是為了便于描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。此外，術(shù)語“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本申請的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電氣連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，還可以是兩個元件內(nèi)部的連通，可以是無線連接，也可以是有線連接。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本申請中的具體含義。此外，下面所描述的本申請不同實施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成就可以相互結(jié)合。請參考圖1，其示出了本申請實施例提供的一種高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖。該高線性射頻功率放大器包括功率放大器、激勵放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動態(tài)偏置電路。自適應(yīng)動態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級調(diào)節(jié)功率放大器的輸出柵極偏置電壓。功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵放大器連接射頻輸入端rfin。交調(diào)失真有不同頻率的兩個或更多的輸入信號經(jīng)過功率放大器而產(chǎn)生的 混合分量由于功率放大器的非線性造成的。北京現(xiàn)代化射頻功率放大器檢測技術(shù)
實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式；其中，偏置電路與驅(qū)動放大電路連接，第二偏置電路與功率放大電路連接。其中，如圖7所示，偏置電路1020包括：第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照圖7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡(luò)，可以起到隔離輸入信號的作用。第二mos管的寬長比w/l是第六mos管的寬長比的c(c遠(yuǎn)大于1)倍，因此第二mos管的漏極偏置電流近似為電流源的c倍，實現(xiàn)了電流放大。電流源存在多個可調(diào)節(jié)檔位，通過微處理器發(fā)出的第三控制信號和第四控制信號，控制電流源檔位的切換，可切換第二mos管的漏極電流，從而調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路的放大倍數(shù)。第三mos管t3的柵極電壓偏置電路由電壓源vg、第八電阻r8、第九電阻r9和第十三電容c13按照圖7所示連接而成。第八電阻、第九電阻和第十三電容組成的t型網(wǎng)絡(luò)，可起到隔離第三mos管柵極的射頻電壓擺幅的作用。電壓源存在多個可調(diào)節(jié)檔位。遼寧EMC射頻功率放大器技術(shù)功放中使用電感器一般有直線電感、折線電感、單環(huán)電感和螺旋電感等。
當(dāng)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式時，可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，需要減少對射頻功率傳導(dǎo)的影響，在應(yīng)用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當(dāng)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式時，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，一部分射頻傳導(dǎo)能量進入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導(dǎo)能量進入功率放大器進行放大(在加強了負(fù)反饋的電路基礎(chǔ)上，再放大衰減后的射頻信號)。本申請實施例中的可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時，整個電路的衰減程度可達到-10db左右?？梢岳斫鉃椋仍瓉韽膔fin端進入電路的輸入信號，已經(jīng)衰減了10db。從整體電路的增益特性看，若原來的已經(jīng)加強負(fù)反饋的放大器的增益是0db，那么現(xiàn)在功率放大器的增益就是-10db了。整個電路的負(fù)增益由三部分完成：(1)fet的偏置電路向降壓降流切換；(2)射頻功率放大器電路驅(qū)動級的反饋電路向反饋增強切換；(3)輸入匹配中可控衰減電路的接地開關(guān)打開。其中(1)(2)同時滿足時，從設(shè)計看整體電路增益低實現(xiàn)0db左右。再加入措施(3)，電路可再多衰減10db左右。即滿足負(fù)增益放大。圖2a中的可控衰減電路的結(jié)構(gòu)如圖3所示，可控衰減電路包括：串聯(lián)電感l(wèi)和并聯(lián)到地的電阻r和開關(guān)sw1。
