將從2019年開(kāi)始為GaN器件帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實(shí)現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術(shù)的關(guān)鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場(chǎng)效晶體管）已經(jīng)成為未來(lái)宏基站功率放大器的候選技術(shù)。由于LDMOS無(wú)法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應(yīng)用的優(yōu)方案，預(yù)計(jì)未來(lái)大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件。5G網(wǎng)絡(luò)采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中扮演很重要的角色。不過(guò)，由于小基站不需要如此高的功率，GaAs等現(xiàn)有技術(shù)仍有其優(yōu)勢(shì)。與此同時(shí)，由于更高的頻率降低了每個(gè)基站的覆蓋率，因此需要應(yīng)用更多的晶體管，預(yù)計(jì)市場(chǎng)出貨量增長(zhǎng)速度將加快。預(yù)計(jì)到2025年GaN將主導(dǎo)RF功率器件市場(chǎng)，搶占基于硅LDMOS技術(shù)的基站PA市場(chǎng)。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2014年基站RF功率器件市場(chǎng)規(guī)模為11億美元，其中GaN占比11%，而橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)（LDMOS）占比88%。2017年，GaN市場(chǎng)份額預(yù)估增長(zhǎng)到了25%，并且預(yù)計(jì)將繼續(xù)保持增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)到2025年GaN將主導(dǎo)RF功率器件市場(chǎng)。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。廣西現(xiàn)代化射頻功率放大器制定
gate)電壓偏置電路由內(nèi)部電壓源vg、r8、r9和c13按照?qǐng)D7所示連接而成。r8、r9和c13組成的t型網(wǎng)絡(luò)，起到隔離t3柵極較弱射頻電壓擺幅的作用。在實(shí)際模擬電路中設(shè)計(jì)電壓源，可將vg電壓分成多個(gè)檔位，通過(guò)數(shù)字寄存器(屬于微控制器)控制切換vg檔位，達(dá)到t3柵極電壓切換的效果。其中，t4和t5組成的疊管結(jié)構(gòu)，與t2和t3組成的疊管結(jié)構(gòu)，是一樣的。t2和t3和器件尺寸一樣，t4和t5和器件尺寸一樣。t2(t3)：t4(t5)的器件尺寸之比是2:5的關(guān)系。比如：t2和t3的mos管的溝道寬度為2mm左右，t4和t5的mos管的溝道寬度為5mm。則在非負(fù)增益模式下：vcc＝，t2的偏置電流ib＝12ma左右，t4的偏置電流ib＝45ma左右，t3管和t5管的vg＝。在負(fù)增益模式下：vcc＝，t2的偏置電流ib＝2ma左右；t4的偏置電流ib＝6ma左右；t3管和t5管的vg＝。在本申請(qǐng)文件實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路中，為了說(shuō)明輸入匹配的可控衰減電路設(shè)計(jì)，對(duì)級(jí)間匹配電路進(jìn)行了簡(jiǎn)化處理，實(shí)際的級(jí)間匹配電路是一個(gè)較為復(fù)雜的lccl網(wǎng)絡(luò)。級(jí)間匹配電路中的c7的電容數(shù)值較大，c7使r6在射頻頻率上并聯(lián)接地。需要注意的是，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，匹配這個(gè)概念針對(duì)的是射頻信號(hào)，c7表示射頻的短路，可在射頻等效電路中省去。此外。陜西定制開(kāi)發(fā)射頻功率放大器報(bào)價(jià)GaN作為功率放大器中具有優(yōu)良材料 的寬帶隙半導(dǎo)體材料之一被譽(yù)為第5代半導(dǎo)體在微電應(yīng)用領(lǐng)域存 在的應(yīng)用.
