因為設計的可控衰減電路中電感的品質因數(shù)q較低，因此頻選特性不明顯，頻率響應帶寬較寬，帶來的射頻信號的插入損耗相對較小。負增益模式下的回波損耗和頻率響應帶寬也能滿足要求。假設fh為上限頻率，fl為下限頻率，fo為中心頻率；且有：fh＝900mhz，fl＝600mhz，fo＝800mhz，回波損耗大于15db，頻率響應的帶寬可達到300mhz以上，相對帶寬可達到(fh-fl)/fo＝(900-600)/800＝％。下面再提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結構，如圖5b所示，在該結構中的可控衰減電路的電阻r1可以變?yōu)殚_關sw2，增強了對射頻輸入端口rfin的esd保護能力。本申請實施例提供的技術方案的有益效果在于：通過在信號的輸入端設計可控衰減電路，在實現(xiàn)功率放大器增益負增益的同時，對高增益模式性能的影響很小，并且加強了對rfin端口的esd保護。該電路結構簡潔，對芯片面積占用小，能降低硬件成本。在本申請實施例提供的射頻功率放大器電路中，反饋電路中可以用于切換的電阻有多種，例如當射頻功率放大器電路需要實現(xiàn)三檔增益模式：高增益30db左右，低增益15db左右，負增益-10db左右。此時，反饋電路如圖6所示，c51、c52、c53和c54是1pf～2pf范圍的電容。電阻r53大于r51大于r52。射頻功率放大器地用于多種有線和無線應用中，包括 CATV，ISM，WLL，PCS，GSM，CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。安徽低頻射頻功率放大器哪家好
PartNumberFrequencyGainOIP3P1dBSKY85004-1129SE2623L-RTBD—TBDSE2622LSKY65900-11TBD34SKY65174-2135——SKY65162-70LFSKY6513126—28SE2623L33—32SE2609L28—28SE2605L33—32SE2604L32—30SE2598L28—SE2597L28—SE2576L33—32SE2574L28—25SE2574BL-R27—25SE2568U27—252725SE2568L27—252725SE2565T31—30SE2528L33—34SE2527L33—34SE2425U——SKY85405-11TBD—TBDSKY85402-1132—29SE5023L32—34SE5005L27—25SE5004L26—34SE5003L1-R32—32SE5003L32—29SE2567L30—25SE2537L28—252010-2012年間，也就是運營商大力建設WLAN網(wǎng)絡的年代，Skyworks的SKY65174+SE5004是絕大部分室外型大功率無線AP的優(yōu)先，其優(yōu)異的性能遠遠于競爭對手。直到現(xiàn)在，5GHz的11n的大功率設計似乎也只能選擇SE5004，11ac的大功率設計只能選擇SE5003-L1，也足以說明5GHz頻段高功率，高線性度PA的設計難度。本文給出Skyworks的4款名稱產品的性能數(shù)據(jù)。SKY65174性能SE2576性能SE5004性能SE5003-L1性能文末，寫點與技術無關的內容。我司網(wǎng)站博客板塊堅持原創(chuàng)內容，與讀者分享實用技術經驗，這樣的網(wǎng)站在國內很少見，也因此受到了很多讀者的喜愛，這令筆者感到十分欣慰。注明出處的情況下。重慶高科技射頻功率放大器設計乙類工作狀態(tài)：功率放大器在信號周期內只有半個周期存在工作電流，即導 通角0為180度.對于AM。
射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關閉狀態(tài)的電阻值。根據(jù)移動終端所切換的頻段，預設該頻段對應的射頻功率放大器的配置狀態(tài)，由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。(2)計算單元302計算單元302，用于計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。例如，移動終端進行頻段切換時，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，通過計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，從而獲取此時射頻功率放大器的狀態(tài)。其中，計算單元還包括計算電阻和處理器，計算電阻一端與射頻功率放大器檢測模塊連接，計算電阻另一端與電源電壓連接；處理器的引腳與計算電阻和射頻功率放大器檢測模塊連接。(3)比較單元303比較單元303，用于比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，將射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與預設的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時射頻功率放大器是否已完成配置。射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即移動終端頻段切換時的射頻功率放大器的電阻值。其中，射頻功率放大器檢測模塊與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示射頻功率放大器還沒有開啟，移動終端開啟此射頻功率放大器。
