具體地，第二pmos管mp01的源極通過電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接，第三nmos管mn19的源極接地，第三pmos管mp02的源極接電源電壓，第三nmos管mn19的柵極與漏極連接，第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點a，第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點b，連接點a與第二連接點b連接,第二連接點b通過電阻r15接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa，輸出端vbcs_pa用于為功率放大器源放大器的柵極提供偏置電壓。第四nmos管mn20的漏極與第四pmos管mp03的漏極連接后與pmos管mp04的柵極連接，第四nmos管mn20的源極接地，第四pmos管mp03的源極接電源電壓vdd，第四nmos管mn20的柵極和第四pmos管mp03的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。pmos管mp04的漏極通過電阻r17接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa，第二輸出端vbcg_pa用于為功率放大器柵放大器的柵極提供偏置電壓。圖3示出了本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖。目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs，GAN和LDMOS工藝。海南線性射頻功率放大器聯(lián)系電話
4G/5G基礎(chǔ)設(shè)施用RF半導體的市場規(guī)模將達到16億美元，其中，MIMOPA年復合增長率將達到135%，射頻前端模塊的年復合增長率將達到119%。預計未來5～10年，GaN將成為3W及以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù)。根據(jù)Yole預測，2017年，全球GaN射頻市場規(guī)模約為，在3W以上（不含手機PA）的RF射頻市場的滲透率超過20%。GaN在基站、雷達和航空應(yīng)用中，正逐步取代LDMOS。隨著數(shù)據(jù)通訊、更高運行頻率和帶寬的要求日益增長，GaN在基站和無線回程中的應(yīng)用持續(xù)攀升。在未來的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計中，針對載波聚合和大規(guī)模輸入輸出（MIMO）等新技術(shù)，GaN將憑借其高效率和高寬帶性能，相比現(xiàn)有的LDMOS處于更有利的位置。未來5～10年內(nèi)，預計GaN將逐步取代LDMOS，并逐漸成為3W及以上RF功率應(yīng)用的主流技術(shù)。而GaAs將憑借其得到市場驗證的可靠性和性價比，將確保其穩(wěn)定的市場份額。LDMOS的市場份額則會逐步下降，預測期內(nèi)將降至整體市場規(guī)模的15%左右。到2023年，GaNRF器件市場規(guī)模達到13億美元，約占3W以上的RF功率市場的45%。截止2018年底，整個RFGaN市場規(guī)模接近。未來大多數(shù)低于6GHz的宏網(wǎng)絡(luò)單元實施將使用GaN器件，無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用占比將進一步提高至近43%。RFGaN市場的發(fā)展方向GaN技術(shù)主要以IDM為主。浙江高頻射頻功率放大器系列寬帶放大器是指上限工作頻率與下限工作頻率之比甚大于1的放大電路。
即射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值為射頻功率放大器211的電阻值是r11，射頻功率放大器212、213和214的電阻值仍是r2、r3和r4。計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測模塊的電阻值是r11，與配置狀態(tài)電阻值相同，則表示射頻功率放大器211已經(jīng)開啟；如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測模塊的電阻值是r1，與配置狀態(tài)電阻值不相同，則表示射頻功率放大器211未開啟，移動終端開啟射頻功率放大器211。計算的各個射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與配置狀態(tài)電阻值均相同時，則射頻功率放大器已經(jīng)配置完成。其中，頻段切換前，射頻功率放大器的初始狀態(tài)包括開啟狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)，包括兩種情況：全部是關(guān)閉狀態(tài)或者部分關(guān)閉，部分開啟。頻段切換時，移動終端會對所有射頻功率放大器發(fā)出配置指令，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與本次指令要求的電阻值未有變化，則不作操作，否則按當前指令的電阻值進行射頻功率放大器的相關(guān)配置。103、比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即移動終端切換頻段時，此時射頻功率放大器的電阻值。
