較小的線圈自感和較大的寄生電容會額外影響變壓器的輸入輸出阻抗，需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來調(diào)節(jié)阻抗，進而產(chǎn)生額外的阻抗變換)，這會影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位，也會降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實施例中，增加輔次級線圈，可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計，能夠進一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。本發(fā)明實施例還提供了一種通信設(shè)備，包括上述任一實施例所提供的射頻功率放大器。通信設(shè)備中還可以存在其他模塊，例如基帶芯片、天線電路等，上述的其他模塊均可以采用現(xiàn)有技術(shù)中已有的模塊，本發(fā)明實施例不做贅述。雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs，GAN和LDMOS工藝。北京V段射頻功率放大器生產(chǎn)廠家
因為這些特性，GaAs器件被應(yīng)用在無線通信、衛(wèi)星通訊、微波通信、雷達系統(tǒng)等領(lǐng)域，能夠在更高的頻率下工作，高達Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設(shè)計變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設(shè)計的常用選擇，在80MHz到6GHz的頻率范圍內(nèi)的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是對高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進結(jié)構(gòu)，也稱為贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（PMODFET），具有更高的電子面密度（約高2倍）；同時，這里的電子遷移率也較高（比GaAs中的高9%），因此PHEMT的性能更加優(yōu)越。PHEMT具有雙異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)，這不提高了器件閾值電壓的溫度穩(wěn)定性，而且也改善了器件的輸出伏安特性，使得器件具有更大的輸出電阻、更高的跨導(dǎo)、更大的電流處理能力以及更高的工作頻率、更低的噪聲等。采用這種材料可以實現(xiàn)頻率達40GHz，功率達幾W的功率放大器。在EMC領(lǐng)域，采用此種材料可以實現(xiàn)，功率達200W的功率放大器。氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaNHEMT）氮化鎵（GaN）HEMT是新一代的射頻功率晶體管技術(shù)，與GaAs和Si基半導(dǎo)體技術(shù)相比。浙江低頻射頻功率放大器檢測技術(shù)傳統(tǒng)線性功率放大器有高的增益和線性度但效率低，而開關(guān)型功率放大器有高的效率和輸出功率，但線性度差。
第二端接地?？蛇x的，所述子濾波電路包括：電容；所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述子濾波電路還包括：電感；所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述第二子濾波電路包括：第二電容；所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接，第二端接地。可選的，所述第二子濾波電路還包括：第二電感；所述第二電感串聯(lián)在所述第二電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述輸入端匹配濾波電路還包括：寄生電容；所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間?？蛇x的，所述輸出端匹配濾波電路包括第三子濾波電路；所述第三子濾波電路的端與所述輔次級線圈的第二端耦接，第二端接地。可選的，所述第三子濾波電路包括：第三電容；所述第三電容的端與所述輔次級線圈的第二端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第三子濾波電路還包括：第三電感；所述第三電感串聯(lián)在所述第三電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述輸出端匹配濾波電路還包括第四子濾波電路；所述第四子匹配濾波電路的端與所述主次級線圈的第二端耦接。
第七電感l(wèi)7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實施中，射頻功率放大器還可以包括驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的輸入端可以接收輸入信號，驅(qū)動電路的輸出端可以輸出差分信號input_p，驅(qū)動電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號input_n。驅(qū)動電路可以起到將輸入信號進行差分的操作，并對輸入信號進行驅(qū)動，提高輸入信號的驅(qū)動能力。參照圖7，給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。在圖7中，增加了驅(qū)動電路?？梢岳斫獾氖?，在圖1～圖6中，也可以通過驅(qū)動電路來對輸入信號進行差分處理，得到差分信號input_p以及第二差分信號input_n。在具體實施中，匹配濾波電路還可以包括功率合成變壓器對應(yīng)的寄生電容，功率合成變壓器對應(yīng)的寄生電容包括初級線圈與次級線圈之間的寄生電容，該寄生電容可以參與功率合成和阻抗轉(zhuǎn)換。寬帶變壓器的阻抗變換主要受匝數(shù)比、耦合系數(shù)k值和寄生電感電容的影響，具有寬帶工作的特點，相對于lc網(wǎng)絡(luò)的阻抗變換網(wǎng)絡(luò)更容易實現(xiàn)寬帶的阻抗變換，因此適用于寬帶功率放大器。應(yīng)用于高集成度射頻功率放大器的寬帶變壓器，因為受實現(xiàn)工藝的影響，往往k值比較小(k值較小會影響能量耦合，即信號轉(zhuǎn)換效率變低)，寄生電感電容影響比較大。阻抗匹配，關(guān)系到功率放大器的穩(wěn)定性、增益；輸出功率、帶內(nèi)平坦度、噪聲、諧波、駐波、線性等一系列指標(biāo) 。
ProductGainLinearPowerVoltageFrequencySST12CP113425–5–SST12CP11C3725––SST12CP123425––SST12CP213725––SST12CP333925––SST12LP0729––SST12LP07A28––SST12LP07E3020––SST12LP083020––SST12LP08A29––SST12LP143020––SST12LP14A2921––SST12LP14C3220––SST12LP14E2319––SST12LP153523––SST12LP15A3222––SST12LP15B3222––SST12LP17A28––SST12LP17B2619––SST12LP17E2918––SST12LP18E2518––SST12LP19E25––SST12LP2030183––SST12LP222719––SST12LP252719––SST11CP15–––SST11CP15E26–29––SST11CP1630––SST11CP223120––SST11LP1228-3420––SST11LF043018––SST11LF052817––SST11LF082817––SST12LF012919––SST12LF0229––SST12LF0328193––SST12LF092417––不難看出，Microchip的WiFiPA以低功率為主，*在。不得不說，Mircochip的PA命名方式讓筆者感到困惑，很難從型號本身猜到其性能指標(biāo)。本文給出筆者曾經(jīng)用過的SST12CP11的性能指標(biāo)，如下圖，還是很不錯的。MicrosemiMicrosemiCorporation總部設(shè)于加利福尼亞州爾灣市，是一家的高性能模擬和混合信號集成電路及高可靠性半導(dǎo)體設(shè)計商、制造商和營銷商。發(fā)射機的前級電路中調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小，必須必采用高增益大功率射頻功率放大器。四川定制開發(fā)射頻功率放大器電話多少
甲類工作狀態(tài)：功放大器在信號周期內(nèi)始終存在工作電流，即導(dǎo)通角0為360度。北京V段射頻功率放大器生產(chǎn)廠家
寬帶pa通常采用cllc、lccl、兩級或多級lc匹配。cllc結(jié)構(gòu)，采用串聯(lián)電容到地電感級聯(lián)串聯(lián)電感到地電容；lccl采用串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)串聯(lián)電容到地電感。這兩種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是結(jié)構(gòu)較簡單，插損較?。蝗秉c是寬帶性能一致性不好，在不同的頻率性能不一致，而且諧波性能差。兩級或多級lc結(jié)構(gòu)，采用兩級或多級串聯(lián)電感到地電容級聯(lián)在一起。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是諧波性能好，可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是結(jié)構(gòu)相對簡單，缺點是難以實現(xiàn)寬帶功率放大器，寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級聯(lián)lc匹配實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是諧波性能好，可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明實施例解決的是如何實現(xiàn)射頻功率放大器在較寬的頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)一致性的同時，具有較好的諧波性能和工作效率。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供一種射頻功率放大器。北京V段射頻功率放大器生產(chǎn)廠家
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