射頻功率放大器設(shè)計(jì)

    來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-01-25

        需要滿足:r20+r30=r0,x20+x30=x0,在zin和z30已知的情況下,可以計(jì)算得到r20和x20,進(jìn)一步的,在第二電阻和開關(guān)的參數(shù)已知的情況下,可以計(jì)算得到電感的參數(shù)值。因?yàn)榧尤胼斎肫ヅ潆娐泛蟮牡刃ё杩箊20+z30與輸入阻抗zin能實(shí)現(xiàn)較好的匹配,因此,輸入端的回波損耗可滿足要求。其中,因?yàn)殡姼屑捎诠杌酒?,所以,電感的品質(zhì)因數(shù)一般不大于5。因?yàn)殡姼械钠焚|(zhì)因數(shù)小,因此在非負(fù)增益模式下,可控衰減電路的頻選特性不明顯,頻率響應(yīng)帶寬較寬。在負(fù)增益模式下,回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。在一個(gè)可能的示例中,驅(qū)動(dòng)放大電路102包括:第二電容c2、第二mos管t2和第三mos管t3,其中:第二mos管的柵級與第三電阻的第二端連接,第二mos管的漏級與第三mos管的源級連接,第二mos管的源級接地,第二電容的端連接第三mos管的柵級,第二電容的第二端接地。其中,第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一樣。在一個(gè)可能的示例中,反饋電路103包括:第三電容c3、第四電容c4、第五電容c5、第六電容c6、第四電阻r4、第五電阻r5和開關(guān)k1,其中:第四電容的端和第六電容的端連接第三mos管的漏級,第四電容的第二端連接第四電阻的端,第四電阻的第二段連接第三電容的端。輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它 的增益平坦度并不一定滿足技術(shù)指標(biāo)的要求。射頻功率放大器設(shè)計(jì)

        在本發(fā)明實(shí)施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號input_p,功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號input_n。功率放大單元可以對輸入的差分信號input_p以及第二差分信號input_n分別進(jìn)行放大處理,功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過放大的差分信號,功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過放大的第二差分信號。差分信號input_p以及第二差分信號input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定,且差分信號input_p的放大倍數(shù)和對第二差分信號input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實(shí)施中,差分信號input_p以及第二差分信號input_n可以是對輸入至射頻功率放大器的輸入信號進(jìn)行差分處理后得到的。具體的,對輸入信號進(jìn)行差分處理的原理及過程可以參照現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明實(shí)施例不做贅述。在具體實(shí)施率合成變壓器可以包括初級線圈11以及次級線圈。在本發(fā)明實(shí)施例中,初級線圈11的端可以與功率放大單元的輸出端耦接,輸入經(jīng)過放大的差分信號;初級線圈11的第二端可以與功率放大單元的第二輸出端耦接,輸入經(jīng)過放大的第二差分信號。在本發(fā)明實(shí)施例中,次級線圈可以包括主次級線圈121以及輔次級線圈122。主次級線圈121的端接地。湖北V段射頻功率放大器檢測技術(shù)射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。

    5G時(shí)代,智能手機(jī)將采用2發(fā)射4接收方案,未來有望演進(jìn)為8接收方案。功率放大器(PA)是一部手機(jī)關(guān)鍵的器件之一,它直接決定了手機(jī)無線通信的距離、信號質(zhì)量,甚至待機(jī)時(shí)間,是整個(gè)射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動(dòng)智能移動(dòng)終端、基站端及IOT設(shè)備射頻PA穩(wěn)健增長。功率放大器市場增長相對穩(wěn)健,復(fù)合年增長率為7%,將從2017年的50億美元增長到2023年的70億美元。LTE功率放大器市場的增長,尤其是高頻和超高頻,將彌補(bǔ)2G/3G市場的萎縮。15G智能移動(dòng)終端,射頻PA的大機(jī)遇5G推動(dòng)手機(jī)射頻PA量價(jià)齊升無論是在基站端還是設(shè)備終端,5G給供應(yīng)商帶來的挑戰(zhàn)都首先體現(xiàn)在射頻方面,因?yàn)檫@是設(shè)備“上”網(wǎng)的關(guān)鍵出入口,即將到來的5G手機(jī)將會(huì)面臨更多頻段的支持、不同的調(diào)制方向、信號路由的選擇、開關(guān)速度的變化等多方面的技術(shù)挑戰(zhàn)外,也會(huì)帶來相應(yīng)市場機(jī)遇。5G將給天線數(shù)量、射頻前端模塊價(jià)值量帶來翻倍增長。以5G手機(jī)為例,單部手機(jī)的射頻半導(dǎo)體用量達(dá)到25美金,相比4G手機(jī)近乎翻倍增長。其中濾波器從40個(gè)增加至70個(gè),頻帶從15個(gè)增加至30個(gè),接收機(jī)發(fā)射機(jī)濾波器從30個(gè)增加至75個(gè),射頻開關(guān)從10個(gè)增加至30個(gè),載波聚合從5個(gè)增加至200個(gè)。5G手機(jī)功率放大器。

