湖南EMC射頻功率放大器系列

    來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-01-19

        這個(gè)范圍叫做“放大區(qū)”,集電極電流近似等于基極電流的N倍。雙極性晶體管是一種較為復(fù)雜的非線性器件,如果偏置電壓分配不當(dāng),將使其輸出信號(hào)失真,即使工作在特定范圍,其電流放大倍數(shù)也受到包括溫度在內(nèi)的因素影響。雙極性晶體管的大集電極耗散功率是器件在一定溫度與散熱條件下能正常工作的大功率,如果實(shí)際功率大于這一數(shù)值,晶體管的溫度將超出大許可值,使器件性能下降,甚至造成物理?yè)p壞??赏ㄟ^(guò)高達(dá)28伏電源供電工作,工作頻率可達(dá)幾個(gè)GHz。為了防止由于熱擊穿導(dǎo)致的突發(fā)性故障,晶體管的偏置電壓必須要仔細(xì)設(shè)計(jì),因?yàn)闊釗舸┮坏┍挥|發(fā),整個(gè)晶體管都將被立即毀壞。因此,采用這種晶體管技術(shù)的放大器必須具有保護(hù)電路以防止這種熱擊穿情況發(fā)生。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管屬于單極性晶體管,它的工作方式涉及單一種類載流子的漂移作用。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管依照其溝道極性的不同,可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型,通常被稱為N型金氧半場(chǎng)效晶體管(NMOSFET)與P型金氧半場(chǎng)效晶體管(PMOSFET),沒(méi)有BJT的一些致命缺點(diǎn),如熱破壞(thermalrunaway)。為了適合大功率運(yùn)行。功率放大器線性化技術(shù)一一功率回退、前饋、反饋、預(yù)失真,出于射頻 預(yù)失真結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于集成和實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)。湖南EMC射頻功率放大器系列

        pmos管的漏極通過(guò)電阻接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端,第二輸出端用于為功率放大器柵放大器的柵極提供偏置電壓??蛇x的,射頻輸入端和射頻輸出端之間設(shè)置有兩個(gè)主體電路,每個(gè)主體電路包括激勵(lì)放大器和功率放大器,激勵(lì)放大器和功率放大器通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)連接;主體電路中的激勵(lì)放大器與變壓器的副邊連接,第二主體電路中的激勵(lì)放大器與第二變壓器的副邊連接,變壓器的原邊與第二變壓器的原邊連接,變壓器的原邊連接射頻輸入端,第二變壓器的原邊接地;變壓器原邊與第二變壓器原邊的公共端連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸入端;主體電路中的功率放大器與第三變壓器的原邊連接,第二主體電路中的功率放大器與第四變壓器的原邊連接,第三變壓器的副邊與第四變壓器的副邊連接,第三變壓器的副邊連接射頻輸出端,第四變壓器的副邊接地。可選的,每個(gè)主體電路中的激勵(lì)放大器包括2個(gè)共源共柵放大器;在主體電路,激勵(lì)放大器源放大器的柵極與變壓器的副邊連接,激勵(lì)放大器柵放大器的漏極通過(guò)電容與功率放大器的輸入端連接;在第二主體電路,激勵(lì)放大器源放大器的柵極與第二變壓器的副邊連接,激勵(lì)放大器柵放大器的漏極通過(guò)電容與功率放大器的輸入端連接??蛇x的。陜西射頻功率放大器研發(fā)由于功率放大器的源和負(fù)載都是50歐姆,輸入匹配電路和輸出匹配 電路主要是對(duì)一端是50歐姆。

        將射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與預(yù)設(shè)的配置狀態(tài)電阻值作比較,可以得知此時(shí)射頻功率放大器是否已完成配置。104、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等,開(kāi)啟所述射頻功率放大器。例如,射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值,此時(shí)射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值不相同,則表示此射頻功率放大器還沒(méi)有開(kāi)啟,移動(dòng)終端開(kāi)啟此射頻功率放大器。其中,射頻功率放大器的開(kāi)啟與關(guān)閉由處理器控制。105、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等,所述射頻功率放大器配置完成。例如,射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值,此時(shí)射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值相同,則表示射頻功率放大器配置完成。為了更好地實(shí)施以上方法,本申請(qǐng)實(shí)施例還可以提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)裝置,該裝置具體可以集成在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,該網(wǎng)絡(luò)設(shè)備可以是移動(dòng)終端等設(shè)備。例如,如圖3所示,該裝置可以包括預(yù)設(shè)單元301、計(jì)算單元302、比較單元303,如下:(1)預(yù)設(shè)單元301預(yù)設(shè)單元301,用于預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如。

