發(fā)貨地點：廣東省深圳市
發(fā)布時間：2024-06-13
HUSTEC華科智源
HUSTEC-1600A-MT
SiC器件測試儀/設(shè)備
一：SiC器件測試儀/設(shè)備主要特點
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二ji管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙ji型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現(xiàn)在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；
二：華科智源SiC器件測試儀/設(shè)備應(yīng)用范圍
A：IGBT單管及模塊，
B：大功率場效應(yīng)管（Mosfet）
C：大功率二ji管
D：標準低阻值電阻
E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業(yè)篩選以及在線故障檢測
三、華科智源SiC器件測試儀/設(shè)備特征：
A：測量多種IGBT、MOS管
B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；
C：脈沖寬度 50uS~300uS
D：Vce測量精度2mV
E：Vce測量范圍>10V
F：電腦圖形顯示界面
G：智能保護被測量器件
H：上位機攜帶功能
I：MOS IGBT內(nèi)部二ji管壓降
J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)
K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比；
