第二端接地?？蛇x的，所述子濾波電路包括：電容；所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接，第二端接地。可選的，所述子濾波電路還包括：電感；所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述第二子濾波電路包括：第二電容；所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第二子濾波電路還包括：第二電感；所述第二電感串聯(lián)在所述第二電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述輸入端匹配濾波電路還包括：寄生電容；所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間?？蛇x的，所述輸出端匹配濾波電路包括第三子濾波電路；所述第三子濾波電路的端與所述輔次級(jí)線圈的第二端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第三子濾波電路包括：第三電容；所述第三電容的端與所述輔次級(jí)線圈的第二端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第三子濾波電路還包括：第三電感；所述第三電感串聯(lián)在所述第三電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述輸出端匹配濾波電路還包括第四子濾波電路；所述第四子匹配濾波電路的端與所述主次級(jí)線圈的第二端耦接。功率放大器有GAN,LDMOS初期主要面向移動(dòng)電話基站、雷達(dá)，應(yīng)用于 無(wú)線電廣播傳輸器以及微波雷達(dá)與導(dǎo)航系統(tǒng)。陜西短波射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖。具體實(shí)施方式對(duì)于窄帶物聯(lián)網(wǎng)(narrowbandinternetofthings，nb-iot)的終端(userequipment，ue)來(lái)說(shuō)，射頻前端系統(tǒng)中的射頻功率放大器電路一般要求發(fā)射功率可調(diào)，當(dāng)射頻功率放大器電路之前射頻收發(fā)器的輸出動(dòng)態(tài)范圍有限時(shí)，就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應(yīng)用場(chǎng)景中，對(duì)射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出，其動(dòng)態(tài)范圍要達(dá)到35～40db，并出現(xiàn)負(fù)增益的需求模式。例如，在窄帶物聯(lián)網(wǎng)通信對(duì)象之間距離近(nb-iot的終端距離基站很近)的情況下會(huì)出現(xiàn)負(fù)增益的需求。在應(yīng)用中，一方面在射頻功率放大器的電路設(shè)計(jì)中，可以降低功率增益，在不過(guò)度影響原有電路匹配的前提下，通過(guò)增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)級(jí)晶體管的負(fù)反饋；另一方面，可以在輸入匹配電路中插入可控衰減電路的設(shè)計(jì)，這樣對(duì)功率放大器的性能影響較小，降低增益的效果明顯。下面介紹一種射頻功率放大器電路，是在高增益模式的電路基礎(chǔ)上，一般通過(guò)增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)級(jí)的負(fù)反饋來(lái)降低增益。圖1a為相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖，圖1b為圖1a的電路結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖1a和圖1b，方案。遼寧V段射頻功率放大器批發(fā)射頻功率放大器地用于多種有線和無(wú)線應(yīng)用中，包括 CATV，ISM，WLL，PCS，GSM，CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。
橫坐標(biāo)為輸出功率pout，曲線41對(duì)應(yīng)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供給共柵放大器的柵極偏置電壓，曲線42對(duì)應(yīng)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供給共源放大器的柵極偏置電壓。圖5示例性地示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器對(duì)應(yīng)的imd3(thirdorderintermodulation，三階互調(diào))曲線圖51，以及現(xiàn)有的射頻功率放大器對(duì)應(yīng)的imd3曲線圖52，根據(jù)曲線51和曲線52，可以看出本申請(qǐng)實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的imd3得到了提高(增幅為△imd3)，橫坐標(biāo)為輸出功率pout。顯然，上述實(shí)施例是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本申請(qǐng)創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
