江西高頻射頻功率放大器哪家好

    來源: 發(fā)布時間:2022-06-18

        Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等,可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護(hù)電路而增強(qiáng)客戶的設(shè)計能力。Microsemi公司所服務(wù)的主要市場包括植入式醫(yī)療機(jī)構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動通信等應(yīng)用領(lǐng)域。Microsemi在發(fā)展過程中收購了多家公司,包括熟知的Actel,Zarlink,Vitesee。Microsemi的WiFiPA產(chǎn)品線型號較多,也多次出現(xiàn)在Atheros早期的參考設(shè)計中,近期的參考設(shè)計就很少出現(xiàn)了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果沒記錯的話,LX5511+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96低功率版本參考設(shè)計**率放大器按照工作狀態(tài)分為線性放大和非線性放大兩種非線性放大器 效率比較高而線性放大器的效率比較低。江西高頻射頻功率放大器哪家好

        以對輸入至功率合成變壓器的信號進(jìn)行對應(yīng)的匹配濾波處理。在具體實施中,子濾波電路可以包括電容c1,電容c1的端可以與功率合成變壓器的輸入端以及功率放大單元的輸入端耦接,第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中,為提高諧波濾波性能,子濾波電路還可以包括電感l(wèi)1,電感l(wèi)1可以設(shè)置電容c1的第二端與地之間。參照圖2,給出了本發(fā)明實施例中的另一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖2中,子濾波電路包括電感l(wèi)1以及電容c1,電感l(wèi)1串聯(lián)在電容c1的第二端與地之間。在具體實施中,第二子濾波電路可以包括第二電容c2,第二電容c2的端可以與功率合成變壓器的第二輸入端以及功率放大單元的第二輸入端耦接,第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中,為提高諧波濾波性能,第二子濾波電路還可以包括第二電感l(wèi)2,第二電感l(wèi)2可以設(shè)置第二電容c2的第二端與地之間。繼續(xù)參照圖2,第二子濾波電路包括第二電感l(wèi)2以及第二電容c2,第二電感l(wèi)2串聯(lián)在第二電容c2的第二端與地之間。在具體實施中,串聯(lián)電感的到地電容和該電感的諧振頻率可以在功率放大單元的二次諧波頻率附近。也就是說,當(dāng)子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1時,電容c1與電感l(wèi)1的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。相應(yīng)地。北京射頻功率放大器外形乙類工作狀態(tài):功率放大器在信號周期內(nèi)只有半個周期存在工作電流,即導(dǎo) 通角0為180度.對于AM。

        當(dāng)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式時,可控衰減電路處于無衰減狀態(tài),需要減少對射頻功率傳導(dǎo)的影響,在應(yīng)用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當(dāng)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式時,可控衰減電路處于衰減狀態(tài),一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消耗掉,另一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入功率放大器進(jìn)行放大(在加強(qiáng)了負(fù)反饋的電路基礎(chǔ)上,再放大衰減后的射頻信號)。本申請實施例中的可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時,整個電路的衰減程度可達(dá)到-10db左右??梢岳斫鉃椋仍瓉韽膔fin端進(jìn)入電路的輸入信號,已經(jīng)衰減了10db。從整體電路的增益特性看,若原來的已經(jīng)加強(qiáng)負(fù)反饋的放大器的增益是0db,那么現(xiàn)在功率放大器的增益就是-10db了。整個電路的負(fù)增益由三部分完成:(1)fet的偏置電路向降壓降流切換;(2)射頻功率放大器電路驅(qū)動級的反饋電路向反饋增強(qiáng)切換;(3)輸入匹配中可控衰減電路的接地開關(guān)打開。其中(1)(2)同時滿足時,從設(shè)計看整體電路增益低實現(xiàn)0db左右。再加入措施(3),電路可再多衰減10db左右。即滿足負(fù)增益放大。圖2a中的可控衰減電路的結(jié)構(gòu)如圖3所示,可控衰減電路包括:串聯(lián)電感l(wèi)和并聯(lián)到地的電阻r和開關(guān)sw1。

