1)中降低增益的設(shè)計(jì)方案一般包括輸入匹配電路101、驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102、反饋電路103、級(jí)間匹配電路104、功率放大級(jí)電路105和輸出匹配電路106。其中，輸入匹配電路101由l2、c1和r3串聯(lián)組成；驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102由mosfett2和t3疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t3的柵極通過(guò)c2射頻接地；反饋電路103由r4和c4串聯(lián)，跨接在t2柵極和t3漏極之間組成；級(jí)間匹配電路104由l3、c7和c8組成；功率放大級(jí)電路105由mosfett4和t5疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t5的柵極通過(guò)c6射頻接地。輸出匹配電路106由l4、l5、c10和c11組成。注意t2和t4組成電流偏置電路(電流鏡形式)，以及t3和t5組成電壓偏置電路，在圖1b中缺省。該方案(1)能較好的保證功率放大器在增益降低后的帶寬和線性度等性能，但是，單純依靠反饋電路提供的負(fù)反饋，能降低增益但不能將增益變?yōu)樨?fù)。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案進(jìn)一步詳細(xì)闡述。在窄帶物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，終端，如水電表等，在其內(nèi)部有射頻收發(fā)器、通信模組、微控制器、射頻功率放大器電路和天線等；其中：射頻收發(fā)器用于對(duì)信號(hào)進(jìn)行混頻；通信模組，用于與基站進(jìn)行通信，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化抄表；微控制器，用于對(duì)射頻功率放大器電路進(jìn)行控制，以得到一定的輸出功率。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。江蘇應(yīng)用射頻功率放大器服務(wù)電話
LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對(duì)3G和LTE基站市場(chǎng)的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會(huì)隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過(guò)約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應(yīng)用中，它可實(shí)現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸。實(shí)現(xiàn)性能成本的優(yōu)化組合。隨著5G時(shí)代的到來(lái)，小基站及MassiveMIMO的飛速發(fā)展，會(huì)對(duì)集成度要求越來(lái)越高，GaN自有的先天優(yōu)勢(shì)會(huì)加速功率器件集成化的進(jìn)程。5G會(huì)帶動(dòng)GaN這一產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展。然而，在移動(dòng)終端領(lǐng)域GaN射頻器件尚未開(kāi)始規(guī)模應(yīng)用，原因在于較高的生產(chǎn)成本和供電電壓。GaN將在高功率，高頻率射頻市場(chǎng)發(fā)揮重要作用。GaN射頻PA有望成為5G基站主流技術(shù)預(yù)測(cè)未來(lái)大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件，小基站GaAs優(yōu)勢(shì)更明顯。就電信市場(chǎng)而言，得益于5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的日益臨近。湖北L波段射頻功率放大器哪里賣甲類工作狀態(tài)：功放大器在信號(hào)周期內(nèi)始終存在工作電流，即導(dǎo)通角0為360度。
第四mos管的漏級(jí)與第五mos管的源級(jí)連接，第四mos管的源級(jí)接地，第五mos管的柵級(jí)連接第九電容的端，第九電容的第二端接地。其中，第四mos管t4和第五mos管t5的器件尺寸一樣，第二mos管t2與第四mos管t4的器件尺寸之比為2:5。在一個(gè)可能的示例中，輸出匹配電路106包括：第四電感l(wèi)4、第五電感l(wèi)5、第十電容c10和第十一電容c11，其中：第四電感的端和第五電感的端連接第五mos管的漏級(jí)，第四電感的第二端連接第二電壓信號(hào)，第十電容的端連接第二電壓信號(hào)，第十電容的第二端接地，第五電感的第二端連接第十一電容的端，第十一電容的第二端接地，第十一電容兩端的電壓為輸出電壓。在一個(gè)可能的示例中，射頻功率放大器電路還包括：偏置電路，用于響應(yīng)于微處理器發(fā)出的第三控制信號(hào)，增加自身的漏級(jí)電流和自身的柵級(jí)電壓，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)于第四控制信號(hào)，降低自身的漏級(jí)電流和自身的柵級(jí)電壓，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式；第二偏置電路，用于響應(yīng)于微處理器發(fā)出的第五控制信號(hào)，增加自身的漏級(jí)電流和自身的柵級(jí)電壓，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)于第六控制信號(hào)，降低自身的漏級(jí)電流和自身的柵級(jí)電壓。
控制信號(hào)vgg通過(guò)電阻與開(kāi)關(guān)連接，同時(shí)通過(guò)備用電阻與備用開(kāi)關(guān)連接。備用電阻的參數(shù)與電阻的參數(shù)相同，二者都是作為上拉電阻給開(kāi)關(guān)供電。備用開(kāi)關(guān)的參數(shù)與開(kāi)關(guān)的參數(shù)相同，開(kāi)關(guān)和備用開(kāi)關(guān)的寄生電阻皆為單開(kāi)關(guān)的寄生電阻值ron的一半，因此雙開(kāi)關(guān)的整體寄生電阻值與單開(kāi)關(guān)的寄生電阻值相同。開(kāi)關(guān)和備用開(kāi)關(guān)的控制邏輯相同：非負(fù)增益模式下，開(kāi)關(guān)和備用開(kāi)關(guān)同時(shí)關(guān)斷；負(fù)增益模式下，開(kāi)關(guān)和備用開(kāi)關(guān)同時(shí)打開(kāi)，不需要考慮電阻r1和備用電阻rn。其中，開(kāi)關(guān)和備用開(kāi)關(guān)均為n型mos管，其具體的類型可以是絕緣體上硅mos管，也可以是平面結(jié)構(gòu)mos管。可見(jiàn)，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，因?yàn)槭褂昧睡B管設(shè)計(jì)，將開(kāi)關(guān)和備用開(kāi)關(guān)疊加，使得mos管的耐壓能力和靜電釋放能力提升，相對(duì)于單mos管，能在大電流下更好的保護(hù)開(kāi)關(guān)和備用開(kāi)關(guān)，使其不被損壞。在一個(gè)可能的示例中，輸入匹配電路101包括第三電阻r3、電容c1和第二電感l(wèi)2，第二電感的端連接第二電阻的第二端，第二電感的第二端連接電容的端，電容的第二端連接第三電阻的端。在圖9中，假設(shè)輸入端的輸入阻抗zin＝r0-jx0，可控衰減電路的等效阻抗為z20＝r20+jx20，輸入匹配電路的等效阻抗為z30＝r30+jx30，為了實(shí)現(xiàn)z20和zin的共軛匹配。目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs，GAN和LDMOS工藝。
