陜西定制開發(fā)射頻功率放大器電話多少

    來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-17

        控制信號vgg通過電阻與開關(guān)連接,同時(shí)通過備用電阻與備用開關(guān)連接。備用電阻的參數(shù)與電阻的參數(shù)相同,二者都是作為上拉電阻給開關(guān)供電。備用開關(guān)的參數(shù)與開關(guān)的參數(shù)相同,開關(guān)和備用開關(guān)的寄生電阻皆為單開關(guān)的寄生電阻值ron的一半,因此雙開關(guān)的整體寄生電阻值與單開關(guān)的寄生電阻值相同。開關(guān)和備用開關(guān)的控制邏輯相同:非負(fù)增益模式下,開關(guān)和備用開關(guān)同時(shí)關(guān)斷;負(fù)增益模式下,開關(guān)和備用開關(guān)同時(shí)打開,不需要考慮電阻r1和備用電阻rn。其中,開關(guān)和備用開關(guān)均為n型mos管,其具體的類型可以是絕緣體上硅mos管,也可以是平面結(jié)構(gòu)mos管??梢?,在本申請實(shí)施例中,因?yàn)槭褂昧睡B管設(shè)計(jì),將開關(guān)和備用開關(guān)疊加,使得mos管的耐壓能力和靜電釋放能力提升,相對于單mos管,能在大電流下更好的保護(hù)開關(guān)和備用開關(guān),使其不被損壞。在一個(gè)可能的示例中,輸入匹配電路101包括第三電阻r3、電容c1和第二電感l(wèi)2,第二電感的端連接第二電阻的第二端,第二電感的第二端連接電容的端,電容的第二端連接第三電阻的端。在圖9中,假設(shè)輸入端的輸入阻抗zin=r0-jx0,可控衰減電路的等效阻抗為z20=r20+jx20,輸入匹配電路的等效阻抗為z30=r30+jx30,為了實(shí)現(xiàn)z20和zin的共軛匹配。由于進(jìn)行大功率放大設(shè)計(jì),電路必然產(chǎn)生許多諧波,匹配電路還需要有濾 波功能。陜西定制開發(fā)射頻功率放大器電話多少

        LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個(gè)低且無變化的互調(diào)電平到飽和區(qū),不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化,這種主要特性因此允許LDMOS晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管的功率,且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數(shù)是負(fù)數(shù),因此可以防止熱耗散的影響。由于以上這些特點(diǎn),LDMOS特別適用于UHF和較低的頻率,晶體管的源極與襯底底部相連并直接接地,消除了產(chǎn)生負(fù)反饋和降低增益的鍵合線的電感的影響,因此是一個(gè)非常穩(wěn)定的放大器。LDMOS具有的高擊穿電壓和與其它器件相比的較低的成本使得LDMOS成為在900MHz和2GHz的高功率基站發(fā)射機(jī)中的優(yōu)先。LDMOS晶體管也被應(yīng)用于在80MHz到1GHz的頻率范圍內(nèi)的許多EMC功率放大器中。在GHz輸出功率超過100W的LDMOS器件已經(jīng)存在,半導(dǎo)體制造商正在開發(fā)頻率范圍更高的,可工作在GHz及以上的高功率LDMOS器件。砷化鎵金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(GaAsMESFET)砷化鎵(galliumarsenide),化學(xué)式GaAs,是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體,具有高電子遷移率(是硅的5到6倍),寬的禁帶寬度(硅是),噪聲低等特點(diǎn),GaAs比同樣的Si元件更適合工作在高頻高功率的場合。遼寧低頻射頻功率放大器隨著無線通信/雷達(dá)通信系統(tǒng)的發(fā)展對固態(tài)功率放大器提出了新 的要求:大功率輸出、高效率、高線性度、高頻率.

