能夠快速設(shè)置各個射頻功率放大器。本申請實(shí)施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值；計(jì)算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值；比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值；所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器；所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成?？蛇x的，在本申請的一些實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值，包括：所述配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值；所述射頻功率放大器設(shè)置匹配電阻；所述關(guān)閉狀態(tài)的電阻值為所述射頻功率放大器的電阻值；所述開啟狀態(tài)的電阻值為所述匹配電阻的電阻值?？蛇x的，在本申請的一些實(shí)施例中，所述計(jì)算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，包括：rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；其中，rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計(jì)算電阻的電阻值?？蛇x的，在本申請的一些實(shí)施例中，所述匹配電阻包括：不同的射頻功率放大器設(shè)置不同的匹配電阻。噪聲系數(shù)是指輸入端信噪比與放大器輸出端信噪比的比值，單位常用“dB'’。遼寧射頻功率放大器5w
功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸出端rfout。自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸入端連接射頻輸入端rfin，自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器。其中，自適應(yīng)動態(tài)偏置電路至少由若干nmos管、若干pmos管、若干電容和電阻組成?？蛇x的，自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸入端通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸入端。自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極。通過自適應(yīng)動態(tài)偏置電路動態(tài)調(diào)整功率放大器源共柵放大器的柵極偏置電壓，提高了射頻功率放大器的線性度。圖2示出了本申請一實(shí)施例提供的自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的電路原理圖。如圖2所示，在自適應(yīng)動態(tài)偏置電路中，nmos管mn17的柵極為自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸入端rfin_h。nmos管mn17的漏極連接pmos管mp04的源極。nmos管mn17的漏極和pmos管mp04之間hia連接有并聯(lián)的電容c17和電阻r12。nmos管mn17的漏極接電源電壓vdd，pmos管mp04的源極接電源電壓vdd。nmos管mn17的源極接地，pmos管mp04的漏極通過并聯(lián)的電容c18和電阻r16接地。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極連接。第二nmos管mn18的源極接地。具體地，第二nmos管mn18的源極通過電阻r14接地。第二pmos管mp01的源極接電源電壓vdd。遼寧射頻功率放大器5w阻抗匹配，關(guān)系到功率放大器的穩(wěn)定性、增益；輸出功率、帶內(nèi)平坦度、噪聲、諧波、駐波、線性等一系列指標(biāo) 。
Avago開發(fā)出豐富的產(chǎn)品和受知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)的產(chǎn)品組合，這些成就使Avago能夠在所服務(wù)的市場中脫穎而出，并占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位。在WiFi產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，Avago的PA市場份額相對較少。PartNumberFrequency(GHz)BiasConditionGainPSAT(dBm)MGA-220035V@500mA3532MGA-252035V@425mA3030顯而易見，MGA-22003適用于，MGA25203適用于5GHz頻段。筆者在幾年前曾經(jīng)使用AtherosAR9280+MGA25203設(shè)計(jì)過一款5GHz中等功率無線網(wǎng)卡，測試發(fā)現(xiàn)MGA25203的性能還是相當(dāng)不錯的，正如其Datasheet中所描述的一樣。EPICOMEPICOM是由企業(yè)及創(chuàng)司集資，結(jié)合研發(fā)團(tuán)隊(duì)，致力于設(shè)計(jì)、開發(fā)、整合無線通訊射頻前端組件與模塊，協(xié)助系統(tǒng)廠商獲得競爭力的無線射頻前端解決方案。EPICOM為無自有晶圓廠的無線通訊集成電路與射頻前端模塊設(shè)計(jì)公司(FablessIC&RFFront-endModuleDesignHouse)。EPICOM已順利取得SGS核發(fā)的ISO9001：2000生產(chǎn)管理、銷售與研發(fā)設(shè)計(jì)認(rèn)證。PartNumberFrequencyGainOutputPowerEPA2414A–253%EVMatPout=+18dBmEPA2018A–333%EVMatPout=+26dBmPA53053%EVMatPout=+14dBm本文*給出EPICOM的**高規(guī)格WiFiPAEPA2018A的性能指標(biāo)，如下圖。HittiteHittiteMicrowave面向技術(shù)要求嚴(yán)苛的射頻。