因?yàn)樵O(shè)計(jì)的可控衰減電路中電感的品質(zhì)因數(shù)q較低，因此頻選特性不明顯，頻率響應(yīng)帶寬較寬，帶來(lái)的射頻信號(hào)的插入損耗相對(duì)較小。負(fù)增益模式下的回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。假設(shè)fh為上限頻率，fl為下限頻率，fo為中心頻率；且有：fh＝900mhz，fl＝600mhz，fo＝800mhz，回波損耗大于15db，頻率響應(yīng)的帶寬可達(dá)到300mhz以上，相對(duì)帶寬可達(dá)到(fh-fl)/fo＝(900-600)/800＝％。下面再提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結(jié)構(gòu)，如圖5b所示，在該結(jié)構(gòu)中的可控衰減電路的電阻r1可以變?yōu)殚_(kāi)關(guān)sw2，增強(qiáng)了對(duì)射頻輸入端口rfin的esd保護(hù)能力。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案的有益效果在于：通過(guò)在信號(hào)的輸入端設(shè)計(jì)可控衰減電路，在實(shí)現(xiàn)功率放大器增益負(fù)增益的同時(shí)，對(duì)高增益模式性能的影響很小，并且加強(qiáng)了對(duì)rfin端口的esd保護(hù)。該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，對(duì)芯片面積占用小，能降低硬件成本。在本申請(qǐng)實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路中，反饋電路中可以用于切換的電阻有多種，例如當(dāng)射頻功率放大器電路需要實(shí)現(xiàn)三檔增益模式：高增益30db左右，低增益15db左右，負(fù)增益-10db左右。此時(shí)，反饋電路如圖6所示，c51、c52、c53和c54是1pf～2pf范圍的電容。電阻r53大于r51大于r52。匹配電路是放大器設(shè)計(jì)中關(guān)鍵一環(huán)，可以說(shuō)放大設(shè)計(jì)主要是匹配設(shè)計(jì)。安徽應(yīng)用射頻功率放大器服務(wù)電話
對(duì)于AM．AM失真，它與晶體管是否工作于飽和區(qū)密切相關(guān)。為減小 AM—AM失真，應(yīng)降低工作點(diǎn)，常稱為增益回退。江蘇應(yīng)用射頻功率放大器服務(wù)電話
功率放大電路105，用于放大級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；輸出匹配電路106，用于使射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。其中，射頻功率放大器電路應(yīng)用于終端中，可以根據(jù)終端與基站的距離選取對(duì)應(yīng)的模式。當(dāng)終端與基站的距離較近時(shí)，路徑損耗較小，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較小，射頻功率放大器電路此時(shí)處于負(fù)增益模式下，輸入信號(hào)進(jìn)行一定程度的衰減，可得到輸出功率較小的輸出信號(hào)；當(dāng)終端與基站的距離較遠(yuǎn)時(shí)，路徑損耗較大，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較大，射頻功率放大器電路此時(shí)處于非負(fù)增益模式下，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行一定程度的放大，可得到輸出功率較大的輸出信號(hào)。在一個(gè)可能的示例中，模式控制信號(hào)包括控制信號(hào)和第二控制信號(hào)，其中：控制信號(hào)表征將射頻功率放大器電路切換為非負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路，用于響應(yīng)控制信號(hào)，控制自身處于無(wú)衰減狀態(tài)；第二控制信號(hào)表征將射頻功率放大器電路切換為負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路，用于響應(yīng)第二控制信號(hào)，控制自身處于衰減狀態(tài)。其中，當(dāng)可控衰減電路處于無(wú)衰減狀態(tài)時(shí)，可控衰減電路不工作；當(dāng)可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時(shí)，可控衰減電路工作。江蘇應(yīng)用射頻功率放大器服務(wù)電話
能訊通信科技（深圳）有限公司是一家產(chǎn) 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產(chǎn) 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類開(kāi)關(guān) LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產(chǎn)品。功放整機(jī) 。的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè)。能訊通信擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機(jī)，無(wú)人機(jī)干擾功放。能訊通信繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長(zhǎng)，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。能訊通信始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時(shí)代，對(duì)自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使能訊通信在行業(yè)的從容而自信。