在本發(fā)明實施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號input_p，功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號input_n。功率放大單元可以對輸入的差分信號input_p以及第二差分信號input_n分別進行放大處理，功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過放大的差分信號，功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過放大的第二差分信號。差分信號input_p以及第二差分信號input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定，且差分信號input_p的放大倍數(shù)和對第二差分信號input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實施中，差分信號input_p以及第二差分信號input_n可以是對輸入至射頻功率放大器...

具體地，第二pmos管mp01的源極通過電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接，第三nmos管mn19的源極接地，第三pmos管mp02的源極接電源電壓，第三nmos管mn19的柵極與漏極連接，第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點a，第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點b，連接點a與第二連接點b連接,第二連接點b通過電...

通過可控衰減電路中的電阻吸收和衰減射頻功率，使得進入后續(xù)電路的射頻功率減小，輸入信號衰減，從而實現(xiàn)負(fù)增益。在一個可能的示例中，可控衰減電路包括電阻r1、第二電阻r2、電感l(wèi)1和開關(guān)t1，開關(guān)的柵級與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號，開關(guān)的漏級與第二電阻的端連接，開關(guān)的源級接地，電感的端連接輸入信號，電感的第二端連接第二電阻的第二端；其中，開關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的控制信號使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以使可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第二控制信號使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益...

令rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計算電阻的電阻值。計算電阻r0的電阻值已知，本申請對于計算電阻r0的電阻值的設(shè)置不作限定，計算電阻r0用于計算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請實施例提供的射頻功率放大器檢測電路的連接示意圖。請參閱圖2，以四個射頻功率放大器并聯(lián)為例，計算電阻201的一端與電源電壓vdd相連，計算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連，射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連，計算電...

P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685A***129431/3219/22145/215A***10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28468/668AP30152920/23280/NA3AP3015P2915/18340/390AP3015M2917/18210/170AP5估計大部分國內(nèi)的讀者沒有用過RFIC的芯片，筆者也只是看到一些國外的產(chǎn)品在用。沒有Datasheet，也沒有BriefIntroduction，只能從官網(wǎng)上了解到部分?jǐn)?shù)據(jù)，其中EPM2428是**...

nmos管mn11的漏極連接電容c11，nmos管mn12的漏極連接電容c12。nmos管mn11的漏極和nmos管mn12的漏極為第二主體電路中激勵放大器的輸出端。變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵放大器柵放大器的柵極通過電阻接第二偏置電壓。如圖3所示，變壓器t0副邊的中端通過電阻r01接偏置電壓vbcs_da，第二變壓器t03副邊的中端通過電阻r06接偏置電壓vbcs_da，偏置電壓vbcs_da用于為nmos管mn01、nmos管nm02、nmos管mn09、nmos管mn10提供偏置電壓。nm...

第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3，第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3，給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖2相比較而言，圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過增加第三電感l(wèi)3，可以進一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中，輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實施...

第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3，第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3，給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖2相比較而言，圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過增加第三電感l(wèi)3，可以進一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中，輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實施...

顯然，所描述的實施例是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。本申請實施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。本申請實施例的移動終端可以為手機、平板電腦、筆記本電腦等設(shè)備。以下分別進行詳細(xì)說明。需說明的是，以下實施例的描述順序不作為對實施例推薦順序的限定。一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值，計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所...

nmos管mn14和nmos管mn16構(gòu)成一個共源共柵放大器。在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的第二輸出端。如圖3所示，nmos管mn05的柵極通過電阻r03連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn06的柵極通過電阻r04連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa；nmos管mn13的柵極通過電阻r08連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn14的柵極通過電阻r09連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa。如圖3所示，nmos管mn07的柵極通過電阻r05連接...

