將射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與預(yù)設(shè)的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時(shí)射頻功率放大器是否已完成配置。104、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開(kāi)啟所述射頻功率放大器。例如，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值，此時(shí)射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示此射頻功率放大器還沒(méi)有開(kāi)啟，移動(dòng)終端開(kāi)啟此射頻功率放大器。其中，射頻功率放大器的開(kāi)啟與關(guān)閉由處理器控制。105、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。例如，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值，此時(shí)射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值相同，則表示射頻功率放大器配置完成。為了更好地實(shí)施以上方法，本申請(qǐng)實(shí)施例還可以提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)裝置，該裝置具體可以集成在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中，該網(wǎng)絡(luò)設(shè)備可以是移動(dòng)終端等設(shè)備。例如，如圖3所示，該裝置可以包括預(yù)設(shè)單元301、計(jì)算單元302、比較單元303，如下：(1)預(yù)設(shè)單元301預(yù)設(shè)單元301，用于預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如。對(duì)整個(gè)放大器進(jìn)行特性分析如果特性不滿足預(yù)定要求，具 體電路則用多級(jí)阻抗變換，短截線等微帶線電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。汕頭射頻功率放大器系列
此時(shí)信號(hào)將產(chǎn)生非線性，其功率需要小于-10dbm才能實(shí)現(xiàn)線性輸出，此時(shí)射頻功率放大器電路的線性增益為-10db，因此，其線性輸出功率范圍為：-45dbm～-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等級(jí)的交疊，這是窄帶物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)平臺(tái)的要求，這樣可保證應(yīng)用端配置的靈活性。比如同樣功率等級(jí)下，選擇耗電小的功率模式等。這樣發(fā)射信號(hào)功率即輸出功率覆蓋了-45dbm到，總共，可滿足廣域的信號(hào)覆蓋要求。參見(jiàn)圖1a和圖1b，在射頻功率放大器電路已經(jīng)加強(qiáng)負(fù)反饋基礎(chǔ)上(引入負(fù)反饋電路)，調(diào)節(jié)各級(jí)晶體管的偏置電路(例如調(diào)節(jié)t2和t4漏極的偏置電流，或者調(diào)節(jié)t3和t5漏極的偏置電壓)，再在輸入匹配電路之前引入可控衰減電路，可以進(jìn)一步降低增益。從理論來(lái)講，可控衰減電路通過(guò)設(shè)計(jì)可以滿足負(fù)增益的需求。這里，可控衰減電路需要考慮盡量降低其對(duì)放大器輸入匹配電路的影響，它好可以與輸入匹配電路的設(shè)計(jì)融合。另外，需要射頻功率放大器電路在沒(méi)有處于負(fù)增益工作模式下時(shí)，具有適當(dāng)?shù)纳漕l傳導(dǎo)功率容量和靜電保護(hù)能力(electro-staticdischarge，esd)。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種射頻功率放大器電路，如圖2所示，與圖1a相比，在輸入端口和輸入匹配電路之間插入可控衰減電路。廣東30-500MHz射頻功率放大器射頻放大器的穩(wěn)定性問(wèn)題非常重要，是保證設(shè)備安全可靠運(yùn)行的必要條件。
5G時(shí)代，智能手機(jī)將采用2發(fā)射4接收方案，未來(lái)有望演進(jìn)為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機(jī)關(guān)鍵的器件之一，它直接決定了手機(jī)無(wú)線通信的距離、信號(hào)質(zhì)量，甚至待機(jī)時(shí)間，是整個(gè)射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動(dòng)智能移動(dòng)終端、基站端及IOT設(shè)備射頻PA穩(wěn)健增長(zhǎng)。功率放大器市場(chǎng)增長(zhǎng)相對(duì)穩(wěn)健，復(fù)合年增長(zhǎng)率為7%，將從2017年的50億美元增長(zhǎng)到2023年的70億美元。LTE功率放大器市場(chǎng)的增長(zhǎng)，尤其是高頻和超高頻，將彌補(bǔ)2G/3G市場(chǎng)的萎縮。15G智能移動(dòng)終端，射頻PA的大機(jī)遇5G推動(dòng)手機(jī)射頻PA量?jī)r(jià)齊升無(wú)論是在基站端還是設(shè)備終端，5G給供應(yīng)商帶來(lái)的挑戰(zhàn)都首先體現(xiàn)在射頻方面，因?yàn)檫@是設(shè)備“上”網(wǎng)的關(guān)鍵出入口，即將到來(lái)的5G手機(jī)將會(huì)面臨更多頻段的支持、不同的調(diào)制方向、信號(hào)路由的選擇、開(kāi)關(guān)速度的變化等多方面的技術(shù)挑戰(zhàn)外，也會(huì)帶來(lái)相應(yīng)市場(chǎng)機(jī)遇。5G將給天線數(shù)量、射頻前端模塊價(jià)值量帶來(lái)翻倍增長(zhǎng)。以5G手機(jī)為例，單部手機(jī)的射頻半導(dǎo)體用量達(dá)到25美金，相比4G手機(jī)近乎翻倍增長(zhǎng)。其中濾波器從40個(gè)增加至70個(gè)，頻帶從15個(gè)增加至30個(gè)，接收機(jī)發(fā)射機(jī)濾波器從30個(gè)增加至75個(gè)，射頻開(kāi)關(guān)從10個(gè)增加至30個(gè)，載波聚合從5個(gè)增加至200個(gè)。5G手機(jī)功率放大器。