        實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式;其中,偏置電路與驅(qū)動放大電路連接,第二偏置電路與功率放大電路連接。其中,如圖7所示,偏置電路1020包括:第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照圖7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡(luò),可以起到隔離輸入信號的作用。第二mos管的寬長比w/l是第六mos管的寬長比的c(c遠(yuǎn)大于1)倍,因此第二mos管的漏極偏置電流近似為電流源的c倍,實現(xiàn)了電流放大。電流源存在多個可調(diào)節(jié)檔位,通過微處理器發(fā)出的第三控制信號和第四控制信號,控制電流源檔位的切換,可切換第二mos管的漏極電流,從而調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路的放大倍數(shù)。第三mos管t3的柵極電壓偏置電路由電壓源vg、第八電阻r8、第九電阻r9和第十三電容c13按照圖7所示連接而成。第八電阻、第九電阻和第十三電容組成的t型網(wǎng)絡(luò),可起到隔離第三mos管柵極的射頻電壓擺幅的作用。電壓源存在多個可調(diào)節(jié)檔位。由于微波固態(tài)功率放大器輸出功率較大,很小的功率泄漏都會對周圍電路的 工作產(chǎn)生較大影響。

        能夠快速設(shè)置各個射頻功率放大器。本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法,包括:預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值;計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值;比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值;所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等,開啟所述射頻功率放大器;所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等,所述射頻功率放大器配置完成。可選的,在本申請的一些實施例中,所述預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值,包括:所述配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值;所述射頻功率放大器設(shè)置匹配電阻;所述關(guān)閉狀態(tài)的電阻值為所述射頻功率放大器的電阻值;所述開啟狀態(tài)的電阻值為所述匹配電阻的電阻值??蛇x的,在本申請的一些實施例中,所述計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,包括:rj=vgpio*r0/(vdd-vgpio);其中,rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,vgpio為處理器引腳的電壓值,vdd為電源電壓,r0為計算電阻的電阻值??蛇x的,在本申請的一些實施例中,所述匹配電阻包括:不同的射頻功率放大器設(shè)置不同的匹配電阻。根據(jù)晶體管的增益斜率和放大器增益要求,確定待綜合匹配網(wǎng)絡(luò)的衰減斜 率、波紋、帶寬,并導(dǎo)出其衰減函數(shù)。重慶超寬帶射頻功率放大器檢測技術(shù)

    射頻功率放大器地用于多種有線和無線應(yīng)用中,包括 CATV,ISM,WLL,PCS,GSM,CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。江西高頻射頻功率放大器哪家好

        所述不同的匹配電阻的電阻值不相等。可選的,在本申請的一些實施例中,所述射頻功率放大器的輸出端連接所述射頻功率放大器檢測模塊。相應(yīng)的,本申請實施例還提供了一種移動終端射頻功率放大器檢測裝置,包括:預(yù)設(shè)單元,用于預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值;計算單元,用于計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值;比較單元,用于比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。可選的,在本申請的一些實施例中,所述計算單元包括:計算電阻,所述計算電阻一端與所述射頻功率放大器檢測模塊連接,所述計算電阻另一端與電源電壓連接;處理器,所述處理器的引腳與所述計算電阻、所述射頻功率放大器檢測模塊連接。此外,本申請實施例還提供了一種移動終端,包括:存儲器,用于存儲射頻功率放大器的初始狀態(tài)電阻值,配置狀態(tài)電阻值以及射頻功率放大器檢測模塊的電阻值;處理器,用于控制所述射頻功率放大器的開啟和關(guān)閉??蛇x的,在本申請的一些實施例中,所述移動終端包括上述的移動終端射頻功率放大器檢測裝置。本申請實施例提供了一種移動終端射頻功率放大器檢測方法,包括:預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。江西高頻射頻功率放大器哪家好

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