當(dāng)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，需要減少對射頻功率傳導(dǎo)的影響，在應(yīng)用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當(dāng)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入功率放大器進(jìn)行放大(在加強(qiáng)了負(fù)反饋的電路基礎(chǔ)上，再放大衰減后的射頻信號)。本申請實(shí)施例中的可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時(shí)，整個(gè)電路的衰減程度可達(dá)到-10db左右?？梢岳斫鉃?，比原來從rfin端進(jìn)入電路的輸入信號，已經(jīng)衰減了10db。從整體電路的增益特性看，若原來的已經(jīng)加強(qiáng)負(fù)反饋的放大器的增益是0db，那么現(xiàn)在功率放大器的增益就是-10db了。整個(gè)電路的負(fù)增益由三部分完成：(1)fet的偏置電路向降壓降流切換；(2)射頻功率放大器電路驅(qū)動(dòng)級的反饋電路向反饋增強(qiáng)切換；(3)輸入匹配中可控衰減電路的接地開關(guān)打開。其中(1)(2)同時(shí)滿足時(shí)，從設(shè)計(jì)看整體電路增益低實(shí)現(xiàn)0db左右。再加入措施(3)，電路可再多衰減10db左右。即滿足負(fù)增益放大。圖2a中的可控衰減電路的結(jié)構(gòu)如圖3所示，可控衰減電路包括：串聯(lián)電感l(wèi)和并聯(lián)到地的電阻r和開關(guān)sw1。射頻功率放大器包括A類、AB類、B類和c類等，開關(guān)放大 器包括D類、E類和F類等。河北射頻功率放大器效能
將射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與預(yù)設(shè)的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時(shí)射頻功率放大器是否已完成配置。104、所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器。例如，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值，此時(shí)射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示此射頻功率放大器還沒有開啟，移動(dòng)終端開啟此射頻功率放大器。其中，射頻功率放大器的開啟與關(guān)閉由處理器控制。105、所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。例如，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值，此時(shí)射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值相同，則表示射頻功率放大器配置完成。為了更好地實(shí)施以上方法，本申請實(shí)施例還可以提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測裝置，該裝置具體可以集成在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中，該網(wǎng)絡(luò)設(shè)備可以是移動(dòng)終端等設(shè)備。例如，如圖3所示，該裝置可以包括預(yù)設(shè)單元301、計(jì)算單元302、比較單元303，如下：(1)預(yù)設(shè)單元301預(yù)設(shè)單元301，用于預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如。安徽EMC射頻功率放大器價(jià)格射頻功率放大器一般都采用選頻網(wǎng)絡(luò)作為負(fù)載回路。
因?yàn)樵O(shè)計(jì)的可控衰減電路中電感的品質(zhì)因數(shù)q較低，因此頻選特性不明顯，頻率響應(yīng)帶寬較寬，帶來的射頻信號的插入損耗相對較小。負(fù)增益模式下的回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。假設(shè)fh為上限頻率，fl為下限頻率，fo為中心頻率；且有：fh＝900mhz，fl＝600mhz，fo＝800mhz，回波損耗大于15db，頻率響應(yīng)的帶寬可達(dá)到300mhz以上，相對帶寬可達(dá)到(fh-fl)/fo＝(900-600)/800＝％。下面再提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結(jié)構(gòu)，如圖5b所示，在該結(jié)構(gòu)中的可控衰減電路的電阻r1可以變?yōu)殚_關(guān)sw2，增強(qiáng)了對射頻輸入端口rfin的esd保護(hù)能力。本申請實(shí)施例提供的技術(shù)方案的有益效果在于：通過在信號的輸入端設(shè)計(jì)可控衰減電路，在實(shí)現(xiàn)功率放大器增益負(fù)增益的同時(shí)，對高增益模式性能的影響很小，并且加強(qiáng)了對rfin端口的esd保護(hù)。該電路結(jié)構(gòu)簡潔，對芯片面積占用小，能降低硬件成本。在本申請實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路中，反饋電路中可以用于切換的電阻有多種，例如當(dāng)射頻功率放大器電路需要實(shí)現(xiàn)三檔增益模式：高增益30db左右，低增益15db左右，負(fù)增益-10db左右。此時(shí)，反饋電路如圖6所示，c51、c52、c53和c54是1pf～2pf范圍的電容。電阻r53大于r51大于r52。
