第七電感l(wèi)7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實(shí)施中，射頻功率放大器還可以包括驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的輸入端可以接收輸入信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電路的輸出端可以輸出差分信號(hào)input_p，驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號(hào)input_n。驅(qū)動(dòng)電路可以起到將輸入信號(hào)進(jìn)行差分的操作，并對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，提高輸入信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力。參照?qǐng)D7，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。在圖7中，增加了驅(qū)動(dòng)電路。可以理解的是，在圖1～圖6中，也可以通過驅(qū)動(dòng)電路來對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理，得到差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n。在具體實(shí)施中，匹配濾波電路還可以包括功率合成變壓器對(duì)應(yīng)的寄生電容，功率合成變壓器對(duì)應(yīng)的寄生電容包括初級(jí)線圈與次級(jí)線圈之間的寄生電容，該寄生電容可以參與功率合成和阻抗轉(zhuǎn)換。寬帶變壓器的阻抗變換主要受匝數(shù)比、耦合系數(shù)k值和寄生電感電容的影響，具有寬帶工作的特點(diǎn)，相對(duì)于lc網(wǎng)絡(luò)的阻抗變換網(wǎng)絡(luò)更容易實(shí)現(xiàn)寬帶的阻抗變換，因此適用于寬帶功率放大器。應(yīng)用于高集成度射頻功率放大器的寬帶變壓器，因?yàn)槭軐?shí)現(xiàn)工藝的影響，往往k值比較小(k值較小會(huì)影響能量耦合，即信號(hào)轉(zhuǎn)換效率變低)，寄生電感電容影響比較大。甲類工作狀態(tài)：功放大器在信號(hào)周期內(nèi)始終存在工作電流，即導(dǎo)通角0為360度。陜西高頻射頻功率放大器值得推薦
微控制器控制第五一開關(guān)導(dǎo)通、第五二開關(guān)關(guān)斷，此時(shí)可實(shí)現(xiàn)低增益；微控制器控制第五一開關(guān)和第五二開關(guān)均導(dǎo)通，此時(shí)反饋電路的等效電阻小，可實(shí)現(xiàn)負(fù)增益。在一些實(shí)施例中，當(dāng)射頻放大器電路的高增益為30db左右，低增益為15db左右，負(fù)增益為-10db左右時(shí)，可設(shè)置第五三電阻的阻值為5kω，第五一電阻的電阻為1kω，第五二電阻的電阻為100ω。需要說明的是，本實(shí)施例對(duì)反饋電路的具體形式不做限定?？梢?，通過控制反饋電路中第二開關(guān)的通斷，可以改變射頻功率放大器電路的增益大小，實(shí)現(xiàn)增益的大范圍調(diào)節(jié)。在一個(gè)可能的示例中，級(jí)間匹配電路104包括：第三電感l(wèi)3、第七電容c7和第八電容c8，其中：第三電感的端連接第三mos管的漏級(jí)，第三電感的第二端連接第二電壓信號(hào)和第七電容的一端，第七電容的端連接第二電壓信號(hào)，第七電容的第二端接地，第八電容的端連接第三mos管的漏級(jí)。其中，第二電壓信號(hào)為vcc。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，考慮到級(jí)間匹配電路的復(fù)雜性，將級(jí)間匹配電路簡化為用第三電感、第七電容和第八電容表示。在一個(gè)可能的示例率放大電路105包括：第四mos管t4、第五mos管t5和第九電容c9，其中：第四mos管的柵級(jí)與第八電容的第二端連接。湖北定制開發(fā)射頻功率放大器生產(chǎn)廠家射頻功率放大器的主要技術(shù)指標(biāo)是輸出功率與效率如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設(shè)計(jì)目標(biāo)的。
1)中降低增益的設(shè)計(jì)方案一般包括輸入匹配電路101、驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102、反饋電路103、級(jí)間匹配電路104、功率放大級(jí)電路105和輸出匹配電路106。其中，輸入匹配電路101由l2、c1和r3串聯(lián)組成；驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102由mosfett2和t3疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t3的柵極通過c2射頻接地；反饋電路103由r4和c4串聯(lián)，跨接在t2柵極和t3漏極之間組成；級(jí)間匹配電路104由l3、c7和c8組成；功率放大級(jí)電路105由mosfett4和t5疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t5的柵極通過c6射頻接地。輸出匹配電路106由l4、l5、c10和c11組成。注意t2和t4組成電流偏置電路(電流鏡形式)，以及t3和t5組成電壓偏置電路，在圖1b中缺省。該方案(1)能較好的保證功率放大器在增益降低后的帶寬和線性度等性能，但是，單純依靠反饋電路提供的負(fù)反饋，能降低增益但不能將增益變?yōu)樨?fù)。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案進(jìn)一步詳細(xì)闡述。在窄帶物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用場景中，終端，如水電表等，在其內(nèi)部有射頻收發(fā)器、通信模組、微控制器、射頻功率放大器電路和天線等；其中：射頻收發(fā)器用于對(duì)信號(hào)進(jìn)行混頻；通信模組，用于與基站進(jìn)行通信，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化抄表；微控制器，用于對(duì)射頻功率放大器電路進(jìn)行控制，以得到一定的輸出功率。
