Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等，可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護(hù)電路而增強(qiáng)客戶的設(shè)計(jì)能力。Microsemi公司所服務(wù)的主要市場(chǎng)包括植入式醫(yī)療機(jī)構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動(dòng)通信等應(yīng)用領(lǐng)域。Microsemi在發(fā)展過程中收購(gòu)了多家公司，包括熟知的Actel，Zarlink，Vitesee。Microsemi的WiFiPA產(chǎn)品線型號(hào)較多，也多次出現(xiàn)在Atheros早期的參考設(shè)計(jì)中，近期的參考設(shè)計(jì)就很少出現(xiàn)了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果沒記錯(cuò)的話，LX5511+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96低功率版本參考設(shè)計(jì)中。發(fā)射機(jī)的前級(jí)電路中調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號(hào)功率很小，必須必采用高增益大功率射頻功率放大器。上海高頻射頻功率放大器檢測(cè)技術(shù)
本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設(shè)備。背景技術(shù)：在無(wú)線通信中，用戶設(shè)備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動(dòng)通信(lte)中，用戶設(shè)備需要支持40多個(gè)工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier，pa)的性能會(huì)隨著工作頻率變化，難以實(shí)現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb，663mhz～915mhz)，中頻段(mb，1710mhz～2025mhz)，高頻段(hb，2300mhz～2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個(gè)pa，每個(gè)功率放大器支持一個(gè)頻段，需要三個(gè)寬帶pa。尤其是lb的相對(duì)頻率帶寬，pa很難在整個(gè)頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)高線性和高效率，在設(shè)計(jì)的過程中會(huì)存在線性度和效率和折中處理，同時(shí)頻段內(nèi)的不同頻點(diǎn)的性能也不同。無(wú)線通信對(duì)發(fā)射頻譜的雜散有嚴(yán)格的要求。當(dāng)pa后連接的濾波器對(duì)諧波抑制較少因此要求pa的輸出諧波也較低。pa的匹配路同時(shí)要具有濾波性能。部分高集成的射頻前端芯片(如2g前端模組，nbiot前端模組)，要求pa的匹配濾波電路同時(shí)具有很高的諧波抑制性能，因此不需要再在pa后增加濾波器。設(shè)計(jì)一種寬帶功率放大器，在功率頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)一致且良好的性能，成為寬帶pa的設(shè)計(jì)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。山東高頻射頻功率放大器聯(lián)系電話丙類狀態(tài)：在信號(hào)周期內(nèi)存在工作電流的時(shí)間不到半個(gè)周期即導(dǎo)通角0 小于18度，丙類功放的優(yōu)點(diǎn)是效率非常高。
控制信號(hào)vgg通過電阻與開關(guān)連接，同時(shí)通過備用電阻與備用開關(guān)連接。備用電阻的參數(shù)與電阻的參數(shù)相同，二者都是作為上拉電阻給開關(guān)供電。備用開關(guān)的參數(shù)與開關(guān)的參數(shù)相同，開關(guān)和備用開關(guān)的寄生電阻皆為單開關(guān)的寄生電阻值ron的一半，因此雙開關(guān)的整體寄生電阻值與單開關(guān)的寄生電阻值相同。開關(guān)和備用開關(guān)的控制邏輯相同：非負(fù)增益模式下，開關(guān)和備用開關(guān)同時(shí)關(guān)斷；負(fù)增益模式下，開關(guān)和備用開關(guān)同時(shí)打開，不需要考慮電阻r1和備用電阻rn。其中，開關(guān)和備用開關(guān)均為n型mos管，其具體的類型可以是絕緣體上硅mos管，也可以是平面結(jié)構(gòu)mos管?？梢?，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，因?yàn)槭褂昧睡B管設(shè)計(jì)，將開關(guān)和備用開關(guān)疊加，使得mos管的耐壓能力和靜電釋放能力提升，相對(duì)于單mos管，能在大電流下更好的保護(hù)開關(guān)和備用開關(guān)，使其不被損壞。在一個(gè)可能的示例中，輸入匹配電路101包括第三電阻r3、電容c1和第二電感l(wèi)2，第二電感的端連接第二電阻的第二端，第二電感的第二端連接電容的端，電容的第二端連接第三電阻的端。在圖9中，假設(shè)輸入端的輸入阻抗zin＝r0-jx0，可控衰減電路的等效阻抗為z20＝r20+jx20，輸入匹配電路的等效阻抗為z30＝r30+jx30，為了實(shí)現(xiàn)z20和zin的共軛匹配。