因?yàn)闁砰L(zhǎng)l固定，因此可以通過(guò)設(shè)計(jì)柵寬w得到寄生電阻大小為ron的mos管。寄生電容coff＝fom/ron，fom為半導(dǎo)體工藝商提供的參數(shù)，單位為fs(飛秒)，在寄生電阻ron確定后，可確定寄生電容coff的大小，如此，即可確定可控衰減電路中開關(guān)的相關(guān)參數(shù)。在一個(gè)可能的示例中，可控衰減電路包括電阻、備用電阻rn、電感、開關(guān)和備用開關(guān)tn，開關(guān)的柵級(jí)與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號(hào)，開關(guān)的漏級(jí)與備用開關(guān)的源級(jí)連接，開關(guān)的源級(jí)接地，備用開關(guān)的柵級(jí)連接備用電阻的端，備用電阻的第二端連接電壓信號(hào)，備用開關(guān)的漏級(jí)連接電感的端，電感的第二端連接輸入信號(hào)；其中，開關(guān)和備用開關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以使可控衰減電路處于無(wú)衰減狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第二控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式；其中，控制信號(hào)為具有電壓值的電壓信號(hào)，第二控制信號(hào)為具有第二電壓值的電壓信號(hào)，電壓值與第二電壓值不同。其中，為進(jìn)一步提高耐壓能力和靜電保護(hù)能力，可采用如圖9所示的可控衰減電路，將第二電阻替換成備用開關(guān)和備用電阻。阻抗匹配，關(guān)系到功率放大器的穩(wěn)定性、增益；輸出功率、帶內(nèi)平坦度、噪聲、諧波、駐波、線性等一系列指標(biāo) 。
溫度每升高10°C將會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部功率器件的平均無(wú)故障工作時(shí)間（MTBF）縮短。AB類放大器在討論AB類放大器之前，讓我們簡(jiǎn)單地說(shuō)一說(shuō)B類放大器。B類放大器的晶體管偏置使得器件在輸入信號(hào)的半個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通，在另半個(gè)周期截止，為了復(fù)現(xiàn)整個(gè)周期的信號(hào)，可采用雙管B類推挽電路，如圖所示。B類放大器的偏置設(shè)置使得當(dāng)在沒(méi)有輸入信號(hào)的情況下器件的輸出電流為零，每個(gè)器件只在特定的信號(hào)半周期內(nèi)工作，因此，B類放大器具有高的效率，理論上可以達(dá)到。但由于兩個(gè)管子交替著開啟關(guān)閉引起的交越失真使得線性度不好。這種交越失真的存在使它不適合商用電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用。AB類放大器也是EMC領(lǐng)域常用的功率放大器，其工作原理圖如圖5所示。圖5：AB類放大器的工作原理圖AB類放大器試圖使得工作效率與B類放大器接近，而線性度與A類放大器接近。通過(guò)調(diào)整對(duì)偏置電壓的設(shè)置，使得AB類放大器中的每個(gè)管子都可以像B類放大器一樣分別在輸入信號(hào)的半個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通，但在兩個(gè)半周期中每個(gè)管子都會(huì)有同時(shí)導(dǎo)通的一個(gè)很小的區(qū)域，這就避免了兩個(gè)管子同時(shí)關(guān)閉的區(qū)間，結(jié)果是，當(dāng)來(lái)自兩個(gè)器件的波形進(jìn)行組合時(shí)，交叉區(qū)域?qū)е碌慕辉绞д姹粶p少或完全消除。通過(guò)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的精確設(shè)置。乙類工作狀態(tài)：功率放大器在信號(hào)周期內(nèi)只有半個(gè)周期存在工作電流，即導(dǎo) 通角0為180度.云南線性射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
GaN作為功率放大器中具有優(yōu)良材料 的寬帶隙半導(dǎo)體材料之一被譽(yù)為第5代半導(dǎo)體在微電應(yīng)用領(lǐng)域存 在的應(yīng)用.陜西短波射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等，可通過(guò)改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護(hù)電路而增強(qiáng)客戶的設(shè)計(jì)能力。Microsemi公司所服務(wù)的主要市場(chǎng)包括植入式醫(yī)療機(jī)構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動(dòng)通信等應(yīng)用領(lǐng)域。Microsemi在發(fā)展過(guò)程中收購(gòu)了多家公司，包括熟知的Actel，Zarlink，Vitesee。Microsemi的WiFiPA產(chǎn)品線型號(hào)較多，也多次出現(xiàn)在Atheros早期的參考設(shè)計(jì)中，近期的參考設(shè)計(jì)就很少出現(xiàn)了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果沒(méi)記錯(cuò)的話，LX5511+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96低功率版本參考設(shè)計(jì)中。陜西短波射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
能訊通信科技（深圳）有限公司位于南頭街道馬家龍社區(qū)南山大道3186號(hào)明江大廈C501。公司業(yè)務(wù)分為射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機(jī)，無(wú)人機(jī)干擾功放等，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn)，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念，在電子元器件深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點(diǎn)，發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì)，打造電子元器件良好品牌。在社會(huì)各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。