被公認(rèn)為是很合適的通信用半導(dǎo)體材料。在手機(jī)無線通信應(yīng)用中，目前射頻功率放大器絕大部分采用GaAs材料。在GSM通信中，國內(nèi)的紫光展銳和漢天下等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)曾憑借RFCMOS制程的高集成度和低成本的優(yōu)勢，打破了采用國際廠商采用傳統(tǒng)的GaAs制程完全主導(dǎo)射頻功放的格局。但是到了4G時(shí)代，由于Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等缺點(diǎn)，RFCMOS已經(jīng)不能滿足要求，手機(jī)射頻功放重新回到GaAs制程完全主導(dǎo)的時(shí)代。與射頻功放器件依賴于GaAs材料不同，90%的射頻開關(guān)已經(jīng)從傳統(tǒng)的GaAs工藝轉(zhuǎn)向了SOI（Silicononinsulator）工藝，射頻收發(fā)機(jī)大多數(shù)也已采用RFCMOS制程，從而滿足不斷提高的集成度需求。5G時(shí)代，GaN材料適用于基站端。在宏基站應(yīng)用中，GaN材料憑借高頻、高輸出功率的優(yōu)勢，正在逐漸取代SiLDMOS；在微基站中，未來一段時(shí)間內(nèi)仍然以GaAsPA件為主，因其目前具備經(jīng)市場驗(yàn)證的可靠性和高性價(jià)比的優(yōu)勢，但隨著器件成本的降低和技術(shù)的提高，GaNPA有望在微基站應(yīng)用在分得一杯羹；在移動(dòng)終端中，因高成本和高供電電壓，GaNPA短期內(nèi)也無法撼動(dòng)GaAsPA的統(tǒng)治地位。全球GaAs射頻器件被國際巨頭壟斷。全球GaAs射頻器件市場以IDM模式為主。微波固態(tài)功率放大器的電路設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能合理簡化。
第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接?？蛇x的，所述第四子濾波電路為lc匹配濾波電路?？蛇x的，所述lc匹配濾波電路包括：第四電容以及第四電感，其中：所述第四電感，端與所述主次級(jí)線圈的第二端耦接，第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接；所述第四電容，端與所述第四電感的第二端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述lc匹配電路還包括：第五電感以及第六電感，其中：所述第五電感，串聯(lián)在所述第四電容的第二端與地之間；所述第六電感，串聯(lián)在所述第四電容的端與所述射頻功率放大器的輸出端之間?？蛇x的，所述lc匹配電路還包括：第五電容、第七電感以及第八電感，其中：所述第五電容，端與所述第六電感的第二端耦接，第二端與所述第七電感的端耦接；所述第七電感，第二端接地；所述第八電感，端與所述第五電容的端耦接，第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接可選的，所述射頻功率放大器還包括：驅(qū)動(dòng)電路；所述驅(qū)動(dòng)電路的輸入端接收輸入信號(hào)，所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端輸出所述差分信號(hào)，所述驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端輸出所述第二差分信號(hào)。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種通信設(shè)備，包括上述任一種所述的射頻功率放大器。與現(xiàn)有技術(shù)相比。穩(wěn)定性是指放大器在環(huán)境(如溫度、信號(hào)頻率、源及負(fù)載等)變化比較大的情況 下依1日保持正常工作特性的能力。大功率射頻功率放大器設(shè)計(jì)
微波固態(tài)功率放大器的工作狀態(tài)主要由功率、效率、失真及被放大信號(hào)的性 質(zhì)等要求來確定。陜西高頻射頻功率放大器值得推薦
通過微處理器發(fā)出的第五控制信號(hào)和第六控制信號(hào)，控制電壓源檔位的切換，可切換第三mos管的柵極電壓，從而調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路的放大倍數(shù)。通過調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路的放大倍數(shù)使射頻功率放大器電路處于不同的增益模式中。第二電壓信號(hào)vcc用于給第二mos管和第三mos管的漏級(jí)供電，其中，通過微處理器控制vcc的大小。在一些實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙os管和第三mos管的溝道寬度為2mm時(shí)，微控制器控制vcc為，控制電流源為12ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式；微控制器控制vcc為，控制電流源為2ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。顯然，可以設(shè)置更多的電壓源的檔位和電流源的檔位，通過切換不同的電壓源檔位、電流源檔位，并對(duì)第二mos管和第三mos管的漏級(jí)的供電電壓vcc進(jìn)行控制，從而實(shí)現(xiàn)增益的線性調(diào)節(jié)。需要說明的是，第二偏置電路與偏置電路結(jié)構(gòu)相同，其調(diào)節(jié)方法也與偏置電路相同，當(dāng)?shù)谒膍os管和第五mos管的溝道寬度為5mm時(shí)，微控制器控制第四mos管對(duì)應(yīng)的電流源為45ma，控制第五mos管對(duì)應(yīng)的電壓源為，使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式；微控制器控制第四mos管對(duì)應(yīng)的電流為6ma，控制第五mos管對(duì)應(yīng)的電壓源為。陜西高頻射頻功率放大器值得推薦
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