廣西超寬帶射頻功率放大器哪家好

    來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-28

        通過可控衰減電路中的電阻吸收和衰減射頻功率,使得進(jìn)入后續(xù)電路的射頻功率減小,輸入信號(hào)衰減,從而實(shí)現(xiàn)負(fù)增益。在一個(gè)可能的示例中,可控衰減電路包括電阻r1、第二電阻r2、電感l(wèi)1和開關(guān)t1,開關(guān)的柵級(jí)與電阻的端連接,電阻的第二端連接電壓信號(hào),開關(guān)的漏級(jí)與第二電阻的端連接,開關(guān)的源級(jí)接地,電感的端連接輸入信號(hào),電感的第二端連接第二電阻的第二端;其中,開關(guān),用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài),以使可控衰減電路處于無衰減狀態(tài),實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式;還用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第二控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài),以使可控衰減電路處于衰減狀態(tài),實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式;其中,控制信號(hào)為具有電壓值的電壓信號(hào),第二控制信號(hào)為具有第二電壓值的電壓信號(hào),電壓值與第二電壓值不同。需要說明的是,開關(guān)為絕緣體上硅cmos管,或平面結(jié)構(gòu)mos管。電阻為上拉電阻,其阻值較小,電壓信號(hào)vgg通過電阻連接開關(guān)。在一些實(shí)施例中,微處理器通過控制vgg=,使得開關(guān)關(guān)斷,可控衰減電路處于無衰減狀態(tài),將輸入匹配電路與可控衰減電路隔離,此時(shí),射頻功率放大器電路對(duì)輸入信號(hào)放大,射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式。阻抗匹配,關(guān)系到功率放大器的穩(wěn)定性、增益;輸出功率、帶內(nèi)平坦度、噪聲、諧波、駐波、線性等一系列指標(biāo) 。廣西超寬帶射頻功率放大器哪家好

        即射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值為射頻功率放大器211的電阻值是r11,射頻功率放大器212、213和214的電阻值仍是r2、r3和r4。計(jì)算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測模塊的電阻值是r11,與配置狀態(tài)電阻值相同,則表示射頻功率放大器211已經(jīng)開啟;如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測模塊的電阻值是r1,與配置狀態(tài)電阻值不相同,則表示射頻功率放大器211未開啟,移動(dòng)終端開啟射頻功率放大器211。計(jì)算的各個(gè)射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與配置狀態(tài)電阻值均相同時(shí),則射頻功率放大器已經(jīng)配置完成。其中,頻段切換前,射頻功率放大器的初始狀態(tài)包括開啟狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài),包括兩種情況:全部是關(guān)閉狀態(tài)或者部分關(guān)閉,部分開啟。頻段切換時(shí),移動(dòng)終端會(huì)對(duì)所有射頻功率放大器發(fā)出配置指令,射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與本次指令要求的電阻值未有變化,則不作操作,否則按當(dāng)前指令的電阻值進(jìn)行射頻功率放大器的相關(guān)配置。103、比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如,射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即移動(dòng)終端切換頻段時(shí),此時(shí)射頻功率放大器的電阻值。上海U段射頻功率放大器定制交調(diào)失真有不同頻率的兩個(gè)或更多的輸入信號(hào)經(jīng)過功率放大器而產(chǎn)生的 混合分量由于功率放大器的非線性造成的。

        當(dāng)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式時(shí),可控衰減電路處于無衰減狀態(tài),需要減少對(duì)射頻功率傳導(dǎo)的影響,在應(yīng)用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當(dāng)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式時(shí),可控衰減電路處于衰減狀態(tài),一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消耗掉,另一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入功率放大器進(jìn)行放大(在加強(qiáng)了負(fù)反饋的電路基礎(chǔ)上,再放大衰減后的射頻信號(hào))。本申請(qǐng)實(shí)施例中的可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時(shí),整個(gè)電路的衰減程度可達(dá)到-10db左右??梢岳斫鉃椋仍瓉韽膔fin端進(jìn)入電路的輸入信號(hào),已經(jīng)衰減了10db。從整體電路的增益特性看,若原來的已經(jīng)加強(qiáng)負(fù)反饋的放大器的增益是0db,那么現(xiàn)在功率放大器的增益就是-10db了。整個(gè)電路的負(fù)增益由三部分完成:(1)fet的偏置電路向降壓降流切換;(2)射頻功率放大器電路驅(qū)動(dòng)級(jí)的反饋電路向反饋增強(qiáng)切換;(3)輸入匹配中可控衰減電路的接地開關(guān)打開。其中(1)(2)同時(shí)滿足時(shí),從設(shè)計(jì)看整體電路增益低實(shí)現(xiàn)0db左右。再加入措施(3),電路可再多衰減10db左右。即滿足負(fù)增益放大。圖2a中的可控衰減電路的結(jié)構(gòu)如圖3所示,可控衰減電路包括:串聯(lián)電感l(wèi)和并聯(lián)到地的電阻r和開關(guān)sw1。

