河北4g射頻功率放大器

    來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-30

       在本發(fā)明實(shí)施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號(hào)input_p,功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號(hào)input_n。功率放大單元可以對(duì)輸入的差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n分別進(jìn)行放大處理,功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過(guò)放大的差分信號(hào),功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過(guò)放大的第二差分信號(hào)。差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定,且差分信號(hào)input_p的放大倍數(shù)和對(duì)第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實(shí)施中,差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n可以是對(duì)輸入至射頻功率放大器的輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理后得到的。具體的,對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理的原理及過(guò)程可以參照現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明實(shí)施例不做贅述。在具體實(shí)施率合成變壓器可以包括初級(jí)線圈11以及次級(jí)線圈。在本發(fā)明實(shí)施例中,初級(jí)線圈11的端可以與功率放大單元的輸出端耦接,輸入經(jīng)過(guò)放大的差分信號(hào);初級(jí)線圈11的第二端可以與功率放大單元的第二輸出端耦接,輸入經(jīng)過(guò)放大的第二差分信號(hào)。在本發(fā)明實(shí)施例中,次級(jí)線圈可以包括主次級(jí)線圈121以及輔次級(jí)線圈122。主次級(jí)線圈121的端接地。交調(diào)失真有不同頻率的兩個(gè)或更多的輸入信號(hào)經(jīng)過(guò)功率放大器而產(chǎn)生的 混合分量由于功率放大器的非線性造成的。河北4g射頻功率放大器

    LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor)和GaAs,在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對(duì)3G和LTE基站市場(chǎng)的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種,但LDMOS功率放大器的帶寬會(huì)隨著頻率的增加而大幅減少,在不超過(guò)約,而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求,但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應(yīng)用中,它可實(shí)現(xiàn)高集成化的解決方案,如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上,GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下,可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸。實(shí)現(xiàn)性能成本的優(yōu)化組合。隨著5G時(shí)代的到來(lái),小基站及MassiveMIMO的飛速發(fā)展,會(huì)對(duì)集成度要求越來(lái)越高,GaN自有的先天優(yōu)勢(shì)會(huì)加速功率器件集成化的進(jìn)程。5G會(huì)帶動(dòng)GaN這一產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展。然而,在移動(dòng)終端領(lǐng)域GaN射頻器件尚未開(kāi)始規(guī)模應(yīng)用,原因在于較高的生產(chǎn)成本和供電電壓。GaN將在高功率,高頻率射頻市場(chǎng)發(fā)揮重要作用。GaN射頻PA有望成為5G基站主流技術(shù)預(yù)測(cè)未來(lái)大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件,小基站GaAs優(yōu)勢(shì)更明顯。就電信市場(chǎng)而言,得益于5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的日益臨近。江蘇寬帶射頻功率放大器定制由于進(jìn)行大功率放大設(shè)計(jì),電路必然產(chǎn)生許多諧波,匹配電路還需要有濾 波功能。

    PA)用量翻倍增長(zhǎng):PA是一部手機(jī)關(guān)鍵的器件之一,它直接決定了手機(jī)無(wú)線通信的距離、信號(hào)質(zhì)量,甚至待機(jī)時(shí)間,是整個(gè)射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。手機(jī)里面PA的數(shù)量隨著2G、3G、4G、5G逐漸增加。以PA模組為例,4G多模多頻手機(jī)所需的PA芯片為5-7顆,預(yù)測(cè)5G手機(jī)內(nèi)的PA芯片將達(dá)到16顆之多。5G手機(jī)功率放大器(PA)單機(jī)價(jià)值量有望達(dá)到:同時(shí),PA的單價(jià)也有提高,2G手機(jī)用PA平均單價(jià)為,3G手機(jī)用PA上升到,而全模4G手機(jī)PA的消耗則高達(dá),預(yù)計(jì)5G手機(jī)PA價(jià)值量達(dá)到。載波聚合與MassivieMIMO對(duì)PA的要求大幅增加。一般情況下,2G只需非常簡(jiǎn)單的發(fā)射模塊,3G需要有3G的功率放大器,4G要求更多濾波器和雙工器載波器,載波聚合則需要有與前端配合的多工器,上行載波器的功率放大器又必須重新設(shè)計(jì)來(lái)滿足線性化的要求。5G無(wú)線通信前端將用到幾十甚至上百個(gè)通道,要求網(wǎng)絡(luò)設(shè)備或者器件供應(yīng)商能夠提供全集成化的解決方案,這增加了產(chǎn)品設(shè)計(jì)的復(fù)雜度,無(wú)論對(duì)器件解決方案還是設(shè)備解決方案提供商都提出了很大技術(shù)挑戰(zhàn)。GaAs射頻器件仍將主導(dǎo)手機(jī)市場(chǎng)5G時(shí)代,GaAs材料適用于移動(dòng)終端。GaAs材料的電子遷移率是Si的6倍,具有直接帶隙,故其器件相對(duì)Si器件具有高頻、高速的性能。