        橫坐標(biāo)為輸出功率pout,曲線41對應(yīng)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供給共柵放大器的柵極偏置電壓,曲線42對應(yīng)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供給共源放大器的柵極偏置電壓。圖5示例性地示出了本申請實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器對應(yīng)的imd3(thirdorderintermodulation,三階互調(diào))曲線圖51,以及現(xiàn)有的射頻功率放大器對應(yīng)的imd3曲線圖52,根據(jù)曲線51和曲線52,可以看出本申請實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的imd3得到了提高(增幅為△imd3),橫坐標(biāo)為輸出功率pout。顯然,上述實(shí)施例是為清楚地說明所作的舉例,而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本申請創(chuàng)造的保護(hù)范圍之**率放大器一般可分為A、AB、B、c、D、E、F類。

        執(zhí)行移動(dòng)終端的各種功能和處理數(shù)據(jù),從而對手機(jī)進(jìn)行整體監(jiān)控??蛇x的,處理器408可包括一個(gè)或多個(gè)處理;推薦的,處理器408可集成應(yīng)用處理器和調(diào)制解調(diào)處理器,其中,應(yīng)用處理器主要處理操作系統(tǒng)、用戶界面和應(yīng)用程序等,調(diào)制解調(diào)處理器主要處理無線通信??梢岳斫獾氖牵鲜稣{(diào)制解調(diào)處理器也可以不集成到處理器408中。移動(dòng)終端還包括給各個(gè)部件供電的電源409(比如電池),推薦的,電源可以通過電源管理系統(tǒng)與處理器408邏輯相連,從而通過電源管理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)管理充電、放電、以及功耗管理等功能。電源409還可以包括一個(gè)或一個(gè)以上的直流或交流電源、再充電系統(tǒng)、電源故障檢測電路、電源轉(zhuǎn)換器或者逆變器、電源狀態(tài)指示器等任意組件。盡管未示出,移動(dòng)終端還可以包括攝像頭、藍(lán)牙模塊等,在此不再贅述。具體在本實(shí)施例中,移動(dòng)終端中的處理器408會(huì)按照如下的指令,將一個(gè)或一個(gè)以上的應(yīng)用程序的進(jìn)程對應(yīng)的可執(zhí)行文件加載到存儲(chǔ)器402中,并由處理器408來運(yùn)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器402中的應(yīng)用程序,從而實(shí)現(xiàn)各種功能:預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值;計(jì)算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值;比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。功放中使用電感器一般有直線電感、折線電感、單環(huán)電感和螺旋電感等。在射頻/微波 IC中一般用方形螺旋電感。廣西使用射頻功率放大器

    功率放大器因此要盡量采用典型可 靠的電路、合理分配增益、減少放大器的級數(shù),以降低故障概率。射頻功率放大器設(shè)計(jì)

        包括:第五一電容c51、第五二電容c52、第五三電容c53、第五四電容c54、第五一電阻r51、第五二電阻r52、第五三電阻r53、第五一開關(guān)k51和第五二開關(guān)k52,第五一電容c51、第五一電阻r51、第五一開關(guān)k51和第五二電容順次連接構(gòu)成支路,第五三電容c53、第五二電阻r52、第五三電阻r53、第五二開關(guān)k52和第五四電容c54構(gòu)成第二支路,支路與第二支路并聯(lián),其中,第五三電容c53的兩端分別連接第五一電容c51和第五二電阻r52的一端,第五二開關(guān)k52的兩端分別連接第五二電阻r52的另一端和第五四電容c54的一端,第五三電阻r53的兩端分別連接第五二電阻r52的一端和第五四電容c54的一端,第五四電容c54的另一端連接第五二電容c52。其中,第五一電容、第五二電容、第五三電容和第五四電容的電容取值范圍均為1pf~2pf。因?yàn)樵陔娐分校_關(guān)兩端需要為零的直流電壓偏置,所以在第五二電阻和第五三電阻兩旁各用一個(gè)電容來進(jìn)行隔直處理。反饋電路中等效電阻越小,反饋深度越大,射頻功率放大器電路的增益越低,因此設(shè)置第五三電阻的阻值大于第五一電阻的電阻,第五一電阻的電阻大于第五二電阻的電阻。微控制器控制第五一開關(guān)和第五二開關(guān)均關(guān)斷,此時(shí)反饋電路的等效電阻大,可實(shí)現(xiàn)高增益。射頻功率放大器設(shè)計(jì)

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