        寬帶性能一致性差,諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級(jí)聯(lián)lc匹配實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,采用變壓器及其輸入輸出匹配電容,輸出級(jí)聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好,可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點(diǎn)插損較大。在本發(fā)明實(shí)施例中,通過增加輔次級(jí)線圈可以在不影響初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑,減小耦合系數(shù)k值較小對(duì)阻抗變換的影響。根據(jù)初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的k值等參數(shù),選擇合適的輔次級(jí)線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍,降低功率合成變壓器損耗。此外,將功率合成變壓器的主次級(jí)線圈和輔次級(jí)線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì),能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種射頻功率放大器,參照?qǐng)D1。在本發(fā)明實(shí)施例中,射頻功率放大器可以包括:功率放大單元(powercell)、功率合成變壓器以及匹配濾波電路。在具體實(shí)施率放大單元可以包括兩個(gè)輸入端以及兩個(gè)輸出端。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。

        輸出則是方波信號(hào),產(chǎn)生的諧波較大,屬于非線性功率放大器,適合放大恒定包絡(luò)的信號(hào),輸入信號(hào)通常是脈沖串類的信號(hào)。C類放大器的優(yōu)點(diǎn)與A類放大器相比,功率效率提高。與A類放大器相比,可以低價(jià)獲得射頻功率。風(fēng)冷即可,他們使用的冷卻器比A類更輕。C類放大器的缺點(diǎn)脈沖射頻信號(hào)放大。窄帶放大器。通過以上介紹可以看出,作為射頻微波功率放大器采用的半導(dǎo)體材料,有許多種類,每種都有其各自的特點(diǎn)和適用的功率和頻率范圍,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,使得更高頻率和更高功率的功放的實(shí)現(xiàn)成為可能并且越來越容易實(shí)現(xiàn)。作為EMC領(lǐng)域的常用的射頻微波功率放大器的幾個(gè)類別,每種也都有其各自的優(yōu)缺點(diǎn)和適用的場合。在實(shí)際的EMC抗擾度測試中,我們需要根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行合理的選擇。,分別是TESEQ,MILMEGA和IFI,如圖7所示。既有固態(tài)類功放,也有適合于高頻大功率應(yīng)用的TWT功放。圖7:AMETEK旗下?lián)碛腥齻€(gè)品牌的功放產(chǎn)品作為這些不同頻段不同功率的固態(tài)類射頻微波功放產(chǎn)品,采用了以上所述的不同類型的半導(dǎo)體材料制成的晶體管,具有A類,AB類以及C類不同種功率放大器。這些功放的內(nèi)部都由若干個(gè)部分組成,主要包括:輸入驅(qū)動(dòng)模塊,信號(hào)分離模塊,功率放大器模塊。諧波抑制,功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號(hào)同時(shí)在各項(xiàng)諧波幅度大小與信號(hào)大小呈一定的比例關(guān)系。湖南V段射頻功率放大器要多少錢

    在所有微波發(fā)射系統(tǒng)中,都需要功率放大器將信號(hào)放大到足夠的功 率電平,以實(shí)現(xiàn)信號(hào)的發(fā)射。廣西超寬帶射頻功率放大器哪家好

        Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等,可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護(hù)電路而增強(qiáng)客戶的設(shè)計(jì)能力。Microsemi公司所服務(wù)的主要市場包括植入式醫(yī)療機(jī)構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動(dòng)通信等應(yīng)用領(lǐng)域。Microsemi在發(fā)展過程中收購了多家公司,包括熟知的Actel,Zarlink,Vitesee。Microsemi的WiFiPA產(chǎn)品線型號(hào)較多,也多次出現(xiàn)在Atheros早期的參考設(shè)計(jì)中,近期的參考設(shè)計(jì)就很少出現(xiàn)了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果沒記錯(cuò)的話,LX5511+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96低功率版本參考設(shè)計(jì)中。廣西超寬帶射頻功率放大器哪家好

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