gate)電壓偏置電路由內(nèi)部電壓源vg、r8、r9和c13按照圖7所示連接而成。r8、r9和c13組成的t型網(wǎng)絡(luò)，起到隔離t3柵極較弱射頻電壓擺幅的作用。在實際模擬電路中設(shè)計電壓源，可將vg電壓分成多個檔位，通過數(shù)字寄存器(屬于微控制器)控制切換vg檔位，達到t3柵極電壓切換的效果。其中，t4和t5組成的疊管結(jié)構(gòu)，與t2和t3組成的疊管結(jié)構(gòu)，是一樣的。t2和t3和器件尺寸一樣，t4和t5和器件尺寸一樣。t2(t3)：t4(t5)的器件尺寸之比是2:5的關(guān)系。比如：t2和t3的mos管的溝道寬度為2mm左右，t4和t5的mos管的溝道寬度為5mm。則在非負增益模式下：vcc＝，t2的偏置電流ib＝12ma左右，t4的偏置電流ib＝45ma左右，t3管和t5管的vg＝。在負增益模式下：vcc＝，t2的偏置電流ib＝2ma左右；t4的偏置電流ib＝6ma左右；t3管和t5管的vg＝。在本申請文件實施例提供的射頻功率放大器電路中，為了說明輸入匹配的可控衰減電路設(shè)計，對級間匹配電路進行了簡化處理，實際的級間匹配電路是一個較為復雜的lccl網(wǎng)絡(luò)。級間匹配電路中的c7的電容數(shù)值較大，c7使r6在射頻頻率上并聯(lián)接地。需要注意的是，在本申請實施例中，匹配這個概念針對的是射頻信號，c7表示射頻的短路，可在射頻等效電路中省去。此外。諧波抑制，功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號同時在各項諧波幅度大小與信號大小呈一定的比例關(guān)系。
顯然，所描述的實施例是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├绢I(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。本申請實施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。本申請實施例的移動終端可以為手機、平板電腦、筆記本電腦等設(shè)備。以下分別進行詳細說明。需說明的是，以下實施例的描述順序不作為對實施例推薦順序的限定。一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值，計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。如圖1所示，該方法的具體流程可以如下：101、預設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如，移動終端在連接一個頻段時，需要啟動該頻段所對應(yīng)的射頻功率放大器。根據(jù)移動終端所切換的頻段，預設(shè)該頻段對應(yīng)的射頻功率放大器的配置狀態(tài)。線性：由非線性分析知道，功率放大器的三階交調(diào)系數(shù)時與負載有關(guān)的。湖南高頻射頻功率放大器聯(lián)系電話
射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。海南線性射頻功率放大器聯(lián)系電話
nmos管mn14和nmos管mn16構(gòu)成一個共源共柵放大器。在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的第二輸出端。如圖3所示，nmos管mn05的柵極通過電阻r03連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn06的柵極通過電阻r04連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa；nmos管mn13的柵極通過電阻r08連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn14的柵極通過電阻r09連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa。如圖3所示，nmos管mn07的柵極通過電阻r05連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa，nmos管mn08的柵極通過電阻r05連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa；nmos管mn15的柵極通過電阻r10連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa，nmos管mn16的柵極通過電阻r10連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa。在主體電路率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第三變壓器的原邊。如圖3所示，nmos管mn05的柵極、nmos管mn06的柵極為功率放大器的輸入端，nmos管mn05的柵極、nmos管mn06的柵極與激勵放大器的輸出端連接。海南線性射頻功率放大器聯(lián)系電話
能訊通信科技（深圳）有限公司是一家產(chǎn) 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產(chǎn) 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類開關(guān) LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產(chǎn)品。功放整機 。的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實、誠實可信的企業(yè)。能訊通信深耕行業(yè)多年，始終以客戶的需求為向?qū)?，為客戶提?**的射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機，無人機干擾功放。能訊通信不斷開拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導，以產(chǎn)品為平臺，以應(yīng)用為重點，以服務(wù)為保證，不斷為客戶創(chuàng)造更高價值，提供更優(yōu)服務(wù)。能訊通信始終關(guān)注電子元器件市場，以敏銳的市場洞察力，實現(xiàn)與客戶的成長共贏。