pmos管的漏極通過電阻接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的第二輸出端，第二輸出端用于為功率放大器柵放大器的柵極提供偏置電壓。可選的，射頻輸入端和射頻輸出端之間設(shè)置有兩個主體電路，每個主體電路包括激勵放大器和功率放大器，激勵放大器和功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接；主體電路中的激勵放大器與變壓器的副邊連接，第二主體電路中的激勵放大器與第二變壓器的副邊連接，變壓器的原邊與第二變壓器的原邊連接，變壓器的原邊連接射頻輸入端，第二變壓器的原邊接地；變壓器原邊與第二變壓器原邊的公共端連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸入端；主體電路中的功率放大器與第三變壓器的原邊連接，第二主體電路中的功率放大器與第四變壓器的原邊連接，第三變壓器的副邊與第四變壓器的副邊連接，第三變壓器的副邊連接射頻輸出端，第四變壓器的副邊接地?？蛇x的，每個主體電路中的激勵放大器包括2個共源共柵放大器；在主體電路，激勵放大器源放大器的柵極與變壓器的副邊連接，激勵放大器柵放大器的漏極通過電容與功率放大器的輸入端連接；在第二主體電路，激勵放大器源放大器的柵極與第二變壓器的副邊連接，激勵放大器柵放大器的漏極通過電容與功率放大器的輸入端連接?？蛇x的。功率放大器按照工作狀態(tài)分為線性放大和非線性放大兩種非線性放大器 效率比較高而線性放大器的效率比較低。
LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對3G和LTE基站市場的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應(yīng)用中，它可實現(xiàn)高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸。實現(xiàn)性能成本的優(yōu)化組合。隨著5G時代的到來，小基站及MassiveMIMO的飛速發(fā)展，會對集成度要求越來越高，GaN自有的先天優(yōu)勢會加速功率器件集成化的進程。5G會帶動GaN這一產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展。然而，在移動終端領(lǐng)域GaN射頻器件尚未開始規(guī)模應(yīng)用，原因在于較高的生產(chǎn)成本和供電電壓。GaN將在高功率，高頻率射頻市場發(fā)揮重要作用。GaN射頻PA有望成為5G基站主流技術(shù)預(yù)測未來大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件，小基站GaAs優(yōu)勢更明顯。就電信市場而言，得益于5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的日益臨近。目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs，GAN和LDMOS工藝。重慶現(xiàn)代化射頻功率放大器系列
射頻功率放大器器件放大管基本上由氮化鎵，砷化鎵，LDMOS管電路運用。北京現(xiàn)代化射頻功率放大器檢測技術(shù)
使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。若需要使射頻功率放大器電路為負(fù)增益模式，需要微控制器控制開關(guān)導(dǎo)通，控制第二開關(guān)導(dǎo)通，控制偏置電路使第二mos管的漏級電流、第三mos管的柵級電壓以及漏級供電電壓vcc均變小，控制第二偏置電路使第四mos管的漏級電流、第五mos管的柵級電壓以及漏級供電電壓vcc均變小。其中，第二開關(guān)導(dǎo)通時，反饋電路的放大系數(shù)af較小，對輸入信號的放大作用不明顯，偏置電路和第二偏置電路中漏極電流和門極電壓較小，對輸入信號的放大作用也不明顯，可以認(rèn)為未對輸入信號進行放大，即增益為0db，此時，若再控制開關(guān)導(dǎo)通，則可控衰減電路工作，對輸入信號進行衰減，通過這樣的控制，可以實現(xiàn)輸入信號的衰減。此外，還可以通過對偏置電路和第二偏置電路的調(diào)節(jié)，來實現(xiàn)不同程度的衰減，使負(fù)增益連續(xù)可調(diào)，在一些實施例中，衰減后射頻功率放大器電路的整體增益可以為-5db、-7db、-10db等。當(dāng)射頻功率放大器電路的輸出功率(較小)確定后，微處理器可以進一步得到其輸入功率和負(fù)增益值，微處理器對輸入功率進行調(diào)節(jié)，控制電壓信號vgg，使開關(guān)導(dǎo)通，控制第二開關(guān)導(dǎo)通，通過控制偏置電路和第二偏置電路中的內(nèi)部電流源和內(nèi)部電壓源。北京現(xiàn)代化射頻功率放大器檢測技術(shù)