射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值。根據(jù)移動(dòng)終端所切換的頻段，預(yù)設(shè)該頻段對(duì)應(yīng)的射頻功率放大器的配置狀態(tài)，由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。(2)計(jì)算單元302計(jì)算單元302，用于計(jì)算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。例如，移動(dòng)終端進(jìn)行頻段切換時(shí)，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值，通過計(jì)算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，從而獲取此時(shí)射頻功率放大器的狀態(tài)。其中，計(jì)算單元還包括計(jì)算電阻和處理器，計(jì)算電阻一端與射頻功率放大器檢測模塊連接，計(jì)算電阻另一端與電源電壓連接；處理器的引腳與計(jì)算電阻和射頻功率放大器檢測模塊連接。(3)比較單元303比較單元303，用于比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，將射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與預(yù)設(shè)的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時(shí)射頻功率放大器是否已完成配置。射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即移動(dòng)終端頻段切換時(shí)的射頻功率放大器的電阻值。其中，射頻功率放大器檢測模塊與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示射頻功率放大器還沒有開啟，移動(dòng)終端開啟此射頻功率放大器。功率放大器按照工作狀態(tài)分為線性放大和非線性放大兩種非線性放大器 效率比較高而線性放大器的效率比較低。遼寧L波段射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
因此在寬帶應(yīng)用中的使用并不。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28V至50V，優(yōu)勢在于更高功率密度及更高截止頻率(CutoffFrequency，輸出訊號(hào)功率超出或低于傳導(dǎo)頻率時(shí)輸出訊號(hào)功率的頻率)，擁有低損耗、高熱傳導(dǎo)基板，開啟了一系列全新的可能應(yīng)用，尤其在5G多輸入輸出(MassiveMIMO)應(yīng)用中，可實(shí)現(xiàn)高整合性解決方案。典型的GaN射頻器件的加工工藝，主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。GaN材料已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN是極穩(wěn)定的化合物，具有強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是高的、化學(xué)穩(wěn)定性好，使得GaN器件比Si和GaAs有更強(qiáng)抗輻照能力，同時(shí)GaN又是高熔點(diǎn)材料，熱傳導(dǎo)率高，GaN功率器件通常采用熱傳導(dǎo)率更優(yōu)的SiC做襯底，因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫，能在高溫環(huán)境下工作。GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）憑借其固有的高擊穿電壓、高功率密度、大帶寬和高效率，已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。相較于基于Si的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（SiLDMOS。重慶U段射頻功率放大器交調(diào)失真有不同頻率的兩個(gè)或更多的輸入信號(hào)經(jīng)過功率放大器而產(chǎn)生的 混合分量由于功率放大器的非線性造成的。
RF)微波和毫米波應(yīng)用，設(shè)計(jì)和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應(yīng)用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學(xué)及科學(xué)成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務(wù)電子。憑借近30年的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新實(shí)踐，Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號(hào)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域有著深厚的積淀，從器件級(jí)到完整子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒用用過Hittite的WiFiPA，倒是用過其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網(wǎng)站，似乎也只有一款PA適用于WiFi行業(yè)，HMC408，其性能如下。MicrochipMicrochip（2010年收購了SST）是全球的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商，為全球數(shù)以千計(jì)的消費(fèi)類產(chǎn)品提供低風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時(shí)間。Mircrochip的WiFiPA常見于Mediatek（Ralink）的參考設(shè)計(jì)。
