因?yàn)檫@些特性，GaAs器件被應(yīng)用在無(wú)線通信、衛(wèi)星通訊、微波通信、雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域，能夠在更高的頻率下工作，高達(dá)Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設(shè)計(jì)的常用選擇，在80MHz到6GHz的頻率范圍內(nèi)的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是對(duì)高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進(jìn)結(jié)構(gòu)，也稱為贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PMODFET），具有更高的電子面密度（約高2倍）；同時(shí)，這里的電子遷移率也較高（比GaAs中的高9%），因此PHEMT的性能更加優(yōu)越。PHEMT具有雙異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)，這不提高了器件閾值電壓的溫度穩(wěn)定性，而且也改善了器件的輸出伏安特性，使得器件具有更大的輸出電阻、更高的跨導(dǎo)、更大的電流處理能力以及更高的工作頻率、更低的噪聲等。采用這種材料可以實(shí)現(xiàn)頻率達(dá)40GHz，功率達(dá)幾W的功率放大器。在EMC領(lǐng)域，采用此種材料可以實(shí)現(xiàn)，功率達(dá)200W的功率放大器。氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaNHEMT）氮化鎵（GaN）HEMT是新一代的射頻功率晶體管技術(shù)，與GaAs和Si基半導(dǎo)體技術(shù)相比。功率放大器線性化技術(shù)一一功率回退、前饋、反饋、預(yù)失真，出于射頻 預(yù)失真結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于集成和實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)。福田區(qū)2-6G射頻功率放大器
第六電容的第二端連接第二開關(guān)的端，第二開關(guān)的第二端連接第五電阻的端，第五電阻的第二端連接第五電容的端，第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端；其中，第二開關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以降低反饋深度，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式；還用于響應(yīng)第八控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以增加反饋深度，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式。需要說(shuō)明的是，假設(shè)射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時(shí)的放大系數(shù)為a，反饋電路的反饋系數(shù)為f，則加入反饋電路后射頻功率放大器電路100的放大系數(shù)af＝a/(1+af)，隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低，反饋系數(shù)f變大，反饋深度增加，放大系數(shù)af變小，有利于射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。其中，第四電阻的阻值大于第五電阻的阻值。第二開關(guān)響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以降低反饋深度，從而使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式；第二開關(guān)響應(yīng)微處理器發(fā)出的第八控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài)，以增加反饋深度，從而使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。在一些實(shí)施例中，反饋電路還可如圖6所示。1-3G射頻功率放大器研發(fā)射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。
本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下有益效果：增加輔次級(jí)線圈可以在不影響初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對(duì)阻抗變換的影響。根據(jù)初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級(jí)線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級(jí)線圈和輔次級(jí)線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì)，能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。附圖說(shuō)明圖1是本發(fā)明實(shí)施例中的一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的另一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式如上所述，現(xiàn)有技術(shù)中，采用普通結(jié)構(gòu)變壓器實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是難以實(shí)現(xiàn)寬帶功率放大器。
由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。其中，頻段與射頻功率放大器的對(duì)應(yīng)情況包括兩種：一個(gè)頻段對(duì)應(yīng)一個(gè)射頻功率放大器或多個(gè)頻段對(duì)應(yīng)一個(gè)射頻功率放大器。移動(dòng)終端在進(jìn)行頻段切換前，移動(dòng)終端的射頻功率放大器的狀態(tài)包括開啟狀態(tài)或關(guān)閉狀態(tài)，移動(dòng)終端在進(jìn)行頻段切換時(shí)，需要開啟一個(gè)或多個(gè)射頻功率放大器。射頻功率放大器的配置狀態(tài)即移動(dòng)終端在進(jìn)行頻段切換時(shí)，此時(shí)移動(dòng)終端的射頻功率放大器的狀態(tài)。其中，由于射頻功率放大器的開啟狀態(tài)與關(guān)閉狀態(tài)所對(duì)應(yīng)的電阻值不同，預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)即預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。因此，射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值。其中，每個(gè)射頻功率放大器配置一個(gè)匹配電阻，關(guān)閉狀態(tài)的電阻值為射頻功率放大器的電阻值，開啟狀態(tài)的電阻值為匹配電阻的電阻值。不同的射頻功率放大器設(shè)置不同的匹配電阻，不同的匹配電阻的電阻值不相等，并且滿足若干個(gè)并聯(lián)后不相等。本申請(qǐng)對(duì)于射頻功率放大器的個(gè)數(shù)不作限定，匹配電阻的個(gè)數(shù)與射頻功率放大器的個(gè)數(shù)相同。其中，檢測(cè)到射頻功率放大器關(guān)閉時(shí)，其匹配電阻不生效。微波固態(tài)功率放大器通常安裝在一個(gè)腔體內(nèi)，由于頻率高，往往容易產(chǎn)生寄 生藕合與干擾。
令rj為射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計(jì)算電阻的電阻值。計(jì)算電阻r0的電阻值已知，本申請(qǐng)對(duì)于計(jì)算電阻r0的電阻值的設(shè)置不作限定，計(jì)算電阻r0用于計(jì)算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的射頻功率放大器檢測(cè)電路的連接示意圖。請(qǐng)參閱圖2，以四個(gè)射頻功率放大器并聯(lián)為例，計(jì)算電阻201的一端與電源電壓vdd相連，計(jì)算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連，射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連，計(jì)算電阻201與射頻功率放大器的連接之間設(shè)置處理器202。其中，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，射頻功率放大器211、212、213和214的電阻值分別設(shè)為r1、r2、r3和r4，射頻功率放大器211、212、213和214各自的匹配電阻的電阻值分別為r11、r22、r33和r44。在移動(dòng)終端進(jìn)行頻段切換前，設(shè)所有射頻功率放大器的初始狀態(tài)都是關(guān)閉的，即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值分別為r1、r2、r3和r4。當(dāng)移動(dòng)終端進(jìn)行頻段切換時(shí)，需要開啟射頻功率放大器211，則預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)為射頻功率放大器211開啟，射頻功率放大器212、213和214保持關(guān)閉。丙類狀態(tài)：在信號(hào)周期內(nèi)存在工作電流的時(shí)間不到半個(gè)周期即導(dǎo)通角0 小于18度，丙類功放的優(yōu)點(diǎn)是效率非常高。1-3G射頻功率放大器價(jià)格
微波功率放大器工作處于非線性狀態(tài)放大過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生的諧波分量，輸入、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)除起到阻抗變換作用外。福田區(qū)2-6G射頻功率放大器
具體地，第二pmos管mp01的源極通過(guò)電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接，第三nmos管mn19的源極接地，第三pmos管mp02的源極接電源電壓，第三nmos管mn19的柵極與漏極連接，第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點(diǎn)a，第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點(diǎn)b，連接點(diǎn)a與第二連接點(diǎn)b連接,第二連接點(diǎn)b通過(guò)電阻r15接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa，輸出端vbcs_pa用于為功率放大器源放大器的柵極提供偏置電壓。第四nmos管mn20的漏極與第四pmos管mp03的漏極連接后與pmos管mp04的柵極連接，第四nmos管mn20的源極接地，第四pmos管mp03的源極接電源電壓vdd，第四nmos管mn20的柵極和第四pmos管mp03的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。pmos管mp04的漏極通過(guò)電阻r17接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa，第二輸出端vbcg_pa用于為功率放大器柵放大器的柵極提供偏置電壓。圖3示出了本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖。福田區(qū)2-6G射頻功率放大器
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