        本申請涉及射頻處理技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。背景技術(shù):通話是移動(dòng)終端的為基本的功能之一,射頻功率放大器(rfpa)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。在發(fā)射機(jī)的前級電路中,調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小,需要經(jīng)過一系列的放大(緩沖級、中間放大級、末級功率放大級)獲得足夠的射頻功率以后,才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率,必須采用射頻功率放大器。在調(diào)制器產(chǎn)生射頻信號后,射頻已調(diào)信號就由射頻放大器將它放大到足夠功率,經(jīng)匹配網(wǎng)絡(luò),再由天線發(fā)射出去。由于現(xiàn)有技術(shù)中的所支持的射頻頻段眾多,每個(gè)頻段所使用的射頻功率放大器配置可能有所差異,雖然由移動(dòng)終端的軟件寫入了相關(guān)的配置指令,由于指令發(fā)出總是存在先后關(guān)系,在現(xiàn)有技術(shù)中往往需要在配置頻段時(shí)在所有射頻功率放大器啟動(dòng)指令發(fā)出后再延遲一個(gè)時(shí)間(例如)認(rèn)為已經(jīng)配置完成,再進(jìn)行下一步操作。例如,在第,此時(shí)需要向4個(gè)依次射頻功率放大器發(fā)出啟動(dòng)指令,然后等待,開始下一步操作,但其實(shí)這個(gè),很可能在。因此,現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷,有待改進(jìn)與發(fā)展。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本申請實(shí)施例提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測方法。

        是為了便于描述本申請和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對本申請的限制。此外,術(shù)語“”、“第二”、“第三”用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本申請的描述中,需要說明的是,除非另有明確的規(guī)定和限定,術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或一體地連接;可以是機(jī)械連接,也可以是電氣連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,還可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通,可以是無線連接,也可以是有線連接。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以具體情況理解上述術(shù)語在本申請中的具體含義。此外,下面所描述的本申請不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成就可以相互結(jié)合。請參考圖1,其示出了本申請實(shí)施例提供的一種高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖。該高線性射頻功率放大器包括功率放大器、激勵(lì)放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路。自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級調(diào)節(jié)功率放大器的輸出柵極偏置電壓。功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵(lì)放大器連接射頻輸入端rfin。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。

        橫坐標(biāo)為輸出功率pout,曲線41對應(yīng)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供給共柵放大器的柵極偏置電壓,曲線42對應(yīng)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供給共源放大器的柵極偏置電壓。圖5示例性地示出了本申請實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器對應(yīng)的imd3(thirdorderintermodulation,三階互調(diào))曲線圖51,以及現(xiàn)有的射頻功率放大器對應(yīng)的imd3曲線圖52,根據(jù)曲線51和曲線52,可以看出本申請實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的imd3得到了提高(增幅為△imd3),橫坐標(biāo)為輸出功率pout。顯然,上述實(shí)施例是為清楚地說明所作的舉例,而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本申請創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。AM失真,它與晶體管是否工作于飽和區(qū)密切相關(guān)。浙江射頻功率放大器咨詢報(bào)價(jià)

    匹配電路是放大器設(shè)計(jì)中關(guān)鍵一環(huán),可以說放大設(shè)計(jì)主要是匹配設(shè)計(jì)。陜西定制開發(fā)射頻功率放大器電話多少

        且串聯(lián)電感的個(gè)數(shù)比到地電容的個(gè)數(shù)多1。在具體實(shí)施中,當(dāng)lc匹配電路為兩階匹配濾波電路時(shí),參照圖4,給出了本發(fā)明實(shí)施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。圖4中,lc匹配濾波電路包括第四電感l(wèi)4以及第四電容c4,其中:第四電感l(wèi)4的端與主次級線圈121的第二端耦接,第四電感l(wèi)4的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接;第四電容c4的端與第四電感l(wèi)4的第二端耦接,第四電容c4的第二端接地。參照圖5,給出了本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖4相比,圖5中,lc匹配濾波電路還包括第五電感l(wèi)5以及第六電感l(wèi)6,其中:第五電感l(wèi)5串聯(lián)在第四電容c4的第二端與地之間,第六電感l(wèi)6串聯(lián)在第四電容c4的端與射頻功率放大器的輸出端output之間。參照圖6,給出了本發(fā)明實(shí)施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖5相比,lc匹配濾波電路還可以包括第五電容c5、第七電感l(wèi)7以及第八電感l(wèi)8,其中:第五電容c5的端與第六電感l(wèi)6的第二端耦接,第五電容c5的第二端與第七電感l(wèi)7的端耦接;第七電感l(wèi)7的端與第五電容c5的第二端耦接,第七電感l(wèi)7的第二端接地;第八電感l(wèi)8的端與第五電容c5的端耦接,第八電感l(wèi)8的第二端與射頻功率放大器的輸出端output耦接。陜西定制開發(fā)射頻功率放大器電話多少

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