因?yàn)檫@些特性，GaAs器件被應(yīng)用在無(wú)線通信、衛(wèi)星通訊、微波通信、雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域，能夠在更高的頻率下工作，高達(dá)Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設(shè)計(jì)的常用選擇，在80MHz到6GHz的頻率范圍內(nèi)的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是對(duì)高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進(jìn)結(jié)構(gòu)，也稱為贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PMODFET），具有更高的電子面密度（約高2倍）；同時(shí)，這里的電子遷移率也較高（比GaAs中的高9%），因此PHEMT的性能更加優(yōu)越。PHEMT具有雙異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)，這不提高了器件閾值電壓的溫度穩(wěn)定性，而且也改善了器件的輸出伏安特性，使得器件具有更大的輸出電阻、更高的跨導(dǎo)、更大的電流處理能力以及更高的工作頻率、更低的噪聲等。采用這種材料可以實(shí)現(xiàn)頻率達(dá)40GHz，功率達(dá)幾W的功率放大器。在EMC領(lǐng)域，采用此種材料可以實(shí)現(xiàn)，功率達(dá)200W的功率放大器。氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaNHEMT）氮化鎵（GaN）HEMT是新一代的射頻功率晶體管技術(shù)，與GaAs和Si基半導(dǎo)體技術(shù)相比。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分，其重要性不言而喻。
功率放大電路105，用于放大級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；輸出匹配電路106，用于使射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。其中，射頻功率放大器電路應(yīng)用于終端中，可以根據(jù)終端與基站的距離選取對(duì)應(yīng)的模式。當(dāng)終端與基站的距離較近時(shí)，路徑損耗較小，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較小，射頻功率放大器電路此時(shí)處于負(fù)增益模式下，輸入信號(hào)進(jìn)行一定程度的衰減，可得到輸出功率較小的輸出信號(hào)；當(dāng)終端與基站的距離較遠(yuǎn)時(shí)，路徑損耗較大，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較大，射頻功率放大器電路此時(shí)處于非負(fù)增益模式下，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行一定程度的放大，可得到輸出功率較大的輸出信號(hào)。在一個(gè)可能的示例中，模式控制信號(hào)包括控制信號(hào)和第二控制信號(hào)，其中：控制信號(hào)表征將射頻功率放大器電路切換為非負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路，用于響應(yīng)控制信號(hào)，控制自身處于無(wú)衰減狀態(tài)；第二控制信號(hào)表征將射頻功率放大器電路切換為負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路，用于響應(yīng)第二控制信號(hào)，控制自身處于衰減狀態(tài)。其中，當(dāng)可控衰減電路處于無(wú)衰減狀態(tài)時(shí)，可控衰減電路不工作；當(dāng)可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時(shí)，可控衰減電路工作。輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它 的增益平坦度并不一定滿足技術(shù)指標(biāo)的要求。光明區(qū)U段射頻功率放大器
放大器能把輸入信號(hào)的電壓或功率放大的裝置，由電子管或晶體管、電源變壓器和其他電器元件組成。汕頭射頻功率放大器系列
4G/5G基礎(chǔ)設(shè)施用RF半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到16億美元，其中，MIMOPA年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到135%，射頻前端模塊的年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到119%。預(yù)計(jì)未來(lái)5～10年，GaN將成為3W及以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù)。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2017年，全球GaN射頻市場(chǎng)規(guī)模約為，在3W以上（不含手機(jī)PA）的RF射頻市場(chǎng)的滲透率超過(guò)20%。GaN在基站、雷達(dá)和航空應(yīng)用中，正逐步取代LDMOS。隨著數(shù)據(jù)通訊、更高運(yùn)行頻率和帶寬的要求日益增長(zhǎng)，GaN在基站和無(wú)線回程中的應(yīng)用持續(xù)攀升。在未來(lái)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)中，針對(duì)載波聚合和大規(guī)模輸入輸出（MIMO）等新技術(shù)，GaN將憑借其高效率和高寬帶性能，相比現(xiàn)有的LDMOS處于更有利的位置。未來(lái)5～10年內(nèi)，預(yù)計(jì)GaN將逐步取代LDMOS，并逐漸成為3W及以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù)。而GaAs將憑借其得到市場(chǎng)驗(yàn)證的可靠性和性價(jià)比，將確保其穩(wěn)定的市場(chǎng)份額。LDMOS的市場(chǎng)份額則會(huì)逐步下降，預(yù)測(cè)期內(nèi)將降至整體市場(chǎng)規(guī)模的15%左右。到2023年，GaNRF器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到13億美元，約占3W以上的RF功率市場(chǎng)的45%。截止2018年底，整個(gè)RFGaN市場(chǎng)規(guī)模接近。未來(lái)大多數(shù)低于6GHz的宏網(wǎng)絡(luò)單元實(shí)施將使用GaN器件，無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用占比將進(jìn)一步提高至近43%。RFGaN市場(chǎng)的發(fā)展方向GaN技術(shù)主要以IDM為主。汕頭射頻功率放大器系列