(fā)器的升級(jí)換代產(chǎn)品。目前只有北美和歐洲等一些發(fā)達(dá)國家掌握了該項(xiàng)技術(shù)在眾多領(lǐng)域中的應(yīng)用。MVR技術(shù)背景蒸發(fā)、蒸餾、蒸發(fā)結(jié)晶、蒸發(fā)干燥裝置都是高能耗的。能耗在這些裝置的運(yùn)行成本中占很大的比例,因此單位能耗的降低和優(yōu)化對(duì)降低整個(gè)運(yùn)行成本至關(guān)重要。目前有三種主要的技術(shù)實(shí)現(xiàn)比能耗的**小化,可單獨(dú)應(yīng)用,也可聯(lián)合應(yīng)用:多效技術(shù)(MultipleEffectEvaporator,MEE)熱力蒸汽再壓縮技術(shù)(ThermalVapourRpressor,R)機(jī)械蒸汽再壓縮技術(shù)(MechanicalVapourRpressor。河北蒸發(fā)器設(shè)備溫度在35℃~89℃時(shí),材質(zhì)選擇2507雙相不銹鋼溫度在89℃以上時(shí),材質(zhì)選擇254SMo、鈦材;

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    MVR蒸發(fā)系統(tǒng)的組成

           由加熱器、分離器、壓縮機(jī)、真空泵、循環(huán)泵、操作平臺(tái)、電氣儀表控制柜及閥門、管路系統(tǒng)等組成自動(dòng)化系統(tǒng)。

           MVR蒸發(fā)系統(tǒng)的主要特點(diǎn):

           1、MVR節(jié)能蒸發(fā)器技術(shù)是目前國際為科學(xué)的蒸發(fā)器技術(shù),*需要少量生蒸汽( 開機(jī)啟動(dòng)時(shí)需要少量一次蒸汽,正常運(yùn)行中幾乎不再需要一次蒸汽),大地降低企業(yè)運(yùn)行成本,減少環(huán)境污染。

           2、由于采用壓縮機(jī)提供熱源和傳統(tǒng)蒸發(fā)器相比,溫度差小得多,能夠達(dá)到溫和蒸發(fā),大地提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低結(jié)垢。

           3、無需冷凝器或只需小面積的冷凝器,結(jié)構(gòu)與流程簡單,全自動(dòng)操作,可連續(xù)運(yùn)行,安全可靠。

           4、設(shè)備內(nèi)配CIP清洗管路,可實(shí)現(xiàn)就地清洗,整套設(shè)備操作方便,無死角,自動(dòng)化程度高,運(yùn)行平穩(wěn)。

           5、該蒸發(fā)器是由物料在低溫(蒸發(fā)溫度50℃-95℃)、且不易產(chǎn)生泡沫的狀態(tài)下進(jìn)行蒸發(fā),料液均勻,不跑料,不易結(jié)焦,物料加熱變性小。

           6、雖然初期投資額度較高,但大部分項(xiàng)目投資回報(bào)率一般在1.5年至2年,多不超過三年。

           7、蒸發(fā)一噸水耗電為23-70kw/h。


    三效蒸發(fā)器三種常見的故障情況


    2、冷凝水帶堿:冷凝水帶堿,不但污染水質(zhì),使冷凝器的應(yīng)用受到限制,同時(shí)還將浪費(fèi)大量燒堿。冷凝水帶堿的原因主要有兩個(gè),一是液面過高,堿沫隨二次蒸汽進(jìn)人次一效加熱室,這種帶堿的二次蒸汽冷凝后就會(huì)造成冷凝水帶堿;另一原因是加熱室內(nèi)鋼管裂損,造成冷凝水帶堿。冷凝水要經(jīng)常用酚酞試劑檢查帶堿情況,發(fā)現(xiàn)帶堿后應(yīng)仔細(xì)尋找原因。對(duì)于這個(gè)原因,操作上應(yīng)注意控制液面,同時(shí)盡可能在蒸發(fā)室頂部和二次蒸汽管中加裝捕液器;對(duì)于這個(gè)個(gè)原因,應(yīng)將裂損的鋼管封閉或調(diào)換。


      3、蒸發(fā)效率低:蒸發(fā)效率低的原因很多,主要是加熱室積垢過厚,減少了傳熱系數(shù),或由于三效蒸發(fā)器泄漏,真空度下降,或由于新鮮蒸汽供應(yīng)不正常,抑或由于冷凝器冷凝水溫太高等造成。總之,應(yīng)該對(duì)具體情況進(jìn)行具體分析,才能改善蒸發(fā)效率低的現(xiàn)象。



    多效蒸發(fā)器的設(shè)備壽命長,能夠降低設(shè)備更換和維護(hù)的頻率。

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    蒸發(fā)器的工作原理


    二 、立管式蒸發(fā)器


      立管式和螺旋管式蒸發(fā)器的共同點(diǎn)是制冷劑在管內(nèi)蒸發(fā),整個(gè)蒸發(fā)器管組沉浸在盛滿載冷劑的箱體內(nèi)(或池、槽內(nèi)),為了保證載冷劑在箱內(nèi)以一定速度循環(huán),箱內(nèi)焊有縱向隔板和裝有螺旋攪拌器。載冷劑流速一般為0.3~0.7m/s,以增強(qiáng)傳熱。


      這兩種蒸發(fā)器只能用于開式循環(huán)系統(tǒng),故載冷劑必須是非揮發(fā)性物質(zhì),常用的是鹽水和水等。如用鹽水,蒸發(fā)器管子易被氧化,且鹽水易吸潮而使?jié)舛冉档?。這兩種蒸發(fā)器可以直接觀察載冷劑的流動(dòng)情況,用于以氨為制冷劑的鹽水制冷系統(tǒng)。


      三、冷卻排管


      冷卻排管是用來冷卻空氣的一種蒸發(fā)器。應(yīng)用于低溫冷藏庫中,制冷劑在冷卻排管內(nèi)流動(dòng)并蒸發(fā),管外作為傳熱介質(zhì)的被冷卻空氣作自然對(duì)流。


      冷卻排管比較大的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單,便于制作,對(duì)庫房內(nèi)貯存的非包裝食品造成的干耗較少。但排管的傳熱系數(shù)較低,且融霜時(shí)操作困難,不利于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。對(duì)于氨直接冷卻系統(tǒng)用無縫鋼管焊制,采用光管或繞制翅片管;對(duì)于氟利昂系統(tǒng),大都采用繞片或套片式銅管翅片管組。


    MVR蒸發(fā)器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理,操作維護(hù)方便,降低了運(yùn)行成本。遼寧氮?dú)庹舭l(fā)器

    蒸發(fā)器的維護(hù)保養(yǎng)應(yīng)注意細(xì)節(jié),每一個(gè)小問題都可能影響其整體性能。湖北薄膜蒸發(fā)器

    了解多效蒸發(fā)器的蒸發(fā)流程


    7、加熱過程結(jié)束的判斷條件  結(jié)束加熱過程的條件包括三個(gè)方面。溫度條件為:真空罐內(nèi)溫度達(dá)到125-130℃;大容量、高電壓變壓器器身溫度在120℃以上,鐵芯溫度在118℃以上;一般110kV級(jí)的變壓器器身溫度在115℃,鐵芯在113℃以上。已出水量占應(yīng)出水量的百分之九十五以上(應(yīng)出水量按絕緣材料總質(zhì)量和絕緣含水量估算),而且出水速率已在連續(xù)幾小時(shí)內(nèi)都小。時(shí)間條件為:加熱時(shí)間已占總的處理時(shí)間(包括高真空階段)的百分之六十左右。


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