圖10為本發(fā)明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖。具體實施方式對于窄帶物聯(lián)網(wǎng)(narrowbandinternetofthings，nb-iot)的終端(userequipment，ue)來說，射頻前端系統(tǒng)中的射頻功率放大器電路一般要求發(fā)射功率可調(diào)，當射頻功率放大器電路之前射頻收發(fā)器的輸出動態(tài)范圍有限時，就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應用場景中，對射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出，其動態(tài)范圍要達到35～40db，并出現(xiàn)負增益的需求模式。例如，在窄帶物聯(lián)網(wǎng)通信對象之間距離近(nb-iot的終端距離基站很近)的情況下會出現(xiàn)負增益的需求。在應用中，一方面在射頻功率放大器的電路設計中，可以降低功率增益，在不過度影響原有電路匹配的前提下，通過增強驅(qū)動級晶體管的負反饋；另一方面，可以在輸入匹配電路中插入可控衰減電路的設計，這樣對功率放大器的性能影響較小，降低增益的效果明顯。下面介紹一種射頻功率放大器電路，是在高增益模式的電路基礎上，一般通過增強驅(qū)動級的負反饋來降低增益。圖1a為相關技術中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖，圖1b為圖1a的電路結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖1a和圖1b，方案。射頻功率放大器包括A類、AB類、B類和c類等，開關放大 器包括D類、E類和F類等。河南V段射頻功率放大器哪里賣
RF)微波和毫米波應用，設計和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學及科學成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務電子。憑借近30年的經(jīng)驗和創(chuàng)新實踐，Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號半導體技術領域有著深厚的積淀，從器件級到完整子系統(tǒng)的設計和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒用用過Hittite的WiFiPA，倒是用過其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網(wǎng)站，似乎也只有一款PA適用于WiFi行業(yè)，HMC408，其性能如下。MicrochipMicrochip（2010年收購了SST）是全球的單片機和模擬半導體供應商，為全球數(shù)以千計的消費類產(chǎn)品提供低風險的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時間。Mircrochip的WiFiPA常見于Mediatek（Ralink）的參考設計。天津定制開發(fā)射頻功率放大器價格射頻功率放大器是無線通信系統(tǒng)中非常重要的組件。
則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰減電路后，在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中，為保證有效的功率衰減，r2一般控制得較小，故對r0影響可以忽略。sw1關斷時，r2和sw1所在的支路可以等效成寄生電抗xc，此時，可控衰減電路和輸入匹配電路的等效阻抗zeq＝(r0+jx0)//jxc+jxl，其中，“//”表示并聯(lián)，zeq的實部小于r0，為了使等效阻抗與輸入阻抗盡可能的匹配，減少影響，需要zeq的虛部im(zeq)＝x0，在r0、x0和xc的數(shù)值已知的情況下，根據(jù)等效阻抗zeq的表達式可以計算出xl，進而得到電感l(wèi)1的電感值，其中，由于電感l(wèi)1被集成在硅基芯片上，所以電感l(wèi)的品質(zhì)因數(shù)q值一般不大于5。為了進一步提高電路實用性，并提高射頻耐壓和靜電保護能力，本申請實施例的進一步形式是將并聯(lián)支路的r換成sw2(如圖4所示)，通過控制sw1和sw2的柵極的寬長比控制導通的寄生電阻和關斷的寄生電容以及esd能力。換句話說，在做設計時控制sw1和sw2的柵極的寬長比w/l，可以獲得期望的ron，其中：開關導通的電阻：ron＝1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth))，其中，*表示乘號，μ是指電子遷移率，cox是指單位面積的柵氧化層電容，w/l是指cmos器件有效溝道長度的寬長比。
每個主體電路中的功率放大器包括2個共源共柵放大器；在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應動態(tài)偏置電路的第二輸出端；在主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第三變壓器的原邊；在第二主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊?？蛇x的，變壓器的原邊和第二變壓器的原邊之間還連接有電容，變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵放大器柵放大器的柵極通過電阻接第二偏置電壓。可選的，第三變壓器的副邊和第四變壓器的副邊之間還連接有電容，第三變壓器原邊的中端和第四變壓器原邊的中端分別通過電感連接電源電壓、以及連接接地電容。本申請技術方案，至少包括如下優(yōu)點：通過自適應動態(tài)偏置電路動態(tài)調(diào)整功率放大器源共柵放大器的柵極偏置電壓，提高了射頻功率放大器的線性度。附圖說明為了更清楚地說明本申請具體實施方式或現(xiàn)有技術中的技術方案。微波功率放大器(PA)是微波通信系統(tǒng)、廣播電視發(fā)射、雷達、導航系統(tǒng)的部件之一。
令rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計算電阻的電阻值。計算電阻r0的電阻值已知，本申請對于計算電阻r0的電阻值的設置不作限定，計算電阻r0用于計算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請實施例提供的射頻功率放大器檢測電路的連接示意圖。請參閱圖2，以四個射頻功率放大器并聯(lián)為例，計算電阻201的一端與電源電壓vdd相連，計算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連，射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連，計算電阻201與射頻功率放大器的連接之間設置處理器202。其中，在本申請實施例中，射頻功率放大器211、212、213和214的電阻值分別設為r1、r2、r3和r4，射頻功率放大器211、212、213和214各自的匹配電阻的電阻值分別為r11、r22、r33和r44。在移動終端進行頻段切換前，設所有射頻功率放大器的初始狀態(tài)都是關閉的，即此時射頻功率放大器的電阻值分別為r1、r2、r3和r4。當移動終端進行頻段切換時，需要開啟射頻功率放大器211，則預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)為射頻功率放大器211開啟，射頻功率放大器212、213和214保持關閉。射頻放大器的穩(wěn)定性問題非常重要，是保證設備安全可靠運行的必要條件。天津現(xiàn)代化射頻功率放大器系列
射頻功率放大器器件放大管基本上由氮化鎵，砷化鎵，LDMOS管電路運用。河南V段射頻功率放大器哪里賣
nmos管mn07的漏極和nmos管mn08的漏極分別連接第三變壓器t03的原邊。在第二主體電路率放大器中源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊。如圖3所示，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵極為功率放大器的輸入端，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵極與激勵放大器的輸出端連接。nmos管mn15的漏極和nmos管mn16的漏極分別連接第四變壓器t04的原邊。nmos管mn05的源極、nmos管mn06的源極接地，nmos管mn13的源極、nmos管mn14的源極接地。nmos管mn07的柵極和nmos管mn08的柵極通過電容c06和電感l(wèi)02接地，nmos管mn15的柵極和nmos管mn16的柵極通過電容c13和電感l(wèi)05接地。第三變壓器t02原邊的中端通過電感l(wèi)03接電源電壓vdd，第三變壓器t02原邊的中端還連接接地電容c08。第四變壓器t04原邊的中端通過電感l(wèi)06接電源電壓vdd，第四變壓器t04原邊的中端還連接接地電容c15。本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器，通過自適應動態(tài)偏置電路和兩個主體電路，不提高了射頻功率放大器的線性度，還提高了射頻功率放大器的輸出功率。圖4示例性地示出了本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器中自適應動態(tài)偏置電路對應的偏置電壓曲線圖。河南V段射頻功率放大器哪里賣
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