包括：第五一電容c51、第五二電容c52、第五三電容c53、第五四電容c54、第五一電阻r51、第五二電阻r52、第五三電阻r53、第五一開關k51和第五二開關k52，第五一電容c51、第五一電阻r51、第五一開關k51和第五二電容順次連接構成支路，第五三電容c53、第五二電阻r52、第五三電阻r53、第五二開關k52和第五四電容c54構成第二支路，支路與第二支路并聯(lián)，其中，第五三電容c53的兩端分別連接第五一電容c51和第五二電阻r52的一端，第五二開關k52的兩端分別連接第五二電阻r52的另一端和第五四電容c54的一端，第五三電阻r53的兩端分別連接第五二電阻r52的一端和第五四電容c54的一端，第五四電容c54的另一端連接第五二電容c52。其中，第五一電容、第五二電容、第五三電容和第五四電容的電容取值范圍均為1pf～2pf。因為在電路中，開關兩端需要為零的直流電壓偏置，所以在第五二電阻和第五三電阻兩旁各用一個電容來進行隔直處理。反饋電路中等效電阻越小，反饋深度越大，射頻功率放大器電路的增益越低，因此設置第五三電阻的阻值大于第五一電阻的電阻，第五一電阻的電阻大于第五二電阻的電阻。微控制器控制第五一開關和第五二開關均關斷，此時反饋電路的等效電阻大，可實現(xiàn)高增益。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分，其重要性不言而喻。
驅動放大電路和功率放大電路的電路結構一樣，但二者對應的各個器件的尺寸差異很大。相比較而言，功率放大電路更加注重輸出放大信號的效率，驅動放大電路更加注重放大信號的增益控制。射頻功率放大器電路的高、中、低功率模式下，電路結構和dc偏置都需要進行切換，即，通過改變反饋電路中的開關、電壓偏置電路中的柵極電壓、電流偏置電路中的漏極電流、供電電壓vcc，以及使能可控衰減電路，協(xié)作實現(xiàn)以上功率模式，以及實現(xiàn)非負增益模式和負增益模式。圖2b是本發(fā)明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結構示意圖，如圖2b所示，應用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路107、輸入匹配電路101、驅動放大電路102、級間匹配電路103、功率放大電路105和輸出匹配電路106，與驅動放大電路102跨接的反饋電路103；可控衰減電路107，用于根據(jù)終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換；輸入匹配電路101，用于使可控衰減電路和驅動放大電路之間阻抗匹配；驅動放大電路102，用于放大輸入匹配電路輸出的信號；反饋電路103，用于調節(jié)射頻功率放大器電路的增益；級間匹配電路104，用于使驅動放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配。GaN作為功率放大器中具有優(yōu)良材料 的寬帶隙半導體材料之一被譽為第5代半導體在微電應用領域存 在的應用.福建寬帶射頻功率放大器
射頻功率放大器的主要技術指標是輸出功率與效率，提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設計目標的中心。安徽低頻射頻功率放大器哪家好
其中：串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關閉狀態(tài)的寄生電容，減少對后級驅動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負增益模式下，sw1處在導通狀態(tài)，電阻r主要承擔對射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負責射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導通。若系統(tǒng)要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導通時寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開關可以用各種半導體工藝實現(xiàn)，如互補金屬氧化物半導體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(intrinsic)半導體層，組成的這種p-i-n結構的二極管就是pin二極管。需要說明的是，r所在的可控衰減電路與后級的功率放大電路的關系是并聯(lián)關系。并聯(lián)關系在于電壓相同時，r越小，可控衰減電路分得電流越大，得到的功率越多。故r越小，進入可控衰減電路的功率越多，相應的進入后級功率放大電路的功率就越少，衰減就越大。所以，為了實現(xiàn)大幅度的衰減，r有時需要省略，依靠sw自身的導通電阻ron。其中，串聯(lián)電感l(wèi)1的通過以下方法得到：在未加入可控衰減電路時，若輸入匹配電路101對應的阻抗為：z0＝r0+jx0。安徽低頻射頻功率放大器哪家好
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