1.射頻微波功率放大器及其應(yīng)用放大器是用來以更大的功率、更大的電流，更大的電壓再現(xiàn)信號的部件。在信號處理過程中不可或缺的放大器，既可以做成用在助聽器里的微晶片，也可以做成像多層建筑那么大以便向水下潛艇或外層空間傳輸無線電信號。功率放大器可以被認(rèn)為是將直流（DC）輸入轉(zhuǎn)換成射頻和微波能量的電路。不是在電磁兼容領(lǐng)域需要在射頻和微波頻率上產(chǎn)生足夠的功率，在無線通信、雷達(dá)和雷達(dá)干擾，醫(yī)療功率發(fā)射機(jī)和高能成像系統(tǒng)等領(lǐng)域都需要，每種應(yīng)用領(lǐng)域都有它對頻率、帶寬、負(fù)載、功率、效率和成本的獨(dú)特要求。射頻和微波功率可以利用不同的技術(shù)和不同的器件來產(chǎn)生。本文著重介紹在EMC應(yīng)用中普遍使用的固態(tài)射頻功率放大器技術(shù)，這種固態(tài)放大器的頻率可以達(dá)到6GHz甚至更高，采用了A類，AB類、B類或C類放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。2.射頻微波功率晶體管概述隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，可用于RF功率放大器的器件和種類越來越多。各種封裝器件被普遍采用，圖1顯示了一個典型的蓋子被移除的晶體管。這是一個大功率為60W的采用了GaAsFET的平衡微波晶體管，適合推挽式的AB類放大器使用。射頻功率放大器的主要技術(shù)指標(biāo)是輸出功率與效率如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設(shè)計(jì)目標(biāo)的。
令rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計(jì)算電阻的電阻值。計(jì)算電阻r0的電阻值已知，本申請對于計(jì)算電阻r0的電阻值的設(shè)置不作限定，計(jì)算電阻r0用于計(jì)算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請實(shí)施例提供的射頻功率放大器檢測電路的連接示意圖。請參閱圖2，以四個射頻功率放大器并聯(lián)為例，計(jì)算電阻201的一端與電源電壓vdd相連，計(jì)算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連，射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連，計(jì)算電阻201與射頻功率放大器的連接之間設(shè)置處理器202。其中，在本申請實(shí)施例中，射頻功率放大器211、212、213和214的電阻值分別設(shè)為r1、r2、r3和r4，射頻功率放大器211、212、213和214各自的匹配電阻的電阻值分別為r11、r22、r33和r44。在移動終端進(jìn)行頻段切換前，設(shè)所有射頻功率放大器的初始狀態(tài)都是關(guān)閉的，即此時射頻功率放大器的電阻值分別為r1、r2、r3和r4。當(dāng)移動終端進(jìn)行頻段切換時，需要開啟射頻功率放大器211，則預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)為射頻功率放大器211開啟，射頻功率放大器212、213和214保持關(guān)閉。輸出匹配電路主要應(yīng)具備損耗低，諧波抑制度高，改善駐波比，提高輸出功 率及改善非線性等功能。福建短波射頻功率放大器值得推薦
交調(diào)失真有不同頻率的兩個或更多的輸入信號經(jīng)過功率放大器而產(chǎn)生的 混合分量由于功率放大器的非線性造成的。遼寧射頻功率放大器5w
以對輸入至功率合成變壓器的信號進(jìn)行對應(yīng)的匹配濾波處理。在具體實(shí)施中，子濾波電路可以包括電容c1，電容c1的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸入端耦接，第二端可以接地。在本發(fā)明實(shí)施例中，為提高諧波濾波性能，子濾波電路還可以包括電感l(wèi)1，電感l(wèi)1可以設(shè)置電容c1的第二端與地之間。參照圖2，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的另一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖2中，子濾波電路包括電感l(wèi)1以及電容c1，電感l(wèi)1串聯(lián)在電容c1的第二端與地之間。在具體實(shí)施中，第二子濾波電路可以包括第二電容c2，第二電容c2的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸入端耦接，第二端可以接地。在本發(fā)明實(shí)施例中，為提高諧波濾波性能，第二子濾波電路還可以包括第二電感l(wèi)2，第二電感l(wèi)2可以設(shè)置第二電容c2的第二端與地之間。繼續(xù)參照圖2，第二子濾波電路包括第二電感l(wèi)2以及第二電容c2，第二電感l(wèi)2串聯(lián)在第二電容c2的第二端與地之間。在具體實(shí)施中，串聯(lián)電感的到地電容和該電感的諧振頻率可以在功率放大單元的二次諧波頻率附近。也就是說，當(dāng)子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1時，電容c1與電感l(wèi)1的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。相應(yīng)地。遼寧射頻功率放大器5w
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