包括但不限于全球移動通訊系統(tǒng)(gsm，globalsystemofmobilecommunication)、通用分組無線服務(wù)(gprs，generalpacketradioservice)、碼分多址(cdma，codedivisionmultipleaccess)、寬帶碼分多址(wcdma，widebandcodedivisionmultipleaccess)、長期演進(lte，longtermevolution)、電子郵件、短消息服務(wù)(sms，shortmessagingservice)等。存儲器402可用于存儲軟件程序以及模塊，處理器408通過運行存儲在存儲器402的軟件程序以及模...

目前微波射頻領(lǐng)域雖然備受關(guān)注，但是由于技術(shù)水平較高，壁壘過大，因此這個領(lǐng)域的公司相比較電力電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域并不算很多，但多數(shù)都具有較強的科研實力和市場運作能力。GaN微波射頻器件的商業(yè)化供應(yīng)發(fā)展迅速。據(jù)材料深一度對Mouser數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析顯示，截至2018年4月，共有4家廠商推出了150個品類的GaNHEMT，占整個射頻晶體管供應(yīng)品類的，較1月增長了。Qorvo產(chǎn)品工作頻率范圍大，Skyworks產(chǎn)品工作頻率較小。Qorvo、CREE、MACOM73%的產(chǎn)品輸出功率集中在10W～100W之間，大功率達(dá)到1500W（工作頻率在，由Qorvo生產(chǎn)），采用的技術(shù)主要是GaN/SiCGaN路線。此...

用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換，電路結(jié)構(gòu)簡單，能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發(fā)明實施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b為本發(fā)明實施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意...

在這些年的WiFi產(chǎn)品開發(fā)中，接觸了多種型號的射頻功率放大器（以下簡稱PA），本文對WiFi產(chǎn)品中常用的射頻功率放大器做個匯總，供讀者參考。本文中部分器件型號是FrontendModule，即包含內(nèi)PA，LNA，Switch，按不同廠牌對PA進行介紹，按照廠牌字母順序進行排列。ANADIGICSANADIGICS成立于1985年，率先開創(chuàng)制造高容量、低成本、高性能的砷化鎵集成電路(GaAsICs)。ANADIGICS是世界的通信產(chǎn)品供應(yīng)商。ANADIGICS為不斷發(fā)展的無線寬帶與無線通信市場，設(shè)計、制造射頻集成電路（RFIC）解決方案。公司創(chuàng)新的高頻率RFIC，能使通信設(shè)備制造商提高整...

第六電容的第二端連接第二開關(guān)的端，第二開關(guān)的第二端連接第五電阻的端，第五電阻的第二端連接第五電容的端，第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端；其中，第二開關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以降低反饋深度，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)第八控制信號使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以增加反饋深度，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式。需要說明的是，假設(shè)射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時的放大系數(shù)為a，反饋電路的反饋系數(shù)為f，則加入反饋電路后射頻功率放大器電路100的放大系數(shù)af＝a/(1+af)，隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低，反饋系數(shù)f...

能夠快速設(shè)置各個射頻功率放大器。本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值；計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值；比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值；所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器；所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。可選的，在本申請的一些實施例中，所述預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值，包括：所述配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值；所述射頻功率放大器設(shè)置匹配電阻；所述關(guān)閉狀態(tài)的電阻值為...

以便能保證它工作在一個線性工作區(qū)，要具有足夠的電壓范圍以便隨著整個輸入信號幅度的變化在不被剪裁或壓縮的情況下復(fù)制它。A類放大器的優(yōu)點：A類設(shè)計相比其他類設(shè)計要簡單，輸出部分可以有一個器件。當(dāng)器件通過偏置設(shè)置工作在其傳輸特性的線性部分時，放大器可以非常精確地以更多功率再現(xiàn)輸入信號，在輸入信號功率增加1dB時，輸出功率也增加1dB，因此是線性放大器。當(dāng)工作在線性區(qū)時，產(chǎn)生的其他頻率分量的能量很小，也就是諧波很小。因為器件通過偏置電壓設(shè)置一直處于工作狀態(tài)，不會被關(guān)閉，所以沒有“開啟”時間。可以忠實地再現(xiàn)連續(xù)波和脈沖式的連續(xù)波信號。A類放大器的缺點：因為靜態(tài)工作電流大約是大輸出電流的一半，所以...

