第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3，第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3，給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖2相比較而言，圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過增加第三電感l(wèi)3，可以進一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中，輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實施例中，第四子濾波電路的端可以與主次級線圈121的第二端耦接，第四子濾波電路的第二端可以與射頻功率放大器的輸出端output耦接。第四子濾波電路可以為lc匹配濾波電路，lc匹配濾波電路可以為兩階匹配濾波電路，也可以為多階匹配濾波電路。當lc匹配濾波電路為兩階匹配濾波電路時，其可以包括一個串聯(lián)電感以及一個到地電容；當lc匹配濾波電路為多階匹配濾波電路時，其可以包括兩個串聯(lián)電感或更多串聯(lián)電感和一個到地電容或更多個到地電容。在所有微波發(fā)射系統(tǒng)中，都需要功率放大器將信號放大到足夠的功 率電平，以實現(xiàn)信號的發(fā)射。天津超寬帶射頻功率放大器系列
Avago開發(fā)出豐富的產(chǎn)品和受知識產(chǎn)權(quán)保護的產(chǎn)品組合，這些成就使Avago能夠在所服務(wù)的市場中脫穎而出，并占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位。在WiFi產(chǎn)品設(shè)計中，Avago的PA市場份額相對較少。PartNumberFrequency(GHz)BiasConditionGainPSAT(dBm)MGA-220035V@500mA3532MGA-252035V@425mA3030顯而易見，MGA-22003適用于，MGA25203適用于5GHz頻段。筆者在幾年前曾經(jīng)使用AtherosAR9280+MGA25203設(shè)計過一款5GHz中等功率無線網(wǎng)卡，測試發(fā)現(xiàn)MGA25203的性能還是相當不錯的，正如其Datasheet中所描述的一樣。EPICOMEPICOM是由企業(yè)及創(chuàng)司集資，結(jié)合研發(fā)團隊，致力于設(shè)計、開發(fā)、整合無線通訊射頻前端組件與模塊，協(xié)助系統(tǒng)廠商獲得競爭力的無線射頻前端解決方案。EPICOM為無自有晶圓廠的無線通訊集成電路與射頻前端模塊設(shè)計公司(FablessIC&RFFront-endModuleDesignHouse)。EPICOM已順利取得SGS核發(fā)的ISO9001：2000生產(chǎn)管理、銷售與研發(fā)設(shè)計認證。PartNumberFrequencyGainOutputPowerEPA2414A–253%EVMatPout=+18dBmEPA2018A–333%EVMatPout=+26dBmPA53053%EVMatPout=+14dBm本文*給出EPICOM的**高規(guī)格WiFiPAEPA2018A的性能指標，如下圖。HittiteHittiteMicrowave面向技術(shù)要求嚴苛的射頻。江西短波射頻功率放大器研發(fā)微波固態(tài)功率放大器的工作狀態(tài)主要由功率、效率、失真及被放大信號的性 質(zhì)等要求來確定。
在這些年的WiFi產(chǎn)品開發(fā)中，接觸了多種型號的射頻功率放大器（以下簡稱PA），本文對WiFi產(chǎn)品中常用的射頻功率放大器做個匯總，供讀者參考。本文中部分器件型號是FrontendModule，即包含內(nèi)PA，LNA，Switch，按不同廠牌對PA進行介紹，按照廠牌字母順序進行排列。ANADIGICSANADIGICS成立于1985年，率先開創(chuàng)制造高容量、低成本、高性能的砷化鎵集成電路(GaAsICs)。ANADIGICS是世界的通信產(chǎn)品供應(yīng)商。ANADIGICS為不斷發(fā)展的無線寬帶與無線通信市場，設(shè)計、制造射頻集成電路（RFIC）解決方案。公司創(chuàng)新的高頻率RFIC，能使通信設(shè)備制造商提高整體系統(tǒng)性能、減少產(chǎn)品的體積及重量、提高電源效率、提高穩(wěn)定性、并降造成本及制程時間。PartNumberFrequencySupply(V)GainP1dBEVM@54MbpsAWL6951b/g:–b/g:32b/g:27g:a:–a:29a:a:AWL9224–3–3227b:meetsACPR@+23dBmg:AWL9555–+2926-33dB@Pout=+19dBm-36dB@Pout=+5dBmAWL6153–3–528313%@Pout=+25dBmAWL6950–3–b/g:3225g:–a:33a:本文*給出ANADIGICS的**高規(guī)格WiFiPAAWL6153的性能指標，如下圖。Avago這是一家從Agilent（現(xiàn)拆分為Agilent+Keysight）中分離出來的半導(dǎo)體公司，擁有50年的技術(shù)創(chuàng)新傳統(tǒng)。多年來。