        第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接??蛇x的,所述第四子濾波電路為lc匹配濾波電路。可選的,所述lc匹配濾波電路包括:第四電容以及第四電感,其中:所述第四電感,端與所述主次級(jí)線圈的第二端耦接,第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接;所述第四電容,端與所述第四電感的第二端耦接,第二端接地??蛇x的,所述lc匹配電路還包括:第五電感以及第六電感,其中:所述第五電感,串聯(lián)在所述第四電容的第二端與地之間;所述第六電感,串聯(lián)在所述第四電容的端與所述射頻功率放大器的輸出端之間??蛇x的,所述lc匹配電路還包括:第五電容、第七電感以及第八電感,其中:所述第五電容,端與所述第六電感的第二端耦接,第二端與所述第七電感的端耦接;所述第七電感,第二端接地;所述第八電感,端與所述第五電容的端耦接,第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接可選的,所述射頻功率放大器還包括:驅(qū)動(dòng)電路;所述驅(qū)動(dòng)電路的輸入端接收輸入信號(hào),所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端輸出所述差分信號(hào),所述驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端輸出所述第二差分信號(hào)。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種通信設(shè)備,包括上述任一種所述的射頻功率放大器。與現(xiàn)有技術(shù)相比。微波固態(tài)功率放大器的電路設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能合理簡(jiǎn)化。

        輸出則是方波信號(hào),產(chǎn)生的諧波較大,屬于非線性功率放大器,適合放大恒定包絡(luò)的信號(hào),輸入信號(hào)通常是脈沖串類的信號(hào)。C類放大器的優(yōu)點(diǎn)與A類放大器相比,功率效率提高。與A類放大器相比,可以低價(jià)獲得射頻功率。風(fēng)冷即可,他們使用的冷卻器比A類更輕。C類放大器的缺點(diǎn)脈沖射頻信號(hào)放大。窄帶放大器。通過(guò)以上介紹可以看出,作為射頻微波功率放大器采用的半導(dǎo)體材料,有許多種類,每種都有其各自的特點(diǎn)和適用的功率和頻率范圍,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,使得更高頻率和更高功率的功放的實(shí)現(xiàn)成為可能并且越來(lái)越容易實(shí)現(xiàn)。作為EMC領(lǐng)域的常用的射頻微波功率放大器的幾個(gè)類別,每種也都有其各自的優(yōu)缺點(diǎn)和適用的場(chǎng)合。在實(shí)際的EMC抗擾度測(cè)試中,我們需要根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行合理的選擇。,分別是TESEQ,MILMEGA和IFI,如圖7所示。既有固態(tài)類功放,也有適合于高頻大功率應(yīng)用的TWT功放。圖7:AMETEK旗下?lián)碛腥齻€(gè)品牌的功放產(chǎn)品作為這些不同頻段不同功率的固態(tài)類射頻微波功放產(chǎn)品,采用了以上所述的不同類型的半導(dǎo)體材料制成的晶體管,具有A類,AB類以及C類不同種功率放大器。這些功放的內(nèi)部都由若干個(gè)部分組成,主要包括:輸入驅(qū)動(dòng)模塊,信號(hào)分離模塊,功率放大器模塊。輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它 的增益平坦度并不一定滿足技術(shù)指標(biāo)的要求。湖南EMC射頻功率放大器系列

    微波功率放大器工作處于非線性狀態(tài)放大過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生的諧波分量,輸入、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)除起到阻抗變換作用外。湖南EMC射頻功率放大器系列

        并對(duì)漏級(jí)供電電壓vcc進(jìn)行控制,從而使偏置電路中漏級(jí)電流、柵級(jí)電壓變大,使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):在信號(hào)的輸入端設(shè)計(jì)可變衰減電路,在實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路負(fù)增益的同時(shí),對(duì)非負(fù)增益模式下該電路性能的影響很小,并且加強(qiáng)了對(duì)輸入端口的靜電保護(hù),電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,占用芯片面積小,能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種增益控制方法,應(yīng)用于上述實(shí)施例中的的射頻功率放大器電路,包括:終端中的微控制器通過(guò)通信模組接收到控制信息后,確定射頻功率放大器電路的工作模式,并通過(guò)發(fā)送模式控制信號(hào)控制射頻功率放大器電路進(jìn)入工作模式;可控衰減電路,根據(jù)終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號(hào),實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換;輸入匹配電路,使可控衰減電路和驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配;驅(qū)動(dòng)放大電路,放大輸入匹配電路輸出的信號(hào);反饋電路,調(diào)節(jié)射頻功率放大器電路的增益;級(jí)間匹配電路,使驅(qū)動(dòng)放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配;功率放大電路,放大級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào);輸出匹配電路,使射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。其中。湖南EMC射頻功率放大器系列

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