因?yàn)闁砰L(zhǎng)l固定，因此可以通過設(shè)計(jì)柵寬w得到寄生電阻大小為ron的mos管。寄生電容coff＝fom/ron，fom為半導(dǎo)體工藝商提供的參數(shù)，單位為fs(飛秒)，在寄生電阻ron確定后，可確定寄生電容coff的大小，如此，即可確定可控衰減電路中開關(guān)的相關(guān)參數(shù)。在一個(gè)可能的示例中，可控衰減電路包括電阻、備用電阻rn、電感、開關(guān)和備用開關(guān)tn，開關(guān)的柵級(jí)與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號(hào)，開關(guān)的漏級(jí)與備用開關(guān)的源級(jí)連接，開關(guān)的源級(jí)接地，備用開關(guān)的柵級(jí)連接備用電阻的端，備用電阻的第二端連接電壓信號(hào)，備用開關(guān)的漏級(jí)連接電感的端，電感的第二端連接輸入信號(hào)；其中，開關(guān)和備用開關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以使可控衰減電路處于無(wú)衰減狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第二控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式；其中，控制信號(hào)為具有電壓值的電壓信號(hào)，第二控制信號(hào)為具有第二電壓值的電壓信號(hào)，電壓值與第二電壓值不同。其中，為進(jìn)一步提高耐壓能力和靜電保護(hù)能力，可采用如圖9所示的可控衰減電路，將第二電阻替換成備用開關(guān)和備用電阻。對(duì)整個(gè)放大器進(jìn)行特性分析如果特性不滿足預(yù)定要求，具 體電路則用多級(jí)阻抗變換，短截線等微帶線電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。
射頻前端集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術(shù)：射頻功率放大器的主要參數(shù)是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實(shí)地放大信號(hào)的參數(shù)。諸如lte和，要求射頻前端模塊具有極高的線性度，射頻功率放大器作為一個(gè)發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的線性度起著至關(guān)重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成，但是難以嚴(yán)格地滿足線性度需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為了解決相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N高線性射頻功率放大器。技術(shù)方案如下：一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種高線性射頻功率放大器，包括功率放大器、激勵(lì)放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路，自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級(jí)調(diào)節(jié)功率放大器的柵極偏置電壓；功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵(lì)放大器連接射頻輸入端，功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸出端；自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸入端連接射頻輸入端，自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器；其中，自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路至少由若干個(gè)nmos、若干個(gè)pmos管、若干個(gè)電容和電阻組成。可選的。射頻功率放大器地用于多種有線和無(wú)線應(yīng)用中，包括 CATV，ISM，WLL，PCS，GSM，CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。浙江V段射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
GaN作為功率放大器中具有優(yōu)良材料 的寬帶隙半導(dǎo)體材料之一被譽(yù)為第5代半導(dǎo)體在微電應(yīng)用領(lǐng)域存 在的應(yīng)用.上海高頻射頻功率放大器檢測(cè)技術(shù)
計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。本方案在當(dāng)移動(dòng)終端切換射頻頻段啟動(dòng)射頻功率放大器時(shí)，能夠通過對(duì)射頻功率放大器的狀態(tài)檢測(cè)，快速設(shè)置各個(gè)射頻功率放大器從而提升射頻的頻段切換的速度。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法的流程示意圖；圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種射頻功率放大器檢測(cè)電路的連接示意圖；圖3是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。上海高頻射頻功率放大器檢測(cè)技術(shù)
能訊通信科技（深圳）有限公司致力于電子元器件，是一家生產(chǎn)型的公司。公司自成立以來(lái)，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié)，公司旗下射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機(jī)，無(wú)人機(jī)干擾功放深受客戶的喜愛。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù)，還有一批**的專業(yè)化的隊(duì)伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。在社會(huì)各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。