單位為分貝)，再根據(jù)鏈路預(yù)算lb確定終端的發(fā)射功率(transmittingpower，pt)(單位為分貝瓦或者分貝毫瓦)。終端在與基站通信后，確定天線的發(fā)射功率pt，根據(jù)天線的發(fā)射功率pt和天線的增益確定射頻功率放大器電路的輸出功率，根據(jù)射頻功率放大器電路的輸出功率確定射頻功率放大器電路的輸入功率和增益，通過微控制器對射頻功率放大器電路的輸入功率進(jìn)行調(diào)節(jié)，并根據(jù)增益確定射頻功率放大器電路中的模式控制信號，使其終的輸出功率滿足要求。其中，路徑損耗pl的計算參見公式(1)：pl＝20log10(f)+20log10(d)–c(1)；其中，f為信號頻率，單位為mhz；d為基站和終端之間的距離；c為經(jīng)驗值，一般取28。在一些實施例中，如欲計算出戶外空曠環(huán)境中距離為d＝1200米，頻率為f＝915mhz和f＝，則可根據(jù)公式(1)推導(dǎo)出f＝915mhz時的pl為：20log10(915)+20log10(1200)–28＝，還可推導(dǎo)出f＝：20log10(2400)+20log10(1200)–28＝。如果發(fā)送器與目標(biāo)接收機(jī)之間的路徑損耗pl大于鏈路預(yù)算lb，那么就會發(fā)生數(shù)據(jù)丟失，無法實現(xiàn)通信，因此，鏈路預(yù)算lb需要大于等于路徑損耗pl，據(jù)此可以得到鏈路預(yù)算值。終端的發(fā)射功率pt由式(2)計算得到：lb＝pt+gt+gr-rs(2)；其中，gt為終端的天線增益，單位為分貝。射頻功率放大器地用于多種有線和無線應(yīng)用中，包括 CATV，ISM，WLL，PCS，GSM，CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。河南線性射頻功率放大器設(shè)計
本申請涉及射頻處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。背景技術(shù)：通話是移動終端的為基本的功能之一，射頻功率放大器(rfpa)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分，其重要性不言而喻。在發(fā)射機(jī)的前級電路中，調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小，需要經(jīng)過一系列的放大(緩沖級、中間放大級、末級功率放大級)獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器。在調(diào)制器產(chǎn)生射頻信號后，射頻已調(diào)信號就由射頻放大器將它放大到足夠功率，經(jīng)匹配網(wǎng)絡(luò)，再由天線發(fā)射出去。由于現(xiàn)有技術(shù)中的所支持的射頻頻段眾多，每個頻段所使用的射頻功率放大器配置可能有所差異，雖然由移動終端的軟件寫入了相關(guān)的配置指令，由于指令發(fā)出總是存在先后關(guān)系，在現(xiàn)有技術(shù)中往往需要在配置頻段時在所有射頻功率放大器啟動指令發(fā)出后再延遲一個時間(例如)認(rèn)為已經(jīng)配置完成，再進(jìn)行下一步操作。例如，在第，此時需要向4個依次射頻功率放大器發(fā)出啟動指令，然后等待，開始下一步操作，但其實這個，很可能在。因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，有待改進(jìn)與發(fā)展。技術(shù)實現(xiàn)要素：本申請實施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方法。浙江高頻射頻功率放大器批發(fā)寬帶功率放大器應(yīng)用GaN基器件符合高功率輸出、高效率、高線性度、高工作頻 率的固態(tài)微波功率放大器的要求。
1.射頻微波功率放大器及其應(yīng)用放大器是用來以更大的功率、更大的電流，更大的電壓再現(xiàn)信號的部件。在信號處理過程中不可或缺的放大器，既可以做成用在助聽器里的微晶片，也可以做成像多層建筑那么大以便向水下潛艇或外層空間傳輸無線電信號。功率放大器可以被認(rèn)為是將直流（DC）輸入轉(zhuǎn)換成射頻和微波能量的電路。不是在電磁兼容領(lǐng)域需要在射頻和微波頻率上產(chǎn)生足夠的功率，在無線通信、雷達(dá)和雷達(dá)干擾，醫(yī)療功率發(fā)射機(jī)和高能成像系統(tǒng)等領(lǐng)域都需要，每種應(yīng)用領(lǐng)域都有它對頻率、帶寬、負(fù)載、功率、效率和成本的獨特要求。射頻和微波功率可以利用不同的技術(shù)和不同的器件來產(chǎn)生。本文著重介紹在EMC應(yīng)用中普遍使用的固態(tài)射頻功率放大器技術(shù)，這種固態(tài)放大器的頻率可以達(dá)到6GHz甚至更高，采用了A類，AB類、B類或C類放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。2.射頻微波功率晶體管概述隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，可用于RF功率放大器的器件和種類越來越多。各種封裝器件被普遍采用，圖1顯示了一個典型的蓋子被移除的晶體管。這是一個大功率為60W的采用了GaAsFET的平衡微波晶體管，適合推挽式的AB類放大器使用。
