陜西寬帶射頻功率放大器檢測(cè)技術(shù)

    來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-29

        則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配,zin=r0-jx0;加入可控衰減電路后,在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中,為保證有效的功率衰減,r2一般控制得較小,故對(duì)r0影響可以忽略。sw1關(guān)斷時(shí),r2和sw1所在的支路可以等效成寄生電抗xc,此時(shí),可控衰減電路和輸入匹配電路的等效阻抗zeq=(r0+jx0)//jxc+jxl,其中,“//”表示并聯(lián),zeq的實(shí)部小于r0,為了使等效阻抗與輸入阻抗盡可能的匹配,減少影響,需要zeq的虛部im(zeq)=x0,在r0、x0和xc的數(shù)值已知的情況下,根據(jù)等效阻抗zeq的表達(dá)式可以計(jì)算出xl,進(jìn)而得到電感l(wèi)1的電感值,其中,由于電感l(wèi)1被集成在硅基芯片上,所以電感l(wèi)的品質(zhì)因數(shù)q值一般不大于5。為了進(jìn)一步提高電路實(shí)用性,并提高射頻耐壓和靜電保護(hù)能力,本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步形式是將并聯(lián)支路的r換成sw2(如圖4所示),通過控制sw1和sw2的柵極的寬長(zhǎng)比控制導(dǎo)通的寄生電阻和關(guān)斷的寄生電容以及esd能力。換句話說,在做設(shè)計(jì)時(shí)控制sw1和sw2的柵極的寬長(zhǎng)比w/l,可以獲得期望的ron,其中:開關(guān)導(dǎo)通的電阻:ron=1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth)),其中,*表示乘號(hào),μ是指電子遷移率,cox是指單位面積的柵氧化層電容,w/l是指cmos器件有效溝道長(zhǎng)度的寬長(zhǎng)比。寬帶功率放大器應(yīng)用GaN基器件符合高功率輸出、高效率、高線性度、高工作頻 率的固態(tài)微波功率放大器的要求。陜西寬帶射頻功率放大器檢測(cè)技術(shù)

        第二端接地。可選的,所述子濾波電路包括:電容;所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接,第二端接地。可選的,所述子濾波電路還包括:電感;所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間。可選的,所述第二子濾波電路包括:第二電容;所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接,第二端接地??蛇x的,所述第二子濾波電路還包括:第二電感;所述第二電感串聯(lián)在所述第二電容的第二端與地之間??蛇x的,所述輸入端匹配濾波電路還包括:寄生電容;所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間。可選的,所述輸出端匹配濾波電路包括第三子濾波電路;所述第三子濾波電路的端與所述輔次級(jí)線圈的第二端耦接,第二端接地??蛇x的,所述第三子濾波電路包括:第三電容;所述第三電容的端與所述輔次級(jí)線圈的第二端耦接,第二端接地??蛇x的,所述第三子濾波電路還包括:第三電感;所述第三電感串聯(lián)在所述第三電容的第二端與地之間。可選的,所述輸出端匹配濾波電路還包括第四子濾波電路;所述第四子匹配濾波電路的端與所述主次級(jí)線圈的第二端耦接。山東寬帶射頻功率放大器設(shè)計(jì)效率:功率放大器的效率除了取決于晶體管的工作狀態(tài)、電路結(jié)構(gòu)、負(fù)載 等因素外,還與輸出匹配電路密切相關(guān)。

        vgs是指柵源電壓,vth是指閾值電壓。開關(guān)關(guān)斷的寄生電容:coff=fom/ron。其中fom為半導(dǎo)體工藝商提供的開關(guān)ron與coff乘積,單位為fs(飛秒)。另,w/l較大,發(fā)生esd時(shí)有利于能提供直接的低阻抗電流泄放通道。用兩個(gè)sw疊加,相對(duì)單sw,能在esd大電流下保護(hù)sw的mos管不被損壞。當(dāng)可控衰減電路的sw使用了疊管設(shè)計(jì),兩個(gè)開關(guān)sw1和sw2的控制邏輯是一樣的:(1)非負(fù)增益模式下,sw1和sw2同時(shí)關(guān)斷;(2)負(fù)增益模式下,sw1和sw2同時(shí)打開。本申請(qǐng)實(shí)施例中的sw1和sw2在應(yīng)用中可以采用絕緣體上硅(silicononinsulator,soi)cmos管,也可以是bulkcmos管(平面結(jié)構(gòu)mos管)。下面提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結(jié)構(gòu),如圖5a所示,圖5a中l(wèi)2、c1和r2構(gòu)成驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路之前的輸入匹配電路,可以將輸入端口的阻抗匹配到適合射頻功率放大器電路的輸入阻抗位置,這是由于驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路需要某種特定阻抗范圍,輸出功率才能實(shí)現(xiàn)所需的效率,增益等性能。可控衰減電路的并聯(lián)到地支路的sw1和r1,在它們之前的電感l(wèi)1用于對(duì)并聯(lián)到地支路的寄生電容的匹配補(bǔ)償。在高增益模式下,這種射頻功率放大器電路輸入的匹配結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔,輸入端口匹配良好,因此輸入端的回波損耗好。