這個范圍叫做“放大區(qū)”，集電極電流近似等于基極電流的N倍。雙極性晶體管是一種較為復(fù)雜的非線性器件，如果偏置電壓分配不當(dāng)，將使其輸出信號失真，即使工作在特定范圍，其電流放大倍數(shù)也受到包括溫度在內(nèi)的因素影響。雙極性晶體管的大集電極耗散功率是器件在一定溫度與散熱條件下能正常工作的大功率，如果實際功率大于這一數(shù)值，晶體管的溫度將超出大許可值，使器件性能下降，甚至造成物理損壞。可通過高達(dá)28伏電源供電工作，工作頻率可達(dá)幾個GHz。為了防止由于熱擊穿導(dǎo)致的突發(fā)性故障，晶體管的偏置電壓必須要仔細(xì)設(shè)計，因為熱擊穿一旦被觸發(fā)，整個晶體管都將被立即毀壞。因此，采用這種晶體管技術(shù)的放大器必須具有保護電路以防...

功率放大電路105，用于放大級間匹配電路輸出的信號；輸出匹配電路106，用于使射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。其中，射頻功率放大器電路應(yīng)用于終端中，可以根據(jù)終端與基站的距離選取對應(yīng)的模式。當(dāng)終端與基站的距離較近時，路徑損耗較小，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較小，射頻功率放大器電路此時處于負(fù)增益模式下，輸入信號進行一定程度的衰減，可得到輸出功率較小的輸出信號；當(dāng)終端與基站的距離較遠(yuǎn)時，路徑損耗較大，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較大，射頻功率放大器電路此時處于非負(fù)增益模式下，對輸入信號進行一定程度的放大，可得到輸出功率較大的輸出信號。在一個...

將從2019年開始為GaN器件帶來巨大的市場機遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術(shù)的關(guān)鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經(jīng)成為未來宏基站功率放大器的候選技術(shù)。由于LDMOS無法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應(yīng)用的優(yōu)方案，預(yù)計未來大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件。5G網(wǎng)絡(luò)采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中扮演很重要的角色。不...

較小的線圈自感和較大的寄生電容會額外影響變壓器的輸入輸出阻抗，需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來調(diào)節(jié)阻抗，進而產(chǎn)生額外的阻抗變換)，這會影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位，也會降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實施例中，增加輔次級線圈，可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計，能夠進一步提高射頻功率放大器的...

微處理器通過控制vgg＝，使得開關(guān)導(dǎo)通，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，此時，一部分射頻傳導(dǎo)功率進入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導(dǎo)功率進入可控衰減電路之后的電路，輸入信號衰減，射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負(fù)增益模式。當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時，電感用于匹配寄生電容，以減少對后級電路的影響，開關(guān)可等效為寄生電容coff，不需要考慮電阻，可控衰減電路等效為圖8(a)；當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時，開關(guān)等效為寄生電阻ron，也不需要考慮電阻，可控衰減電路等效為圖8(b)，因為第二電阻和寄生電阻ron都很小，因此流入可控衰減電路的電流較大，該電路路消耗的功率較多，對輸入信號的衰減作用也較強。其中，為了實現(xiàn)大程度的衰減，...

當(dāng)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式時，可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，需要減少對射頻功率傳導(dǎo)的影響，在應(yīng)用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當(dāng)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式時，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，一部分射頻傳導(dǎo)能量進入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導(dǎo)能量進入功率放大器進行放大(在加強了負(fù)反饋的電路基礎(chǔ)上，再放大衰減后的射頻信號)。本申請實施例中的可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時，整個電路的衰減程度可達(dá)到-10db左右?？梢岳斫鉃?，比原來從rfin端進入電路的輸入信號，已經(jīng)衰減了10db。從整體電路的增益特性看，若原來的已經(jīng)加強負(fù)反饋的放大器的增益是0db，那么現(xiàn)在功率...