RFMDWiFiPA產(chǎn)品線型號非常多，幾乎可以滿足所有WiFi產(chǎn)品的射頻需求。P/NMinFreqMaxFreqGainPOUTEVM(%)Vcc(V)TxIcc(mA)RFRFRFRF018120RFRFRFRF018120RFRF02810355RFRFRFRF03018395RFRF0345800RF02851000RF03051450RF018120RFPA0265545RFPA0255670RFPA0335470RFPA5201E875RFPASTA-5063Z352STA-6033(Z)83165SZA-2044(Z)300SZA-3044(Z)45340SZA-5044(Z)15330SZA-6044(Z)5165SZM-2066Z583SZM-2166Z76878SZM-3066Z65730SZM-3166Z7900SZM-5066Z55800RFPA55124900MHz5850MHz33dB11ac-?23dBm11n–25dBm11ac––3%5VRFPA0RFPA55225180MHz5925MHz33dB23dBm-35dB5V285mARFPA033RFPA5542B在這些產(chǎn)品中，**令筆者震撼的就是RFPA5201E，其性能好到?jīng)]朋友。筆者此前開發(fā)一款10W（11nHT20MCS7）超大功率放大器時，曾經(jīng)選用了RFMDRFPA5201E作為驅(qū)動級。RFPA5201E測試數(shù)據(jù)與Datasheet中描述完全一致，如下圖。當然，RFPA5201E的功耗也是不容小覷的，達到了可怕的1000mA，這可能也是很多廠商望而卻步的原因。Richwave立積電子(RichwaveTechnologyCorp.)成立于2004年，是專業(yè)的IC設(shè)計公司。公司的主要技術(shù)在開發(fā)與設(shè)計世界前列的無線射頻(RF)集成電路，公司的主要目標是在無線射頻。乙類工作狀態(tài)：功率放大器在信號周期內(nèi)只有半個周期存在工作電流，即導(dǎo) 通角0為180度.
射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值相同，則表示射頻功率放大器配置完成。相應(yīng)的，本發(fā)明實施例還提供一種移動終端，如圖4所示，該移動終端可以包括射頻(rf，radiofrequency)電路401、包括有一個或一個以上計算機可讀存儲介質(zhì)的存儲器402、輸入單元403、顯示單元404、傳感器405、音頻電路406、無線保真(wifi，wirelessfidelity)模塊407、包括有一個或者一個以上處理的處理器408、以及電源409等部件。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，圖4中示出的移動終端結(jié)構(gòu)并不構(gòu)成對移動終端的限定，可以包括比圖示更多或更少的部件，或者組合某些部件，或者不同的部件布置。其中：rf電路401可用于收發(fā)信息或通話過程中，信號的接收和發(fā)送，特別地，將基站的下行信息接收后，交由一個或者一個以上處理器408處理；另外，將涉及上行的數(shù)據(jù)發(fā)送給基站。通常，rf電路401包括但不限于天線、至少一個放大器、調(diào)諧器、一個或多個振蕩器、用戶身份模塊(sim，subscriberidentitymodule)卡、收發(fā)信機、耦合器、低噪聲放大器(lna，lownoiseamplifier)、雙工器等。此外，rf電路401還可以通過無線通信與網(wǎng)絡(luò)和其他設(shè)備通信。所述無線通信可以使用任一通信標準或協(xié)議。功放中使用電感器一般有直線電感、折線電感、單環(huán)電感和螺旋電感等。在射頻／微波 IC中一般用方形螺旋電感。上海U段射頻功率放大器技術(shù)
功率放大器一般可分為A、AB、B、c、D、E、F類。天津超寬帶射頻功率放大器系列
將從2019年開始為GaN器件帶來巨大的市場機遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術(shù)的關(guān)鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經(jīng)成為未來宏基站功率放大器的候選技術(shù)。由于LDMOS無法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應(yīng)用的優(yōu)方案，預(yù)計未來大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件。5G網(wǎng)絡(luò)采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中扮演很重要的角色。不過，由于小基站不需要如此高的功率，GaAs等現(xiàn)有技術(shù)仍有其優(yōu)勢。與此同時，由于更高的頻率降低了每個基站的覆蓋率，因此需要應(yīng)用更多的晶體管，預(yù)計市場出貨量增長速度將加快。預(yù)計到2025年GaN將主導(dǎo)RF功率器件市場，搶占基于硅LDMOS技術(shù)的基站PA市場。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2014年基站RF功率器件市場規(guī)模為11億美元，其中GaN占比11%，而橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)（LDMOS）占比88%。2017年，GaN市場份額預(yù)估增長到了25%，并且預(yù)計將繼續(xù)保持增長。預(yù)計到2025年GaN將主導(dǎo)RF功率器件市場。天津超寬帶射頻功率放大器系列
能訊通信科技（深圳）有限公司致力于電子元器件，以科技創(chuàng)新實現(xiàn)***管理的追求。公司自創(chuàng)立以來，投身于射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機，無人機干擾功放，是電子元器件的主力軍。能訊通信始終以本分踏實的精神和必勝的信念，影響并帶動團隊取得成功。能訊通信始終關(guān)注電子元器件行業(yè)。滿足市場需求，提高產(chǎn)品價值，是我們前行的力量。