        將射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與預(yù)設(shè)的配置狀態(tài)電阻值作比較,可以得知此時(shí)射頻功率放大器是否已完成配置。104、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等,開啟所述射頻功率放大器。例如,射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值,此時(shí)射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值不相同,則表示此射頻功率放大器還沒有開啟,移動(dòng)終端開啟此射頻功率放大器。其中,射頻功率放大器的開啟與關(guān)閉由處理器控制。105、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等,所述射頻功率放大器配置完成。例如,射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值,此時(shí)射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值相同,則表示射頻功率放大器配置完成。為了更好地實(shí)施以上方法,本申請(qǐng)實(shí)施例還可以提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)裝置,該裝置具體可以集成在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,該網(wǎng)絡(luò)設(shè)備可以是移動(dòng)終端等設(shè)備。例如,如圖3所示,該裝置可以包括預(yù)設(shè)單元301、計(jì)算單元302、比較單元303,如下:(1)預(yù)設(shè)單元301預(yù)設(shè)單元301,用于預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如。功率放大器一般可分為A、AB、B、c、D、E、F類。

        是為了便于描述本申請(qǐng)和簡(jiǎn)化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。此外,術(shù)語“”、“第二”、“第三”用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本申請(qǐng)的描述中,需要說明的是,除非另有明確的規(guī)定和限定,術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或一體地連接;可以是機(jī)械連接,也可以是電氣連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,還可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通,可以是無線連接,也可以是有線連接。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以具體情況理解上述術(shù)語在本申請(qǐng)中的具體含義。此外,下面所描述的本申請(qǐng)不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成就可以相互結(jié)合。請(qǐng)參考圖1,其示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖。該高線性射頻功率放大器包括功率放大器、激勵(lì)放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路。自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級(jí)調(diào)節(jié)功率放大器的輸出柵極偏置電壓。功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵(lì)放大器連接射頻輸入端rfin。輸入/輸出駐波表示放大器輸入端阻抗和輸出端阻抗與系統(tǒng)要求阻抗(50Q)的 匹配程度。重慶短波射頻功率放大器技術(shù)

    甲類工作狀態(tài):功放大器在信號(hào)周期內(nèi)始終存在工作電流,即導(dǎo)通角0為360度。陜西寬帶射頻功率放大器檢測(cè)技術(shù)

        第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接??蛇x的,所述第四子濾波電路為lc匹配濾波電路??蛇x的,所述lc匹配濾波電路包括:第四電容以及第四電感,其中:所述第四電感,端與所述主次級(jí)線圈的第二端耦接,第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接;所述第四電容,端與所述第四電感的第二端耦接,第二端接地??蛇x的,所述lc匹配電路還包括:第五電感以及第六電感,其中:所述第五電感,串聯(lián)在所述第四電容的第二端與地之間;所述第六電感,串聯(lián)在所述第四電容的端與所述射頻功率放大器的輸出端之間??蛇x的,所述lc匹配電路還包括:第五電容、第七電感以及第八電感,其中:所述第五電容,端與所述第六電感的第二端耦接,第二端與所述第七電感的端耦接;所述第七電感,第二端接地;所述第八電感,端與所述第五電容的端耦接,第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接可選的,所述射頻功率放大器還包括:驅(qū)動(dòng)電路;所述驅(qū)動(dòng)電路的輸入端接收輸入信號(hào),所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端輸出所述差分信號(hào),所述驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端輸出所述第二差分信號(hào)。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種通信設(shè)備,包括上述任一種所述的射頻功率放大器。與現(xiàn)有技術(shù)相比。陜西寬帶射頻功率放大器檢測(cè)技術(shù)

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