5G時(shí)代，智能手機(jī)將采用2發(fā)射4接收方案，未來有望演進(jìn)為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機(jī)關(guān)鍵的器件之一，它直接決定了手機(jī)無線通信的距離、信號質(zhì)量，甚至待機(jī)時(shí)間，是整個(gè)射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動(dòng)智能移動(dòng)終端、基站端及IOT設(shè)備射頻PA穩(wěn)健增長。功率放大器市場增長相對穩(wěn)健，復(fù)合年增長率為7%，將從2017年的50億美元增長到2023年的70億美元。LTE功率放大器市場的增長，尤其是高頻和超高頻，將彌補(bǔ)2G/3G市場的萎縮。15G智能移動(dòng)終端，射頻PA的大機(jī)遇5G推動(dòng)手機(jī)射頻PA量價(jià)齊升無論是在基站端還是設(shè)備終端，5G給供應(yīng)商帶來的挑戰(zhàn)都首先體現(xiàn)在射頻方面，因?yàn)檫@是設(shè)備“上”網(wǎng)的關(guān)鍵出入口，即將到來的5G手機(jī)將會面臨更多頻段的支持、不同的調(diào)制方向、信號路由的選擇、開關(guān)速度的變化等多方面的技術(shù)挑戰(zhàn)外，也會帶來相應(yīng)市場機(jī)遇。5G將給天線數(shù)量、射頻前端模塊價(jià)值量帶來翻倍增長。以5G手機(jī)為例，單部手機(jī)的射頻半導(dǎo)體用量達(dá)到25美金，相比4G手機(jī)近乎翻倍增長。其中濾波器從40個(gè)增加至70個(gè)，頻帶從15個(gè)增加至30個(gè)，接收機(jī)發(fā)射機(jī)濾波器從30個(gè)增加至75個(gè)，射頻開關(guān)從10個(gè)增加至30個(gè)，載波聚合從5個(gè)增加至200個(gè)。5G手機(jī)功率放大器。微波固態(tài)功率放大器的工作狀態(tài)主要由功率、效率、失真及被放大信號的性 質(zhì)等要求來確定。
微控制器控制第五一開關(guān)導(dǎo)通、第五二開關(guān)關(guān)斷，此時(shí)可實(shí)現(xiàn)低增益；微控制器控制第五一開關(guān)和第五二開關(guān)均導(dǎo)通，此時(shí)反饋電路的等效電阻小，可實(shí)現(xiàn)負(fù)增益。在一些實(shí)施例中，當(dāng)射頻放大器電路的高增益為30db左右，低增益為15db左右，負(fù)增益為-10db左右時(shí)，可設(shè)置第五三電阻的阻值為5kω，第五一電阻的電阻為1kω，第五二電阻的電阻為100ω。需要說明的是，本實(shí)施例對反饋電路的具體形式不做限定。可見，通過控制反饋電路中第二開關(guān)的通斷，可以改變射頻功率放大器電路的增益大小，實(shí)現(xiàn)增益的大范圍調(diào)節(jié)。在一個(gè)可能的示例中，級間匹配電路104包括：第三電感l(wèi)3、第七電容c7和第八電容c8，其中：第三電感的端連接第三mos管的漏級，第三電感的第二端連接第二電壓信號和第七電容的一端，第七電容的端連接第二電壓信號，第七電容的第二端接地，第八電容的端連接第三mos管的漏級。其中，第二電壓信號為vcc。在本申請實(shí)施例中，考慮到級間匹配電路的復(fù)雜性，將級間匹配電路簡化為用第三電感、第七電容和第八電容表示。在一個(gè)可能的示例率放大電路105包括：第四mos管t4、第五mos管t5和第九電容c9，其中：第四mos管的柵級與第八電容的第二端連接。寬帶放大器是指上限工作頻率與下限工作頻率之比甚大于1的放大電路。福建有什么射頻功率放大器技術(shù)
在通信和雷達(dá)系統(tǒng)率放大器是極其重要的組成部分主要參數(shù)有最大輸出功率、效率、線性度和增益等。河北射頻功率放大器效能
nmos管mn07的漏極和nmos管mn08的漏極分別連接第三變壓器t03的原邊。在第二主體電路率放大器中源放大器的柵極與激勵(lì)放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊。如圖3所示，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵極為功率放大器的輸入端，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵極與激勵(lì)放大器的輸出端連接。nmos管mn15的漏極和nmos管mn16的漏極分別連接第四變壓器t04的原邊。nmos管mn05的源極、nmos管mn06的源極接地，nmos管mn13的源極、nmos管mn14的源極接地。nmos管mn07的柵極和nmos管mn08的柵極通過電容c06和電感l(wèi)02接地，nmos管mn15的柵極和nmos管mn16的柵極通過電容c13和電感l(wèi)05接地。第三變壓器t02原邊的中端通過電感l(wèi)03接電源電壓vdd，第三變壓器t02原邊的中端還連接接地電容c08。第四變壓器t04原邊的中端通過電感l(wèi)06接電源電壓vdd，第四變壓器t04原邊的中端還連接接地電容c15。本申請實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器，通過自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路和兩個(gè)主體電路，不提高了射頻功率放大器的線性度，還提高了射頻功率放大器的輸出功率。圖4示例性地示出了本申請實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器中自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路對應(yīng)的偏置電壓曲線圖。河北射頻功率放大器效能