福建短波射頻功率放大器定制

    來源: 發(fā)布時間:2022-09-08

       包括但不限于全球移動通訊系統(tǒng)(gsm,globalsystemofmobilecommunication)、通用分組無線服務(gprs,generalpacketradioservice)、碼分多址(cdma,codedivisionmultipleaccess)、寬帶碼分多址(wcdma,widebandcodedivisionmultipleaccess)、長期演進(lte,longtermevolution)、電子郵件、短消息服務(sms,shortmessagingservice)等。存儲器402可用于存儲軟件程序以及模塊,處理器408通過運行存儲在存儲器402的軟件程序以及模塊,從而執(zhí)行各種功能應用以及數(shù)據處理。存儲器402可主要包括存儲程序區(qū)和存儲數(shù)據區(qū),其中,存儲程序區(qū)可存儲操作系統(tǒng)、至少一個功能所需的應用程序(比如聲音播放功能、圖像播放功能等)等;存儲數(shù)據區(qū)可存儲根據移動終端的使用所創(chuàng)建的數(shù)據(比如音頻數(shù)據、電話本等)等。此外,存儲器402可以包括高速隨機存取存儲器,還可以包括非易失性存儲器,例如至少一個磁盤存儲器件、閃存器件、或其他易失性固態(tài)存儲器件。相應地,存儲器402還可以包括存儲器控制器,以提供處理器408和輸入單元403對存儲器402的訪問。在本申請實施例中,存儲器402用于存儲射頻功率放大器的初始狀態(tài)電阻值,配置狀態(tài)電阻值以及射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。阻抗匹配,關系到功率放大器的穩(wěn)定性、增益;輸出功率、帶內平坦度、噪聲、諧波、駐波、線性等一系列指標 。福建短波射頻功率放大器定制

      因為這些特性,GaAs器件被應用在無線通信、衛(wèi)星通訊、微波通信、雷達系統(tǒng)等領域,能夠在更高的頻率下工作,高達Ku波段。與LDMOS相比,擊穿電壓較低。通常由12V電源供電,由于電源電壓較低,使得器件阻抗較低,因此使得寬帶功率放大器的設計變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設計的常用選擇,在80MHz到6GHz的頻率范圍內的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管(GaAspHEMT)GaAspHEMT是對高電子遷移率晶體管(HEMT)的一種改進結構,也稱為贗調制摻雜異質結場效應晶體管(PMODFET),具有更高的電子面密度(約高2倍);同時,這里的電子遷移率也較高(比GaAs中的高9%),因此PHEMT的性能更加優(yōu)越。PHEMT具有雙異質結的結構,這不提高了器件閾值電壓的溫度穩(wěn)定性,而且也改善了器件的輸出伏安特性,使得器件具有更大的輸出電阻、更高的跨導、更大的電流處理能力以及更高的工作頻率、更低的噪聲等。采用這種材料可以實現(xiàn)頻率達40GHz,功率達幾W的功率放大器。在EMC領域,采用此種材料可以實現(xiàn),功率達200W的功率放大器。氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)氮化鎵(GaN)HEMT是新一代的射頻功率晶體管技術,與GaAs和Si基半導體技術相比。重慶低頻射頻功率放大器系列GaN作為功率放大器中具有優(yōu)良材料 的寬帶隙半導體材料之一被譽為第5代半導體在微電應用領域存 在的應用.

       以便能保證它工作在一個線性工作區(qū),要具有足夠的電壓范圍以便隨著整個輸入信號幅度的變化在不被剪裁或壓縮的情況下復制它。A類放大器的優(yōu)點:A類設計相比其他類設計要簡單,輸出部分可以有一個器件。當器件通過偏置設置工作在其傳輸特性的線性部分時,放大器可以非常精確地以更多功率再現(xiàn)輸入信號,在輸入信號功率增加1dB時,輸出功率也增加1dB,因此是線性放大器。當工作在線性區(qū)時,產生的其他頻率分量的能量很小,也就是諧波很小。因為器件通過偏置電壓設置一直處于工作狀態(tài),不會被關閉,所以沒有“開啟”時間??梢灾覍嵉卦佻F(xiàn)連續(xù)波和脈沖式的連續(xù)波信號。A類放大器的缺點:因為靜態(tài)工作電流大約是大輸出電流的一半,所以效率比較低。理論上大效率是50%,但實際效率會受到輸出端的損耗影響而降低,比如濾波器,合路器,耦合器,隔離器,電源的轉換效率等,這些可能會將實際效率降低10%左右。如果需要通過A類功放實現(xiàn)更高的輸出功率,則浪費的功率和伴隨著的發(fā)熱量將增加。對于每一瓦傳遞到負載的功率,放大器可以消耗多達9瓦的熱量。對于大功率A類功放,這就意味著要具有非常大和昂貴的供電電源以及散熱裝置。對于散熱能力不足的A類功放。

       寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級或多級lc匹配。cllc結構,采用串聯(lián)電容到地電感級聯(lián)串聯(lián)電感到地電容;lccl采用串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)串聯(lián)電容到地電感。這兩種結構優(yōu)點是結構較簡單,插損較小;缺點是寬帶性能一致性不好,在不同的頻率性能不一致,而且諧波性能差。兩級或多級lc結構,采用兩級或多級串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)在一起。這種結構優(yōu)點是諧波性能好,可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點插損較大。采用普通結構變壓器實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結構優(yōu)點是結構相對簡單,缺點是難以實現(xiàn)寬帶功率放大器,寬帶性能一致性差,諧波性能也較差。采用普通結構變壓器級聯(lián)lc匹配實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,采用變壓器及其輸入輸出匹配電容,輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結構優(yōu)點是諧波性能好,可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點插損較大。技術實現(xiàn)要素:本發(fā)明實施例解決的是如何實現(xiàn)射頻功率放大器在較寬的頻率范圍內實現(xiàn)一致性的同時,具有較好的諧波性能和工作效率。為解決上述技術問題,本發(fā)明實施例提供一種射頻功率放大器。射頻放大器的穩(wěn)定性問題非常重要,是保證設備安全可靠運行的必要條件。

       當?shù)诙訛V波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2時,第二電容c2與第二電感l(wèi)2的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。因此,在具體應用中,可以根據功率放大單元的二次諧波頻率,選擇相應電容值的電容c1以及相應電感值的電感l(wèi)1,以實現(xiàn)諧振頻率的匹配;和/或,選擇相應電容值的第二電容c2以及相應電感值的第二電感l(wèi)2,以實現(xiàn)諧振頻率的匹配。在具體實施中,電容c1可以是片上可調節(jié)的可調電容,通過調節(jié)電容c1的電容值,能夠進一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。相應地,第二電容c2也可以是片上可調節(jié)的可調電容,通過調節(jié)第二電容c2的電容值,能夠進一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。在圖1與圖2中,子濾波電路的結構與第二子濾波電路的結構相同??梢岳斫獾氖牵訛V波電路的結構也可以與第二子濾波電路的結構不同。例如,子濾波電路包括電容c1,第二子濾波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2。又如,子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1,第二子濾波電路包括第二電容c2。在具體實施中,輸入端匹配濾波電路還可以包括寄生電容,寄生電容可以耦接在功率放大單元的輸出端與功率放大單元的第二輸出端之間。在具體實施中,輸出端匹配濾波電路可以包括第三子濾波電路。發(fā)射機的前級電路中調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小,必須必采用高增益大功率射頻功率放大器。浙江寬帶射頻功率放大器定制

    為減小 AM—AM失真,應降低工作點,常稱為增益回退。福建短波射頻功率放大器定制

       AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領域的需求,也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測試標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點效率,但相比A類放大器則具有高效率(理論上可達60%到65%)。AB類放大器的優(yōu)點:與A類放大器相比,功率效率提高。AB類放大器的設計可以使用比A類更少的器件,對于相同的功率等級和頻率范圍,體積更小,價格更便宜。使用風冷,比A類放大器的冷卻器要輕。AB類放大器的缺點:產生的諧波需要注意具體產品給出的指標,尤其是二次諧波,AB類放大器可以通過仔細調整偏置的設置和采用推挽拓補結構將諧波明顯抑制。C類放大器C類放大器的晶體管偏置設置使得器件在小于輸入信號的半個周期內導通,在沒有輸入信號時不消耗電源電流,因此效率很高,可高達90%左右。C類放大器在通常的商業(yè)EMC測試中很少使用,因為它們不能對連續(xù)波進行放大。它們在窄帶、脈沖應用中得到了應用,比如汽車電子ISO11452-2中的雷達波測試,DO-160以及MIL-464中的HIRF高脈沖場強測試等。C類放大器的工作原理圖如圖6所示。圖6:C類放大器的工作原理圖C類放大器相當于工作在飽和狀態(tài)而不是線性區(qū),也就是輸入如果是正弦信號。福建短波射頻功率放大器定制

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