用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換，電路結(jié)構(gòu)簡單，能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發(fā)明實施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b為本發(fā)明實施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b為本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意...

70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應(yīng)管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場效應(yīng)晶體管（VMOSFET）的溝道長度是由外延層的厚度來控制的，因此適合于MOS器件的短溝道化，從而提高器件的高頻性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF頻段，也就是30MHz到3GHz。封裝好的VMOS器件能夠在UHF頻段提供高達(dá)1kW的功率，在VHF頻段提供幾百瓦的功率，可由12V,28V或50V電源供電，有些VMOS器件可以100V以上的供電電壓工作。橫向擴散MOS（LDMO...

單位為分貝)，再根據(jù)鏈路預(yù)算lb確定終端的發(fā)射功率(transmittingpower，pt)(單位為分貝瓦或者分貝毫瓦)。終端在與基站通信后，確定天線的發(fā)射功率pt，根據(jù)天線的發(fā)射功率pt和天線的增益確定射頻功率放大器電路的輸出功率，根據(jù)射頻功率放大器電路的輸出功率確定射頻功率放大器電路的輸入功率和增益，通過微控制器對射頻功率放大器電路的輸入功率進行調(diào)節(jié)，并根據(jù)增益確定射頻功率放大器電路中的模式控制信號，使其終的輸出功率滿足要求。其中，路徑損耗pl的計算參見公式(1)：pl＝20log10(f)+20log10(d)–c(1)；其中，f為信號頻率，單位為mhz；d為基站和終端之間的距...

第七電感l(wèi)7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實施中，射頻功率放大器還可以包括驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的輸入端可以接收輸入信號，驅(qū)動電路的輸出端可以輸出差分信號input_p，驅(qū)動電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號input_n。驅(qū)動電路可以起到將輸入信號進行差分的操作，并對輸入信號進行驅(qū)動，提高輸入信號的驅(qū)動能力。參照圖7，給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。在圖7中，增加了驅(qū)動電路?？梢岳斫獾氖?，在圖1～圖6中，也可以通過驅(qū)動電路來對輸入信號進行差分處理，得到差分信號input_p以及第二差分信號input_n。在具體實施中，匹配濾波電路還可以包括功率合成變壓器對應(yīng)...

通過可控衰減電路中的電阻吸收和衰減射頻功率，使得進入后續(xù)電路的射頻功率減小，輸入信號衰減，從而實現(xiàn)負(fù)增益。在一個可能的示例中，可控衰減電路包括電阻r1、第二電阻r2、電感l(wèi)1和開關(guān)t1，開關(guān)的柵級與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號，開關(guān)的漏級與第二電阻的端連接，開關(guān)的源級接地，電感的端連接輸入信號，電感的第二端連接第二電阻的第二端；其中，開關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的控制信號使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以使可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第二控制信號使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益...

nmos管mn11的漏極連接電容c11，nmos管mn12的漏極連接電容c12。nmos管mn11的漏極和nmos管mn12的漏極為第二主體電路中激勵放大器的輸出端。變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵放大器柵放大器的柵極通過電阻接第二偏置電壓。如圖3所示，變壓器t0副邊的中端通過電阻r01接偏置電壓vbcs_da，第二變壓器t03副邊的中端通過電阻r06接偏置電壓vbcs_da，偏置電壓vbcs_da用于為nmos管mn01、nmos管nm02、nmos管mn09、nmos管mn10提供偏置電壓。nm...

能夠快速設(shè)置各個射頻功率放大器。本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值；計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值；比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值；所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器；所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成?？蛇x的，在本申請的一些實施例中，所述預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值，包括：所述配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值；所述射頻功率放大器設(shè)置匹配電阻；所述關(guān)閉狀態(tài)的電阻值為...