      主次級(jí)線圈121的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接;輔次級(jí)線圈122的端與主次級(jí)線圈121的第二端耦接,輔次級(jí)線圈122的第二端與匹配濾波電路中的輸出端匹配濾波電路耦接。也就是說(shuō),在本發(fā)明實(shí)施例中,次級(jí)線圈由主次級(jí)線圈121以及輔次級(jí)線圈122組成,輔次級(jí)線圈122可以與輸出端匹配濾波電路組成功率合成的功能。在具體實(shí)施中,匹配濾波電路可以包括輸入端匹配濾波電路以及輸出端匹配濾波電路。輸入端匹配濾波電路可以與功率合成變壓器的輸入端、功率放大單元的輸出端耦接,以及與功率合成變壓器的第二輸入端、功率放大單元的第二輸出端耦接。輸出端匹配濾波電路可以串聯(lián)在輔次級(jí)線圈122的第二端與地之間。在具體實(shí)施中,輸入端匹配濾波電路可以包括子濾波電路以及第二子濾波電路,其中:子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸出端耦接,子濾波電路的第二端可以接地;第二子濾波電路的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸出端耦接,第二子濾波電路的第二端可以接地。也就是說(shuō),在本發(fā)明實(shí)施例中,在功率合成變壓器的輸入端以及功率合成變壓器的第二輸入端可以均設(shè)置有對(duì)應(yīng)的濾波電路。在射頻/微波 IC中一般用方形螺旋電感。

       顯示單元404可用于顯示由用戶輸入的信息或提供給用戶的信息以及終端的各種圖形用戶接口,這些圖形用戶接口可以由圖形、文本、圖標(biāo)、視頻和其任意組合來(lái)構(gòu)成。顯示單元404可包括顯示面板,可選的,可以采用液晶顯示器(lcd,liquidcrystaldisplay)、有機(jī)發(fā)光二極管(oled,organiclight-emittingdiode)等形式來(lái)配置顯示面板。進(jìn)一步的,觸敏表面可覆蓋顯示面板,當(dāng)觸敏表面檢測(cè)到在其上或附近的觸摸操作后,傳送給處理器408以確定觸摸事件的類型,隨后處理器408根據(jù)觸摸事件的類型在顯示面板上提供相應(yīng)的視覺(jué)輸出。雖然在圖4中,觸敏表面與顯示面板是作為兩個(gè)的部件來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入和輸入功能,但是在某些實(shí)施例中,可以將觸敏表面與顯示面板集成而實(shí)現(xiàn)輸入和輸出功能。移動(dòng)終端還可包括至少一種傳感器405,比如光傳感器、運(yùn)動(dòng)傳感器以及其他傳感器。具體地,光傳感器可包括環(huán)境光傳感器及接近傳感器,其中,環(huán)境光傳感器可根據(jù)環(huán)境光線的明暗來(lái)調(diào)節(jié)顯示面板的亮度,接近傳感器可在終端移動(dòng)到耳邊時(shí),關(guān)閉顯示面板和/或背光。作為運(yùn)動(dòng)傳感器的一種,重力加速度傳感器可檢測(cè)各個(gè)方向上(一般為三軸)加速度的大小,靜止時(shí)可檢測(cè)出重力的大小及方向,可用于識(shí)別手機(jī)姿態(tài)的應(yīng)用。諧波抑制,功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號(hào)同時(shí)在各項(xiàng)諧波幅度大小與信號(hào)大小呈一定的比例關(guān)系。湖北應(yīng)用射頻功率放大器技術(shù)

    傳統(tǒng)線性功率放大器有高的增益和線性度但效率低,而開(kāi)關(guān)型功率放大器有高的效率和輸出功率,但線性度差。河北4g射頻功率放大器

       AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領(lǐng)域的需求,也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點(diǎn)效率,但相比A類放大器則具有高效率(理論上可達(dá)60%到65%)。AB類放大器的優(yōu)點(diǎn):與A類放大器相比,功率效率提高。AB類放大器的設(shè)計(jì)可以使用比A類更少的器件,對(duì)于相同的功率等級(jí)和頻率范圍,體積更小,價(jià)格更便宜。使用風(fēng)冷,比A類放大器的冷卻器要輕。AB類放大器的缺點(diǎn):產(chǎn)生的諧波需要注意具體產(chǎn)品給出的指標(biāo),尤其是二次諧波,AB類放大器可以通過(guò)仔細(xì)調(diào)整偏置的設(shè)置和采用推挽拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)將諧波明顯抑制。C類放大器C類放大器的晶體管偏置設(shè)置使得器件在小于輸入信號(hào)的半個(gè)周期內(nèi)導(dǎo)通,在沒(méi)有輸入信號(hào)時(shí)不消耗電源電流,因此效率很高,可高達(dá)90%左右。C類放大器在通常的商業(yè)EMC測(cè)試中很少使用,因?yàn)樗鼈儾荒軐?duì)連續(xù)波進(jìn)行放大。它們?cè)谡瓗?、脈沖應(yīng)用中得到了應(yīng)用,比如汽車電子ISO11452-2中的雷達(dá)波測(cè)試,DO-160以及MIL-464中的HIRF高脈沖場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試等。C類放大器的工作原理圖如圖6所示。圖6:C類放大器的工作原理圖C類放大器相當(dāng)于工作在飽和狀態(tài)而不是線性區(qū),也就是輸入如果是正弦信號(hào)。河北4g射頻功率放大器

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