本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設(shè)備。背景技術(shù)：在無(wú)線通信中，用戶(hù)設(shè)備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動(dòng)通信(lte)中，用戶(hù)設(shè)備需要支持40多個(gè)工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier，pa)的性能會(huì)隨著工作頻率變化，難以實(shí)現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb，663mhz～915mhz)，中頻段(mb，1710mhz～2025mhz)，高頻段(hb，2300mhz～2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個(gè)pa，每個(gè)功率放大器支持一個(gè)頻段，需要三個(gè)寬帶pa。尤其是lb的相對(duì)頻率帶寬，pa很難在整個(gè)頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)高線性和高效率，在設(shè)計(jì)的過(guò)程中會(huì)存在線性度和效率和折中處理，同時(shí)頻段內(nèi)的不同頻點(diǎn)的性能也不同。無(wú)線通信對(duì)發(fā)射頻譜的雜散有嚴(yán)格的要求。當(dāng)pa后連接的濾波器對(duì)諧波抑制較少因此要求pa的輸出諧波也較低。pa的匹配路同時(shí)要具有濾波性能。部分高集成的射頻前端芯片(如2g前端模組，nbiot前端模組)，要求pa的匹配濾波電路同時(shí)具有很高的諧波抑制性能，因此不需要再在pa后增加濾波器。設(shè)計(jì)一種寬帶功率放大器，在功率頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)一致且良好的性能，成為寬帶pa的設(shè)計(jì)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。
圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖。具體實(shí)施方式對(duì)于窄帶物聯(lián)網(wǎng)(narrowbandinternetofthings，nb-iot)的終端(userequipment，ue)來(lái)說(shuō)，射頻前端系統(tǒng)中的射頻功率放大器電路一般要求發(fā)射功率可調(diào)，當(dāng)射頻功率放大器電路之前射頻收發(fā)器的輸出動(dòng)態(tài)范圍有限時(shí)，就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應(yīng)用場(chǎng)景中，對(duì)射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出，其動(dòng)態(tài)范圍要達(dá)到35～40db，并出現(xiàn)負(fù)增益的需求模式。例如，在窄帶物聯(lián)網(wǎng)通信對(duì)象之間距離近(nb-iot的終端距離基站很近)的情況下會(huì)出現(xiàn)負(fù)增益的需求。在應(yīng)用中，一方面在射頻功率放大器的電路設(shè)計(jì)中，可以降低功率增益，在不過(guò)度影響原有電路匹配的前提下，通過(guò)增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)級(jí)晶體管的負(fù)反饋；另一方面，可以在輸入匹配電路中插入可控衰減電路的設(shè)計(jì)，這樣對(duì)功率放大器的性能影響較小，降低增益的效果明顯。下面介紹一種射頻功率放大器電路，是在高增益模式的電路基礎(chǔ)上，一般通過(guò)增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)級(jí)的負(fù)反饋來(lái)降低增益。圖1a為相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖，圖1b為圖1a的電路結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖1a和圖1b，方案。射頻功率放大器的主要技術(shù)指標(biāo)是輸出功率與效率如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設(shè)計(jì)目標(biāo)的。
射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開(kāi)啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值。根據(jù)移動(dòng)終端所切換的頻段，預(yù)設(shè)該頻段對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器的配置狀態(tài)，由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。(2)計(jì)算單元302計(jì)算單元302，用于計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值。例如，移動(dòng)終端進(jìn)行頻段切換時(shí)，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值，通過(guò)計(jì)算射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，從而獲取此時(shí)射頻功率放大器的狀態(tài)。其中，計(jì)算單元還包括計(jì)算電阻和處理器，計(jì)算電阻一端與射頻功率放大器檢測(cè)模塊連接，計(jì)算電阻另一端與電源電壓連接；處理器的引腳與計(jì)算電阻和射頻功率放大器檢測(cè)模塊連接。(3)比較單元303比較單元303，用于比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，將射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與預(yù)設(shè)的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時(shí)射頻功率放大器是否已完成配置。射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即移動(dòng)終端頻段切換時(shí)的射頻功率放大器的電阻值。其中，射頻功率放大器檢測(cè)模塊與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示射頻功率放大器還沒(méi)有開(kāi)啟，移動(dòng)終端開(kāi)啟此射頻功率放大器。射頻放大器的穩(wěn)定性問(wèn)題非常重要，是保證設(shè)備安全可靠運(yùn)行的必要條件。廣東有什么射頻功率放大器服務(wù)電話
微波固態(tài)功率放大器的電路設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能合理簡(jiǎn)化。廣西現(xiàn)代化射頻功率放大器制定
寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級(jí)或多級(jí)lc匹配。cllc結(jié)構(gòu)，采用串聯(lián)電容到地電感級(jí)聯(lián)串聯(lián)電感到地電容；lccl采用串聯(lián)電感到地電容級(jí)聯(lián)串聯(lián)電容到地電感。這兩種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，插損較??；缺點(diǎn)是寬帶性能一致性不好，在不同的頻率性能不一致，而且諧波性能差。兩級(jí)或多級(jí)lc結(jié)構(gòu)，采用兩級(jí)或多級(jí)串聯(lián)電感到地電容級(jí)聯(lián)在一起。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好，可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點(diǎn)插損較大。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是難以實(shí)現(xiàn)寬帶功率放大器，寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級(jí)聯(lián)lc匹配實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級(jí)聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好，可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點(diǎn)插損較大。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明實(shí)施例解決的是如何實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器在較寬的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)一致性的同時(shí)，具有較好的諧波性能和工作效率。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種射頻功率放大器。廣西現(xiàn)代化射頻功率放大器制定
能訊通信科技（深圳）有限公司辦公設(shè)施齊全，辦公環(huán)境優(yōu)越，為員工打造良好的辦公環(huán)境。NXRF,能訊通信是能訊通信科技（深圳）有限公司的主營(yíng)品牌，是專(zhuān)業(yè)的產(chǎn) 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產(chǎn) 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類(lèi)開(kāi)關(guān) LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產(chǎn)品。功放整機(jī) 。公司，擁有自己**的技術(shù)體系。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力，多年來(lái)一直專(zhuān)注于產(chǎn) 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產(chǎn) 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類(lèi)開(kāi)關(guān) LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產(chǎn)品。功放整機(jī) 。的發(fā)展和創(chuàng)新，打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。能訊通信始終以質(zhì)量為發(fā)展，把顧客的滿(mǎn)意作為公司發(fā)展的動(dòng)力，致力于為顧客帶來(lái)***的射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機(jī)，無(wú)人機(jī)干擾功放。