RF)微波和毫米波應(yīng)用，設(shè)計和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應(yīng)用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學(xué)及科學(xué)成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務(wù)電子。憑借近30年的經(jīng)驗和創(chuàng)新實踐，Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域有著深厚的積淀，從器件級到完整子系統(tǒng)的設(shè)計和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒用用過Hittite的WiFiPA，倒是用過其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網(wǎng)站，似乎也只有一款PA適用于WiFi行業(yè)，HMC408，其性能如下。MicrochipMicrochip（2010年收購了SST）是全球的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商，為全球數(shù)以千計的消費(fèi)類產(chǎn)品提供低風(fēng)險的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時間。Mircrochip的WiFiPA常見于Mediatek（Ralink）的參考設(shè)計。穩(wěn)定性是指放大器在環(huán)境(如溫度、信號頻率、源及負(fù)載等)變化比較大的情況 下依1日保持正常工作特性的能力。
令rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計算電阻的電阻值。計算電阻r0的電阻值已知，本申請對于計算電阻r0的電阻值的設(shè)置不作限定，計算電阻r0用于計算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請實施例提供的射頻功率放大器檢測電路的連接示意圖。請參閱圖2，以四個射頻功率放大器并聯(lián)為例，計算電阻201的一端與電源電壓vdd相連，計算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連，射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連，計算電阻201與射頻功率放大器的連接之間設(shè)置處理器202。其中，在本申請實施例中，射頻功率放大器211、212、213和214的電阻值分別設(shè)為r1、r2、r3和r4，射頻功率放大器211、212、213和214各自的匹配電阻的電阻值分別為r11、r22、r33和r44。在移動終端進(jìn)行頻段切換前，設(shè)所有射頻功率放大器的初始狀態(tài)都是關(guān)閉的，即此時射頻功率放大器的電阻值分別為r1、r2、r3和r4。當(dāng)移動終端進(jìn)行頻段切換時，需要開啟射頻功率放大器211，則預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)為射頻功率放大器211開啟，射頻功率放大器212、213和214保持關(guān)閉。功率放大器線性化技術(shù)一一功率回退、前饋、反饋、預(yù)失真，出于射頻 預(yù)失真結(jié)構(gòu)簡單、易于集成和實現(xiàn)等優(yōu)點。重慶線性射頻功率放大器技術(shù)
交調(diào)失真有不同頻率的兩個或更多的輸入信號經(jīng)過功率放大器而產(chǎn)生的 混合分量由于功率放大器的非線性造成的。河南線性射頻功率放大器設(shè)計
70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應(yīng)管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場效應(yīng)晶體管（VMOSFET）的溝道長度是由外延層的厚度來控制的，因此適合于MOS器件的短溝道化，從而提高器件的高頻性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF頻段，也就是30MHz到3GHz。封裝好的VMOS器件能夠在UHF頻段提供高達(dá)1kW的功率，在VHF頻段提供幾百瓦的功率，可由12V,28V或50V電源供電，有些VMOS器件可以100V以上的供電電壓工作。橫向擴(kuò)散MOS（LDMOS）橫向雙擴(kuò)散MOS晶體管（LateralDouble-diffusedMOSFET，LDMOS）：這是為了減短溝道長度的一種橫向?qū)щ奙OSFET，通過兩次擴(kuò)散而制作的器件稱為LDMOS，在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。與晶體管相比，LDMOS在關(guān)鍵的器件特性方面，如增益、線性度、散熱性能等方面優(yōu)勢很明顯，由于更容易與CMOS工藝兼容而被采用。LDMOS能經(jīng)受住高于雙極型晶體管的駐波比，能在較高的反射功率下運(yùn)行而不被破壞；它較能承受輸入信號的過激勵，具有較高的瞬時峰值功率。河南線性射頻功率放大器設(shè)計
能訊通信科技（深圳）有限公司位于南頭街道馬家龍社區(qū)南山大道3186號明江大廈C501。能訊通信致力于為客戶提供良好的射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機(jī)，無人機(jī)干擾功放，一切以用戶需求為中心，深受廣大客戶的歡迎。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務(wù)為理念，秉持誠信為本的理念，打造電子元器件良好品牌。能訊通信立足于全國市場，依托強(qiáng)大的研發(fā)實力，融合前沿的技術(shù)理念，飛快響應(yīng)客戶的變化需求。