1.射頻微波功率放大器及其應(yīng)用放大器是用來以更大的功率、更大的電流，更大的電壓再現(xiàn)信號(hào)的部件。在信號(hào)處理過程中不可或缺的放大器，既可以做成用在助聽器里的微晶片，也可以做成像多層建筑那么大以便向水下潛艇或外層空間傳輸無線電信號(hào)。功率放大器可以被認(rèn)為是將直流（DC）輸入轉(zhuǎn)換成射頻和微波能量的電路。不是在電磁兼容領(lǐng)域需要在射頻和微波頻率上產(chǎn)生足夠的功率，在無線通信、雷達(dá)和雷達(dá)干擾，醫(yī)療功率發(fā)射機(jī)和高能成像系統(tǒng)等領(lǐng)域都需要，每種應(yīng)用領(lǐng)域都有它對(duì)頻率、帶寬、負(fù)載、功率、效率和成本的獨(dú)特要求。射頻和微波功率可以利用不同的技術(shù)和不同的器件來產(chǎn)生。本文著重介紹在EMC應(yīng)用中普遍使用的固態(tài)射頻功率放大器技術(shù)，這種固態(tài)放大器的頻率可以達(dá)到6GHz甚至更高，采用了A類，AB類、B類或C類放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。2.射頻微波功率晶體管概述隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，可用于RF功率放大器的器件和種類越來越多。各種封裝器件被普遍采用，圖1顯示了一個(gè)典型的蓋子被移除的晶體管。這是一個(gè)大功率為60W的采用了GaAsFET的平衡微波晶體管，適合推挽式的AB類放大器使用。微波固態(tài)功率放大器的工作頻率高或微帶電 路對(duì)器件結(jié)構(gòu)元器件裝配電路板布線腔體螺釘位置等都 有嚴(yán)格要求。
gate)電壓偏置電路由內(nèi)部電壓源vg、r8、r9和c13按照?qǐng)D7所示連接而成。r8、r9和c13組成的t型網(wǎng)絡(luò)，起到隔離t3柵極較弱射頻電壓擺幅的作用。在實(shí)際模擬電路中設(shè)計(jì)電壓源，可將vg電壓分成多個(gè)檔位，通過數(shù)字寄存器(屬于微控制器)控制切換vg檔位，達(dá)到t3柵極電壓切換的效果。其中，t4和t5組成的疊管結(jié)構(gòu)，與t2和t3組成的疊管結(jié)構(gòu)，是一樣的。t2和t3和器件尺寸一樣，t4和t5和器件尺寸一樣。t2(t3)：t4(t5)的器件尺寸之比是2:5的關(guān)系。比如：t2和t3的mos管的溝道寬度為2mm左右，t4和t5的mos管的溝道寬度為5mm。則在非負(fù)增益模式下：vcc＝，t2的偏置電流ib＝12ma左右，t4的偏置電流ib＝45ma左右，t3管和t5管的vg＝。在負(fù)增益模式下：vcc＝，t2的偏置電流ib＝2ma左右；t4的偏置電流ib＝6ma左右；t3管和t5管的vg＝。在本申請(qǐng)文件實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路中，為了說明輸入匹配的可控衰減電路設(shè)計(jì)，對(duì)級(jí)間匹配電路進(jìn)行了簡化處理，實(shí)際的級(jí)間匹配電路是一個(gè)較為復(fù)雜的lccl網(wǎng)絡(luò)。級(jí)間匹配電路中的c7的電容數(shù)值較大，c7使r6在射頻頻率上并聯(lián)接地。需要注意的是，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，匹配這個(gè)概念針對(duì)的是射頻信號(hào)，c7表示射頻的短路，可在射頻等效電路中省去。此外。微波功率放大器在大功率下工作要合理設(shè)計(jì)功放結(jié)構(gòu)加裝散熱器以 提高功放管熱量輻散效率保證放大器穩(wěn)定工作。河北有什么射頻功率放大器設(shè)計(jì)
諧波抑制，功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號(hào)同時(shí)在各項(xiàng)諧波幅度大小與信號(hào)大小呈一定的比例關(guān)系。遼寧L波段射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
本申請(qǐng)實(shí)施例涉及但不限于射頻前端電路，尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術(shù)：射頻前端系統(tǒng)中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求發(fā)射功率可調(diào)，當(dāng)pa之前射頻收發(fā)器的輸出動(dòng)態(tài)范圍有限時(shí)，就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應(yīng)用場景中，對(duì)射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出，其動(dòng)態(tài)范圍要達(dá)到35～40db，并出現(xiàn)負(fù)增益的需求模式。相關(guān)技術(shù)中通常通過反饋電路提供的負(fù)反饋來對(duì)增益進(jìn)行調(diào)節(jié)，但是反饋電路只能增加或減少增益，而不能實(shí)現(xiàn)負(fù)增益，無法滿足射頻功率放大器電路的負(fù)增益需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種射頻功率放大器電路，應(yīng)用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路、輸入匹配電路、驅(qū)動(dòng)放大電路、級(jí)間匹配電路、功率放大電路和輸出匹配電路，與所述驅(qū)動(dòng)放大電路跨接的反饋電路；所述可控衰減電路，用于根據(jù)所述終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換；所述輸入匹配電路。遼寧L波段射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
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